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oe1(光电查) - 科学论文

14 条数据
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  • 利用g-C3N4纳米片改进水溶液中铬(VI)的荧光检测及机理研究

    摘要: g-C3N4纳米片经550°C二次煅烧和HNO3处理改性后,通过内滤效应证实的荧光衰减法可有效检测水溶液中的Cr(VI),其近不变的时间分辨衰减过程验证了该机制。荧光检测性能的提升归因于改性后g-C3N4比表面积增大及表面正电荷位点增多,从而促进了对Cr(VI)的吸附。在pH=3、激发波长350nm的优化条件下,基于Stern-Volmer方程测得线性范围为1.0–100.0 μM时检出限(LOD)为0.3 μM;而在0.2–5.0 μM低浓度范围内,通过双对数拟合与荧光强度呈良好线性关系,此时LOD达0.06 μM。本研究为合成检测溶液中Cr(VI)的g-C3N4基纳米材料提供了可行途径。

    关键词: 二次煅烧,g-C3N4纳米片,Cr(VI)检测,HNO3处理,荧光衰减

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 碳层包覆黑TiO2-x/CNNS异质结光催化剂中氧空位的有效?;?

    摘要: 首次通过聚多巴胺碳化途径成功制备了碳层包覆的黑TiO2-x/g-C3N4纳米片(C@TiO2-x/CNNS)异质结光催化剂。研究发现,在可见光照射下,C@TiO2-x/CNNS的产氢速率达到417.2 μmol h-1 g-1,显著高于同等条件下其他制备的光催化剂在太阳能水分解过程中的表现,但经过三次循环后催化活性明显下降。TiO2-x表面形成的碳层能有效保护Ti3+和氧空位(Ovs)免受空气和溶解氧的氧化,从而保留更多可作为电荷陷阱的Ti3+/Ovs以抑制光激发电子-空穴复合。因此,综合碳层与异质结的双重优势,C@TiO2-x/CNNS展现出高导电性、快速有效的电子-空穴分离及较低传输电阻的特性,这对提升光催化性能极为有利。由此建立了一种名为"层?;ばв?#34;的新型催化策略,该策略对促进产氢及?;i3+/Ovs的思路可为光催化体系设计提供启示。

    关键词: 黑色TiO2,可见光下H2析出,g-C3N4纳米片,碳层?;ぱ蹩瘴?

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过使用聚邻苯二胺修饰的AgCl/g-C3N4纳米片实现快速电子转移及增强的可见光光催化活性

    摘要: 将块状石墨相氮化碳(g-C3N4)剥离为二维(2D)纳米片是提升其光催化性能的有效策略之一,从而使二维g-C3N4纳米片(CN)具有更大的比表面积和更多反应位点。此外,聚邻苯二胺(PoPD)可提高半导体材料的导电性和光催化活性。本研究首次通过沉淀反应与光引发聚合方法合成了新型高效复合材料PoPD/AgCl/g-C3N4纳米片。所得光催化剂具有更大比表面积,可实现更优的可见光响应。然而氯化银(AgCl)易发生团聚和光腐蚀,PoPD/AgCl/CN复合材料展现出极高光电流密度,达到CN的三倍。通过四环素的光降解实验,证实PoPD/AgCl/g-C3N4具有显著增强的光催化活性。基于四次循环实验表明其降解率仅轻微下降,验证了PoPD/AgCl/CN的稳定性。此外,通过捕获实验和ESR自旋捕获技术确认?O2?和h+是主要活性物种。因此制备的PoPD/AgCl/CN可作为稳定光催化剂,其中PoPD既作为载流子又充当AgCl颗粒表面的光敏?;げ恪8醚芯课票改芨咝Т砘肪澄侍獾母呶榷ㄐ愿春瞎獯呋撂峁┝诵录际?。

    关键词: 氯化银,可见光照射,聚邻苯二胺,g-C3N4纳米片,光催化

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 具有分级结构的石墨相氮化碳负载Ag-Cu2O复合材料的制备及其光催化性能增强研究

    摘要: 一种新型三元光催化纳米复合材料Ag–Cu2O/C3N4通过简便的室温两步还原法成功合成,其中银纳米颗粒直接生长在C3N4纳米片负载的Cu2O表面。与对比材料(Cu2O、球形Ag–Cu2O和Cu2O/C3N4)相比,所得三元Ag–Cu2O/C3N4光催化剂对甲基橙(MO)降解表现出增强的光催化活性,在30分钟内实现高达95.7%的MO去除率。其增强的光催化活性可归因于以下因素:1)银纳米颗粒的表面等离子体共振效应拓宽了Cu2O的可见光响应;2)C3N4的引入不仅作为快速电子传输介质,还作为优良稳定剂防止Ag–Cu2O复合材料的团聚?;硌芯勘砻?,MO被分解为较小片段,且h+是参与光催化过程的主要活性物种。此外,该Ag–Cu2O/C3N4光催化剂对另外两种代表性偶氮染料——酸性橙II和刚果红也显示出高效光降解能力。本研究揭示了Ag–Cu2O/C3N4在偶氮染料降解中的潜力,并为设计基于Cu2O的三元光催化剂以进一步修复废水提供了指导。

    关键词: 废水修复,氧化亚铜,光催化,C3N4纳米片,碎片,机理

    更新于2025-09-09 09:28:46