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p型锑掺杂氧化亚铜空穴注入层集成于透明ITO电极，用于无酸性PEDOT:PSS的量子点发光二极管
摘要： 研究开发出一种透明p型掺锑氧化亚铜（ACO）与掺锡氧化铟（ITO）复合薄膜作为量子点发光二极管（QD-LEDs）的空穴注入层（HIL）和阳极组合电极，用以替代基于酸性PEDOT:PSS HIL的电极。通过ACO与ITO靶材的梯度共溅射工艺，可在ITO电极表面区域集成梯度p型ACO缓冲层。经正霍尔系数（1.74×10?3）验证，该ACO薄膜的p型导电性使其能有效充当QD-LEDs的空穴注入层。由于p型ACO与ITO电极功函数匹配良好，无酸性PEDOT:PSS的QD-LEDs展现出典型的电流-电压-发光特性。这种采用p型ACO/ITO复合电极的无PEDOT:PSS QD-LED成功运行表明：ACO与ITO阳极的梯度溅射工艺具有更简单的制备步骤，既能降低QD-LEDs成本，又能消除酸性PEDOT:PSS层引发的界面反应，从而提升器件可靠性。
关键词： 掺锡氧化铟、酸性PEDOT:PSS、空穴注入层、p型导电性、掺锑氧化亚铜、量子点发光二极管
更新于2025-11-21 10:59:37
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缺氧对射频磁控溅射沉积的CuFeO2?x薄膜光学和电学性能的影响
摘要： 采用射频溅射沉积法，在室温下以9%至0%的低氧流量比于石英衬底上制备了Delafossite结构CuFeO2?x薄膜。沉积态薄膜呈非晶相，经900℃氮气氛围中退火2小时后结晶为三方3R（R3m）型Delafossite结构。SEM图像显示薄膜由纳米级晶粒组成，溅射气体中氧含量较高时可获得表面更光滑、氧含量更高的薄膜。通过研究200-1500 nm波长范围的光学透射谱发现：随着沉积过程中氧流量比降低，直接带隙呈现从3.09 eV至2.98 eV的收窄趋势。所有退火后CuFeO2?x薄膜均呈现p型导电性并与铜电极形成线性欧姆接触。当氧流量比从9%降至0%时，薄膜载流子浓度从2.8×1017 cm?3增至9.2×1019 cm?3，而迁移率则从9.74 cm2·V?1·s?1降至0.035 cm2·V?1·s?1。通过调控化合物组分可实现CuFeO2?x载流子浓度与迁移率的调节，为光电器件工程化提供了关键技术基础。
关键词： CuFeO2?x，p型导电性，光电性质
更新于2025-09-09 09:28:46
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β-Ga2O3中Zn-Mg二价离子掺杂剂的深能级受主导致p型导电性困难
摘要： β-Ga2O3凭借其宽禁带、高击穿场强和优异的Baliga优值，在下一代功率电子器件中展现出巨大应用潜力。由于自补偿效应，实现p型导电β-Ga2O3面临巨大挑战，而这对拓展其应用至关重要。虽然二价离子掺杂受主的深能级理论上可以解释p型Ga2O3的制备难题，但缺乏实验证据。本研究通过制备Zn和Zn-Mg共掺杂β-Ga2O3薄膜，探究了ZnGa和MgGa受主能级。XPS结果表明，当Zn和Mg取代三价Ga离子时均呈现二价态。仅通过改变沉积过程中Zn和Mg的掺入量即可调控掺杂浓度与带隙。光致发光分析推测ZnGa和MgGa能级分别位于0.79 eV和1.00 eV，这些深能级受主跃迁证实：采用Zn和Mg二价离子掺杂难以获得高导电性p型Ga2O3。
关键词： 受主能级、p型导电性、光致发光、Zn-Mg掺杂、β-Ga2O3
更新于2025-09-04 15:30:14
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立方砷化硼中杂质衍生的p型导电性
摘要： 立方砷化硼（c-BAs）在室温下展现出接近1300 W·m?1·K?1的超高热导率（j）。然而，c-BAs被认为含有高浓度的晶体缺陷，这些缺陷既会抑制j，又可能成为非故意p型导电性的来源。尽管这种行为被归因于本征缺陷，但我们通过光学和磁共振光谱结合第一性原理计算表明，硅和/或碳等非故意受主杂质更可能是导致观测到导电性的原因。这些结果还澄清了c-BAs的真实低温带隙比广泛报道的1.5 eV高出0.3 eV。对c-BAs晶体的低温光致发光测量揭示了与杂质相关的复合过程（包括施主-受主对复合），而电子顺磁共振实验则显示了类有效质量浅受主的证据。我们的杂化密度泛函计算表明，本征缺陷无法产生此类信号。相反，我们发现第IV族杂质容易掺入砷位点并充当浅受主。这类杂质可能主导c-BAs的电学性质，在优化热导率时必须考虑其对声子散射的影响。
关键词： 热导率、第一性原理计算、p型导电性、光致发光、杂质、立方砷化硼、电子顺磁共振
更新于2025-09-04 15:30:14