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脉冲频率对电沉积法制备InSb薄膜理化性质的影响
摘要： 本研究聚焦于脉冲频率对电沉积InSb薄膜结构、光学及电学性能的显著影响（该因素常被忽视）。通过调控电沉积过程中的脉冲频率，可获得具有较高电导率的化学计量比纳米晶光滑薄膜，或富含锑元素、近乎绝缘的超光滑薄膜。研究发现：通过降低脉冲频率实现双倍相干畴尺寸缩减时，薄膜电阻率会提升六倍；进一步延长脉冲导通时间可使材料电阻率增至约540 Ω·cm?；贔TIR和SPV测试证实，所得材料具有小带隙和p型导电特性。此外，采用10 ms脉冲导通时间制备的化学计量比超光滑InSb薄膜兼具高光伏电压幅值、较长充电时间常数与较高电导率，是光电设备的优质低成本候选材料。
关键词： 脉冲频率，电沉积，InSb，p型半导体
更新于2025-11-14 15:19:41
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具有p型金属氧化物半导体光阴极的光电化学水分解 尹正江[a] 和 李在成*[a]
摘要： 光电化学（PEC）水分解是生产清洁可持续氢燃料的一种有前景的方法。与n型金属氧化物半导体光阳极和p型光伏级非氧化物半导体光阴极相比，采用p型金属氧化物半导体光阴极进行太阳能制氢的研究尚未得到充分开展。铜基氧化物光阴极展现出较好的导电性，但在光照下的水溶液中稳定性欠佳；而铁基金属氧化物光阴极虽具有更稳定的PEC性能，却存在电荷分离与传输方面的问题。本篇微型综述文章概述了基于p型金属氧化物的PEC水还原光阴极的最新研究进展。尽管这些材料尚未充分发挥其潜在性能，但相关挑战已被明确识别，并提出了克服局限性的策略。该领域未来的研究除新材料探索外，还应着力解决这些问题与挑战。
关键词： 金属氧化物、p型半导体、光电化学电池、光阴极、太阳能水分解
更新于2025-09-23 15:22:29
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CuGaO?/ZnO六方片状复合材料的溶剂热合成及光催化性能
摘要： 作为p型半导体，铜铁矿结构CuGaO2因其高能端的直接跃迁被归类为宽禁带半导体。传统合成方法包括固相反应和溶胶-凝胶法，但二者均需高温条件，且溶胶-凝胶法还需氮气环境。本研究采用水热法合成了六方片状CuGaO2，并适用于制备CuGaO2/ZnO复合材料。结果表明，片状CuGaO2颗粒表面可与n型ZnO半导体构建复合材料。本文还报道了六方片状CuGaO2及CuGaO2/ZnO复合材料的光学带隙能量与光催化性能。
关键词： 光催化性能、p型半导体、水热合成法、光学带隙、六角片状复合物
更新于2025-09-23 15:22:29
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用于混合发光二极管的本征p型碘化亚铜半导体
摘要： 卤化亚铜具有直接宽禁带和与硅良好晶格匹配的特性，是一种本征p型I-VII族化合物半导体。它展现出卓越的光电性能，包括室温下较大的激子结合能和极小的压电系数。其应用的主要障碍在于难以生长出卤化亚铜单晶外延薄膜。我们首次通过分子束外延技术在硅和蓝宝石衬底上成功实现了高质量碘化亚铜（CuI）单晶外延生长。研究发现分子束外延生长的CuI薄膜具有比氮化镓高一个数量级的增强型光致发光效应，并实现了连续波光泵浦激光发射。通过能发射蓝光的n-AlGaN/p-CuI结证实了CuI的本征p型特性。这一发现为开发与硅技术和III族氮化物技术均兼容的高效光电器件提供了新途径。
关键词： 分子束外延、p型半导体、发光二极管、光电器件、碘化亚铜
更新于2025-09-19 17:13:59
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p型染料敏化太阳能电池中的阳离子效应
摘要： 染料敏化太阳能电池（DSSCs）的性能取决于半导体、发色团和电解质这三大基本组分的特性及其相互作用。对于电解质而言，虽然这些组分在n型TiO?器件中会产生显著影响——导致半导体平带电位、电荷转移动力学、光电流和开路电压（VOC）大幅偏移，但其在p型半导体体系中如何依赖旁观阳离子的种类与价态尚未得到充分研究。本研究通过改变p型NiO DSSCs中的旁观阳离子，证实采用两种常见氧化还原电对可使VOC提升逾50%。使用最优阳离子时，在光电流无明显衰减的前提下实现了高VOC值。Mott-Schottky分析与电化学阻抗谱表明：该阳离子能使NiO平带电位偏移近1V，并显著改变载流子寿命及半导体-电解质界面的电荷转移电阻。所采用的阴/阳离子氧化还原电对差异显示：它们分别与NiO表面的二价阳离子产生有利/不利相互作用，从而导致载流子复合速率常数升高/降低。这些结果揭示了半导体与电解质溶液间的复杂相互作用，并指出改变阳离子可立即提升大多数p型DSSC体系的器件性能指标。
关键词： 电解质，p型半导体，阳离子效应，氧化镍，金属氧化物，染料敏化太阳能电池
更新于2025-09-19 17:13:59