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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 绝缘层对金属/绝缘层/n型AlGaN结构中电荷输运的影响

    摘要： 本研究通过参数化分析揭示了金属-绝缘体-半导体（MIS）结构对改善n-AlGaN层与电极金属间电子注入的促进作用。当在n-AlGaN层与电极金属表面之间插入绝缘体后，该薄绝缘体的能带弯曲特性会调控电极与n-AlGaN层之间的导带势垒高度，从而使电子能更高效地隧穿该薄绝缘体势垒。结果表明：若优化MIS结构设计，器件的电学特性将获得显著提升。研究同时探究了绝缘体的电子亲和能、相对介电常数及带隙对电子注入的影响，并发现电子注入过程对绝缘体的厚度和长度具有敏感性。本文还详细分析了相关电子输运机制与器件物理特性。

    关键词： 绝缘体、半导体、电学特性、电子输运、n型氮化铝镓

    更新于2025-09-23 03:52:30

  • 用于深紫外发光二极管的金属-绝缘体-半导体结构，以增强阴极区域的电子注入

    摘要： 在本研究中，我们提出在n型AlGaN层上采用金属-绝缘体-半导体（MIS）结构来降低接触电阻并提升基于AlGaN的深紫外发光二极管（DUV LED）的墙插效率（WPE）。阴极金属与n-AlGaN层之间的薄绝缘体可分担偏压，使n-AlGaN层表面耗尽程度降低，从而使MIS型阴极结构更有利于电子的带间隧穿效应。此外，采用MIS结构能使金属的电子亲和能与n-AlGaN层的导带能级对齐，从而避免电子通过热电子发射进行传输。得益于MIS型阴极，我们发现即使使用具有较大电子亲和能的金属，也能获得优异的电子传输性能。本研究还深入分析了绝缘体的相对介电常数、带隙、电子亲和能、长度及厚度对DUV LED电子传输和WPE的影响。结果表明，在MIS型阴极区域促进电子隧穿需要选用低介电常数的绝缘体。

    关键词： 绝缘体、深紫外发光二极管、欧姆接触、n型氮化铝镓、金属-绝缘体-半导体结构

    更新于2025-09-19 17:13:59