- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
超选择性光纤表面等离子体共振平台,用于检测合成脑脊液中的多巴胺,该平台结合了选择性渗透的Nafion膜和表面印迹的MWCNTs-PPy基质
摘要: 基于表面等离子体共振(SPR)的多巴胺传感器采用光纤基底上最先进的分子印迹技术实现。通过绿色合成法,聚吡咯(PPy)被证实是多巴胺印迹的有效聚合物。通过在聚吡咯中增强多巴胺的表面印迹作用于多壁碳纳米管(MWCNTs),探针灵敏度得到提升。为确保探针对多巴胺分子的优先透过性,在印迹位点覆盖阳离子交换聚合物——全氟磺酸膜(Nafion),以降低生理pH条件下抗坏血酸和尿酸等阴离子分析物的干扰。该探针在人工脑脊液中针对0至10^-5 M宽范围多巴胺浓度进行了表征,通过调节多种探针参数使传感器灵敏度最大化。该传感器检测限(LOD)达18.9 pM,为文献报道的最低值。该传感探针结合光纤载体与改进的检测限,使其在临床多巴胺检测的体内/体外应用中,具有稳定性、重复性、在线远程监测、快速响应及微型化等显著优势。
关键词: 表面等离子体、多巴胺、光纤、聚吡咯、全氟磺酸膜、分子印迹、传感器、多壁碳纳米管
更新于2025-10-22 19:40:53
-
基底对Ag?ZnSnSe?薄膜光电化学性能的影响
摘要: 本研究描述了通过热蒸发法在铝、铜、银等导电基底及普通玻璃上制备的Ag2ZnSnSe4(AZTSe)薄膜的光电化学(PEC)性能。X射线衍射(XRD)分析证实沉积薄膜为纯四方相AZTSe结构。扫描电子显微镜(SEM)图像显示球形富集颗粒呈多边形且均匀致密分布于基底表面,通过对比发现Ag/AZTSe薄膜的平均粒径大于其他两种薄膜。能谱分析(EDX)表明薄膜成分接近化学计量比。AZTSe薄膜的光学吸收系数约为104 cm-1,带隙范围为1.54 eV-2.15 eV。Mott-Schottky曲线显示所有薄膜均呈现n型导电性,J-V曲线证实所有薄膜均具有光活性。其中Ag/AZTSe薄膜显示出约0.32%的较高光电转换效率(PCE),但与工业成熟材料相比,仍需进一步研究优化导电层厚度以提高光电化学电池(PEC)的效率。
更新于2025-09-23 15:23:52
-
具有均匀长程有序结构的Au@Cu纳米阵列:合成与表面增强拉曼散射应用
摘要: 具有均匀长程有序结构的纳米结构对高质量表面增强拉曼散射(SERS)光谱的性能标准化至关重要。本文描述了金修饰铜(Au@Cu)纳米阵列的制备及其SERS特性。首先通过在绝缘基底上原位电化学组装合成了具有均匀长程有序结构的铜纳米阵列。该铜纳米阵列可实现厘米级尺寸并具有严格周期性的纳米微结构,有利于SERS基底的量产与性能标准化。随后通过无任何?;ぜ恋闹没环从υ谕擅渍罅猩闲奘谓鹉擅卓帕?。所得Au@Cu纳米阵列对4-巯基吡啶表现出优异的SERS活性,其检测灵敏度极限低至10^-8 M。因此,这种简便方法为基于纳米有序阵列的SERS基底制备提供了有效平台。
关键词: 金纳米颗粒、铜纳米阵列、表面修饰、表面增强拉曼散射(SERS)
更新于2025-09-23 15:23:52
-
表面改性与分散添加剂对BiFeO3/聚甲基丙烯酸甲酯复合薄膜介电及电学性能的影响
摘要: 表面改性对提高介电常数和降低介电损耗具有重要作用。本研究通过溶液浇铸法制备了填充2-氨基乙磺酸改性铁酸铋(BiFeO3;BFO)的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料。该复合材料的表面形貌使颗粒在聚合物基体中分散更均匀,并增强了改性BFO与PMMA基体间的界面相容性。实验结果表明:在100Hz频率下,该复合材料具有高介电常数(≈147)、交流电导率(1×10??)及较低损耗(<1)。当BFO颗粒含量低于30wt%时,复合材料中可清晰观察到渗流现象。此外,复合材料在改性BFO颗粒表面形成钝化层,这可能改善材料形貌并促进空间电荷、界面效应及介电性能的提升。本研究为储能应用提供了一种制备高性能介电复合材料的简便高效方法。
