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- 基于GaSb的超辐射发光二极管
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- 眼形氧化孔径
- Optoelectronic Information Science and Engineering
- Tampere University
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具有眼形氧化孔径的偏振控制单横模垂直腔面发射激光器
摘要： 我们展示了一种具有眼形氧化孔径的单横模单偏振垂直腔面发射激光器（VCSEL），该孔径通过增强型各向异性氧化氧化层获得。对于孔径尺寸为2×4.6和3×6平方微米的VCSEL，其正交偏振抑制比（OPSR）分别为22分贝和19分贝。当输出功率为0.5毫瓦时，孔径尺寸为2×4.6平方微米的VCSEL还实现了超过25分贝的单模抑制比（SMSR）。我们认为，这种实现VCSEL模式与偏振控制的方法在未来应用中具有巨大潜力。?2018日本应用物理学会
关键词： 各向异性氧化、单横模、垂直腔面发射激光器、单偏振、眼形氧化孔径
更新于2025-11-28 14:24:03
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[2019年IEEE欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019.6.23-2019.6.27）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 2-3微米波长范围GaSb基超辐射发光二极管功率提升的设计策略
摘要： 发射波长在2-3微米范围内的中红外半导体光源，在分子光谱学、痕量气体检测、医疗诊断和人眼安全激光雷达等日益增多的应用领域具有重要价值。例如，利用该波长范围内气体的分子指纹特征，可显著提升温室气体（乙炔、二氧化碳、一氧化碳和一氧化二氮）的监测灵敏度[1]。然而要实现更广泛的应用，成本、能效、便携性和可重复性等关键因素同样至关重要。为此，中红外硅光子技术虽已发展成为成熟平台，但目前仍依赖扩展腔可调谐激光器方案[2]。我们另辟蹊径，提出采用高功率、宽光谱带脊形波导（RWG）锑化镓基超辐射发光二极管（SLD）——其单横模特性可实现与硅光子波导的高效耦合，并支持开发光谱可编程宽带光源[3]。虽然2-3微米锑化镓基激光二极管已展现良好性能，但SLD器件发展进展缓慢，这既源于锑化镓材料体系作为光电子平台的应用局限性，也与俄歇复合增强等物理特性相关。近期锑化镓增益芯片在室温（RT）下的性能突破包括：1.9微米连续波（CW）输出功率达60毫瓦[4]，2.25微米和2.38微米分别实现10毫瓦和5毫瓦[5]；脉冲工作模式下2.55微米平均功率达3.2毫瓦[6]。本文报道采用图1所示腔抑制（CS）元件的新型单/双程SLED设计方案对比研究。有源区由压应变GaInSb/AlGaAsSb双量子阱构成[4]，器件在室温连续波条件下运行。双程方案输出功率高达120毫瓦，较先前单程方案提升100%，该高功率源于双程光放大效应与更优的材料质量。腔抑制元件支持大电流注入，单/双程SLD分别获得半高全宽70纳米和40纳米的宽光谱。综上，我们实现了迄今最高功率的锑化镓基SLD，在单横模工作状态下输出功率达120毫瓦，光谱带宽40纳米。
关键词： 腔抑制、单横模、中红外、功率扩展、基于GaSb的超辐射发光二极管
更新于2025-09-12 10:27:22