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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
研究主题
  • 发光二极管
  • 钙钛矿太阳能电池
  • 光致发光
  • 缺陷
  • 3C-SiC
  • 扫描透射电子显微镜
  • 离子注入
  • 硼掺杂
  • 发光
  • 玻璃陶瓷
应用领域
  • 光电信息材料与器件
  • 材料科学与工程
  • 纳米材料与技术
  • 光电信息科学与工程
机构单位
  • University of Toledo
  • Shandong University
  • Florida State University
  • Shenzhen University
  • Jilin University
  • SINTEF Materials and Chemistry
  • University of Oslo
  • Link?ping University
  • Hangzhou Dianzi University
  • National Defense Academy
18 条数据
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  • 在水溶液表面快速生长薄MAPbI?晶体晶圆以实现高效横向结构钙钛矿太阳能电池

    摘要： 在水溶液表面快速生长薄MAPbI3晶体晶片以实现高效横向结构钙钛矿太阳能电池

    关键词： 水溶液，横向结构，钙钛矿太阳能电池，晶体晶圆，快速生长

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • 基于锑烯的表面等离子体共振传感器对miRNA的超灵敏检测

    摘要： 微小RNA在癌症中呈现差异性表达水平，可影响细胞转化、致癌及转移过程。尽管基于染料分子标记的荧光技术已有研究，但实现miRNA的无标记分子级定量检测极具挑战性。我们开发了一种基于二维纳米材料锑烯的表面等离子体共振传感器，用于特异性无标记检测miRNA-21和miRNA-155等临床相关生物标志物。第一性原理能量计算表明，由于锑烯具有更离域化的5s/5p轨道（相比既往DNA分子传感中使用的石墨烯），其与单链DNA的相互作用显著更强。该传感器检测限可达10 aM，比现有miRNA传感器灵敏度高2.3至1万倍。这种前所未有的奇异传感材料与SPR架构的结合，为解锁miRNA和DNA的超灵敏检测提供了新途径，对癌症早期诊断、分期及监测具有重要应用前景。

    关键词： 表面等离子体共振、生物传感器、锑烯、癌症诊断、miRNA检测

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 升华生长3C-SiC中重硼掺杂效应的光学与微观结构研究

    摘要： 本研究采用互补的微观结构与光学分析方法，确定了有利于形成深硼相关受主中心的工艺条件，这些中心可能为高硼掺杂3C-SiC实现中间带行为提供途径。通过扫描透射电镜研究了升华生长3C-SiC晶体（硼离子注入浓度1-3原子百分比）的结晶度、硼溶解度及沉淀机制。揭示了1100-2000摄氏度热处理过程中缺陷形成与硼沉淀的趋势，并与成像光致发光光谱提供的光学表征结果进行交叉关联。我们从浅能级受主和由硼原子与碳空位形成的D中心（深能级复合体）两个角度，讨论了注入硼离子的光学活性，并将退火过程中观察到的光谱变化与D中心形成效率的强温度依赖性相关联——这种依赖性会因注入诱导缺陷的存在而进一步增强。

    关键词： 光致发光、缺陷、3C-SiC、扫描透射电子显微镜、离子注入、硼掺杂

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 通过低温合成法螯合二苯铵卤化物配体的CsPbBr3纳米晶体的形貌与光电性能研究

    摘要： 本研究采用低温法合成全无机溴化铯铅CsPbBr3纳米晶（NCs）作为发光器件的活性层。为改善CsPbBr3 NCs的成膜性和光电性能，在油胺用量基础上按比例添加了0至0.15摩尔分数的表面配体溴化二苯铵（DPABr）。实验结果表明，引入0.1摩尔分数DPABr的CsPbBr3 NCs性能最佳。SEM和AFM结果显示，通过引入DPABr形成了表面粗糙度仅4.6 nm的光滑无针孔CsPbBr3 NCs薄膜。引入的溴离子可钝化CsPbBr3 NCs表面空位，使其光致发光量子产率（PLQY）从原始的38%提升至72%。此外，短链且富π电子的苯基有助于增强载流子向纳米晶核的注入，避免长烷基链的油酸和油胺阻碍载流子传输，从而提高了CsPbBr3 NCs的电导率?；?.1摩尔分数DPABr的优化器件最大亮度和电流效率较原始器件分别提升了2.3倍和3.3倍。

    关键词： 钙钛矿纳米晶体、低温法、光致发光量子产率、表面钝化、二苯胺溴盐

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 气相沉积全无机CsPbBr3薄膜及C8-BTBT界面修饰实现高性能光电探测器

    摘要： 所有无机钙钛矿材料（如CsPbBr3）日益受到关注，被视为光电器件的理想候选材料。本研究采用共蒸发法制备了CsPbBr3薄膜。初始沉积态及低温（低于300°C）退火处理的薄膜呈现CsPbBr3与CsPb2Br5的混合相结构。在空气中经400°C退火后，CsPbBr3相占据主导地位，具有优异的晶体结构和较少缺陷。随后通过逐层沉积2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩（C8-BTBT），利用X射线光电子能谱（XPS）和紫外光电子能谱（UPS）研究了界面电子结构。随着C8-BTBT沉积，在界面能级排列作用下观察到CsPbBr3表面产生p型掺杂效应，同时检测到界面发生化学反应并可能形成微量亚硫酸铅。我们制备并研究了含/不含C8-BTBT修饰层的CsPbBr3基光电探测器，发现附加C8-BTBT层的器件光电流较未修饰器件提升约两个数量级，响应度和响应时间也得到改善。这些光电性能的提升归因于C8-BTBT对界面能级的调控作用。该研究凸显了C8-BTBT作为无机钙钛矿光电器件修饰层的应用潜力。

