硅片中氧沉淀对全离子注入n型PERT太阳能电池电学特性的影响

摘要： 采用磁场直拉法硅锭顶部取出的n型硅片，制备了全离子注入n型PERT太阳能电池（发射极硼注入、背面场磷注入）。研究发现其电学参数离散性较大：11片电池中最佳效率达20.4%（正面转换效率），最差为19.0%。虽然硅片氧浓度较低（3-4×101?原子/cm3），但全离子注入n型PERT硅太阳能电池工艺导致硅片中氧沉淀密度达到10?/cm3量级。此外还发现电池正面转换效率与氧沉淀密度相关，并探讨了电池制备过程中氧沉淀的行为特征。