关键词: 介电性能、表面处理、形貌、聚甲基丙烯酸甲酯
更新于2025-09-23 15:23:52
-
In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/InP异质结构在正负失配体系中的表面-界面分析
摘要: InxGa1-xAs/InP体系中In含量的变化导致晶格常数改变,进而引发衬底InP与正失配之间的负失配现象。本研究采用多种表征技术,探究了正负失配体系中InxGa1-xAs/InP(100)的表面形貌与位错关系。相同失配条件下,负失配的表面形貌和质量效应均强于正失配。这是因为在负失配体系中,薄膜生长过程中界面无序度增加导致位错密度上升,同时衬底中的位错更易迁移至薄膜内,从而增大薄膜及其位错密度。此外还阐明了缓冲层的作用机制:缓冲层的引入首先抑制了衬底中的位错运动,其次降低了外延层与衬底间的失配度,从而减少失配位错。
关键词: 表面/界面,晶格失配,InxGa1-xAs/InP,残余应力,位错
更新于2025-09-23 15:23:52
-
结构富集溶胶-凝胶法制备的SnO2纳米粒子的磁相变
摘要: 采用溶胶-凝胶法合成了纯SnO2及异价取代多晶Sn0.98?xLa0.02ZnxO2(x=0.02、0.04和0.06)样品。X射线衍射(XRD)图谱的Rietveld精修证实所有合成样品均具有单一四方金红石型(P mnm 42/)晶体结构。XRD分析显示,当Sn0.98?xLa0.02ZnxO2体系中x值从0增至0.06时,晶粒尺寸从14 nm减小至11 nm。透射电子显微镜进一步揭示,随着体系中Zn2+浓度增加,平均晶粒尺寸从纯SnO2的7 nm降至5 nm。场发射扫描电子显微镜的形貌研究表明,Zn浓度升高会导致纳米颗粒团聚。室温光致发光(PL)测量显示,La和Zn共掺杂进入SnO2晶格后,300-450 nm范围内的峰强度发生变化。PL峰解卷积揭示了(La,Zn)共掺杂SnO2基质中存在缺陷/空位和局部无序。此外,通过振动样品磁强计研究了磁性能,观察到非磁性La3+和Zn2+离子改性的SnO2呈现室温铁磁性(RTFM)。(La,Zn)共掺杂SnO2中观察到的RTFM主要源于氧空位,该结论也得到PL结果的支持。
关键词: 里特维尔德精修,RTFM,二氧化锡纳米颗粒,缺陷态
更新于2025-09-23 15:23:52
-
四种不同取向蓝宝石单晶在冲击载荷与静载荷作用下的裂纹扩展机理研究
摘要: 由于具有优异的物理性能,蓝宝石应用广泛。作为典型的各向异性材料,其部件通常在包含静动态载荷的复杂条件下使用。研究不同载荷条件下裂纹扩展机制对蓝宝石的成功应用具有重要意义。本研究通过高频循环冲击试验装置,分别对蓝宝石A面、C面、M面和R面进行了冲击与静态载荷测试,获取了不同测试条件下作用于蓝宝石的力信号,并基于试样断口形貌分析了裂纹扩展情况。发现蓝宝石在冲击载荷下会快速开裂断裂后进入疲劳阶段;静态压痕测试中施加于蓝宝石的力随载荷线性增加而线性增长,但卸载过程该关系不再线性。晶体取向影响裂纹扩展,导致不同晶向蓝宝石断裂后表面形貌呈现差异特征,为此分别为A面、C面、M面和R面提出了四种不同的裂纹系统模型。此外通过白光干涉仪观测蓝宝石三维形貌发现:冲击载荷后仅在R面蓝宝石出现赫兹锥形裂纹,但A面、C面和M面蓝宝石是否产生锥形裂纹尚不确定。
关键词: 冲击载荷、静载荷、蓝宝石、晶体取向、裂纹扩展、裂纹系统
更新于2025-09-23 15:23:52
-
溶液燃烧法合成铁酸铋BiFeO?