    关键词： CsPbBr3薄膜、C8-BTBT、界面电子结构、真空蒸发、光电性质

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过铜活化工程最大化碲化镉太阳能电池性能

    摘要： 铜（Cu）的掺入是制备高效碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池的关键工艺之一。然而，由于铜在CdTe中具有高迁移率，必须精细调控其分布与浓度，以减少CdTe体相中的补偿型间隙施主缺陷及缓冲层/CdTe界面的复合中心，从而最大化器件性能。本研究采用氯化亚铜（CuCl）溶液处理结合快速热退火（RTA）工艺来控制CdTe吸收层中铜的浓度与分布，在无需硒掺杂的情况下实现了光电转换效率达17.5%的顶尖CdTe薄膜太阳能电池。结果表明：使用CuCl溶液可显著降低CdTe所需的铜含量，而RTA工艺是调控CdTe太阳能电池中铜分布的有效方法。

    关键词： 功率转换效率、快速热退火、氯化亚铜、碲化镉太阳能电池、铜活化

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 控制纳米金刚石中氮空位中心的荧光特性

    摘要： 控制纳米金刚石中氮空位中心的荧光特性是其应用于医学和传感器领域的重要因素。然而，目前深入解析这些特性潜在影响因素的研究报道较少，且仅聚焦于少数几个因素。本研究针对该问题，系统考察了电子辐照注量与表面终止条件对纳米金刚石中NV色心荧光特性的影响规律。结果表明：缺陷中心相互作用（特别是不同氮缺陷与辐射诱导晶格缺陷）以及表面官能团等工艺参数，对NV色心的荧光强度、荧光寿命及电荷态比例具有显著调控作用。通过时间相关单光子计数技术，我们建立了快速宏观监测纳米金刚石样品荧光特性的方法。研究发现，通过调控辐射处理工艺、退火处理及表面终止方式，可实现NV色心荧光特性的定向调控甚至精确调谐。

    关键词： 荧光寿命、电荷态比、纳米金刚石、表面终止、氮空位中心、荧光特性、电子辐照

    更新于2025-09-22 13:52:01

  • 采用Cl?和Ar气体化学体系的AlGaN原子层刻蚀及紫外损伤评估

    摘要： 采用Cl?等离子体作为改性步骤、Ar等离子体作为去除步骤的原子层刻蚀（ALE）技术对AlGaN的刻蚀特性进行了研究，并与传统反应离子刻蚀（RIE）进行了对比。虽然RIE工艺中观察到表面粗糙化和GaN组分变化，但ALE工艺未出现此类现象。然而通过AlGaN/GaN堆叠薄膜的阴极荧光评估发现，ALE工艺对AlGaN层的刻蚀损伤比RIE高30%，这归因于ALE比RIE更长的工艺时间。AlGaN层下方的GaN层也受到损伤，这主要是由Cl?等离子体改性步骤中的紫外光子导致。研究人员采用Cl?气体替代Cl?等离子体进行改性步骤，在保持良好表面特性的同时成功降低了刻蚀损伤。

    更新于2025-09-22 16:48:39

  • 基于聚合物复合体系的高质量胆甾相液晶激光器调谐

    摘要： 基于聚合物复合体系的胆甾相液晶（ChLC）激光器实现了电调谐功能。由于液晶单体与液晶的混溶性，二者混合物中的光聚合反应几乎不会引发相分离，从而形成微观均匀混合的凝胶状聚合物-液晶复合结构。该复合体系中，随着聚合物组分比例增加，光散射效应减弱；当聚合物与液晶以等比例复合时，在选择性反射带的电调制过程中展现出高透明度，进而实现了胆甾相液晶激光器激光波长的优质调谐。调谐过程中，该激光器保持高于19%的高斜率效率、低于3纳焦/脉冲的低阈值以及小于0.13纳米的窄光谱线宽，同时激光波长变化完全连续且可达13纳米范围。

    关键词： 选择性反射带、激光、聚合物复合材料、胆甾相液晶、电调谐

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 硅衬底上生长的绿色InGaN基LED中电致发光峰能的波形温度依赖特性

    摘要： 本研究旨在探究基于硅衬底的多量子阱（MQW）绿色InGaN/GaN发光二极管（LED）电致发光（EL）光谱在不同注入电流（IC，范围0.001-350 mA）和温度（6-350 K）条件下的温度依赖特性。结果表明：随着注入电流增大，EL峰能值的温度变化特征逐渐从近似V型温度依赖演变为波状（三阶蓝移）依赖，最终呈现近似倒V型温度依赖。该现象反映出InGaN相关发射过程显著受载流子复合动力学随温度或电流升高的影响，这归因于多量子阱有源区存在三个不同平均铟含量区的强载流子局域化效应。此外，在低注入电流下降温时，外量子效率（EQE）值的温度行为主要受非辐射复合中心失活支配——该现象不仅出现在高温区间，在低温区也因铟含量诱导的结构缺陷而存在（通过积分EL强度及EQE随注入电流变化测量得到验证）。

    关键词： 电致发光，InGaN/GaN，载流子局域化，发光二极管，温度依赖性

    更新于2025-09-19 17:13:59