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在工业自动化和精密测量领域，激光位移传感器已成为不可或缺的电工工具。无论是检测生产线上的微小偏差，还是监控配电系统中设备的振动幅度，其高精度和非接触式测量的优势显著提升了效率与安全性。然而，面对市场上琳琅满目的型号（如基于激光二极管或光纤元件的产品），许多工程师在选型和应用中仍存在困惑。本文将深入解析激光位移传感器的工作原理、核心参数及典型场景，助您全面掌握
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概述
ES-CASR512 AlGaInP ITO-top LED Chip是一款高亮度LED芯片，适用于户外显示和交通信号等多种应用。
参数
- 光强度 / Luminous Intensity Iv E5 : 60 mcd
- 光强度 / Luminous Intensity Iv E6 : 75 mcd
- 光强度 / Luminous Intensity Iv E7 : 90 mcd
- 光强度 / Luminous Intensity Iv E8 : 110 mcd
- 最大正向直流电流 / Max Forward DC Current : ≤50 mA
- 最大反向电压 / Max Reverse Voltage : ≤10 V
应用
1. 户外显示 2. 交通信号
特征
1. 高亮度 2. ITO层设计 3. 适应恶劣环境
图片集
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厂家介绍
1996年，在固态照明成为今天无处不在的商品和备受期待的光源的几十年前，一些有远见的人创立了EpiStar，开创了LED时代。先进手的知识和洞察力使EpiStar在外延方面取得了高端的生产和工程创新。凭借积累的专业知识和不断扩大的产能，EpiStar如今已成为全球首屈一指的供应商。EpiStar已经与世界各地一些较知名的品牌合作，在手机屏幕、笔记本电脑、电视等领域推广LED应用。EpiStar正在将有益的固态照明带入日常生活。EpiStar始终重视与客户的关系，因为我们相信，在紧密交织的LED行业中，与客户密切合作对于生产较高质量的较终产品至关重要。这就是为什么EpiStar开发了一种独特的“共同激活服务模式”，与客户合作，共同设计芯片和生产流程，同时完善质量控制。通过这种紧密的合作伙伴关系，EpiStar能够满足下游企业和消费者的不同需求，并在本质上满足每一个EpiStar合作伙伴的客户。
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片厂家：Epistar
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概述：ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN系列LED芯片，具有高亮度和高驱动电流能力，广泛应用于户外显示、交通信号和汽车等领域。
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ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 光谱半宽: 18 nm 发光强度H12: 7500 mcd
ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN系列LED芯片，具有高发光强度，适用于交通信号、汽车和照明等多个应用。
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ES-SMSOPN42B AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
ES-SMSOPN42B AlGaInP PN系列LED芯片具有高亮度和优异的电光特性，广泛应用于交通信号、汽车和照明等领域。
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ES-SMSOPN20R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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ES-SMYLPN14R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
厚度: 8.8 mil (225±25 μm) N电极尺寸: 4.5 mil (115±10 μm) 正向电压Vf1: 1.3 V
ES-SMYLPN14R AlGaInP PN系列LED芯片具有高光强度，适用于户外显示和交通信号等应用。
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