摘要: 本工作采用溶液燃烧法合成了铁酸铋BiFeO3(BFO)。通过X射线衍射(XRD)及其Rietveld精修技术,证实其存在畸变的菱方钙钛矿结构(空间群-R3c)。利用Scherrer公式根据X射线衍射峰的半高宽估算了BFO晶粒的平均尺寸。采用扫描电子显微镜(SEM)确定了样品的形貌,通过能谱分析(EDS)测定了BFO的化学计量比。
关键词: BFO(铁酸铋)、X射线衍射(XRD)、燃烧合成法、多铁性材料
更新于2025-09-23 15:23:52
-
后合成修饰半导体纳米粒子的宿主敏化镧系光致发光取决于反应物特性
摘要: 本研究探究了硒化镉(CdSe)和硫化锌(ZnS)纳米粒子经三价镧系阳离子(Ln3+)[Ln = Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb]分别进行合成后处理形成CdSe/Ln或ZnS/Ln纳米粒子时的光致发光特性。研究发现,仅CdSe/Eu、CdSe/Tb、ZnS/Eu、ZnS/Tb和ZnS/Yb纳米粒子存在基质敏化的Ln3+发射。所有情况下均观察到纳米粒子发射的调控,无论是否存在基质敏化。合成后处理后的CdSe和ZnS纳米粒子的元素组成显示出显著差异。从能量色散X射线光谱评估可见,镧系元素掺入纳米粒子并导致阴离子含量显著改变,但未检测到Cd2+或Zn2+被Ln3+完全置换。进一步评估来自考虑阳离子间相互作用的热力学参数。在观察到基质敏化Ln3+发射的情况下,发光寿命测量显示纳米粒子中Ln3+受到显著?;ぁM籐n3+在两种基质中表现出显著的光物理性质差异。通过以下机制对光物理现象进行解释:(i) 电荷捕获介导的基质敏化掺杂剂发射;(ii) 激发电子的自电离;(iii) 环境诱导的光致发光猝灭。本文讨论的合成后修饰提供了一种简便且合成要求较低的室温方案,可获得具有镧系阳离子独特发射特性的镧系掺杂半导体纳米粒子。
关键词: 半导体纳米粒子,主体敏化,三价镧系元素,光致发光,合成后修饰
更新于2025-09-23 15:23:52
-
热蒸发法制备的CdS薄膜的结构与温度依赖光学特性
摘要: 本研究考察了热蒸发法制备的CdS薄膜的结构与温度依赖光学特性。通过X射线衍射、能量色散光谱和拉曼光谱实验对薄膜进行表征,获取其晶体结构、原子组成、表面形貌及振动模式等信息。在10-300K温度范围和400-1050nm光谱区间进行了变温透射测量,采用吸收系数法和导数分光光度法两种方法分析透射光谱?;诓煌治黾际跛酶魑露认碌慕矶戎稻哂辛己靡恢滦裕菏椅孪挛障凳ú獾迷?.39eV,导数分光光度法测得约2.40eV。研究结合两种模型探讨了样品温度相关的禁带宽度变化规律,由此计算平均声子能量、电子-声子耦合参数及禁带宽度随温度的变化率。
关键词: 薄膜,硫化镉,光学性质
更新于2025-09-23 15:23:52