在工业自动化和精密测量领域，激光位移传感器已成为不可或缺的电工工具。无论是检测生产线上的微小偏差，还是监控配电系统中设备的振动幅度，其高精度和非接触式测量的优势显著提升了效率与安全性。然而，面对市场上琳琅满目的型号（如基于激光二极管或光纤元件的产品），许多工程师在选型和应用中仍存在困惑。本文将深入解析激光位移传感器的工作原理、核心参数及典型场景，助您全面掌握
全部产品分类
E4980 A/E4980 AL精密LCR表
分类： 半导体激光器
产地： 美国
型号： E4980A/E4980AL Precision LCR Meter
更新时间： 2025-10-27T08:39:12.000Z
产品价格：
立即查看报价
标签：
高精度 测试设备 宽频率范围 电子元件测试 LCR表 直流偏置
简介：
E4980A/E4980AL精密LCR表是一款高精度的电感、电容和电阻测量仪器，支持宽频率范围和多种测量模式，适用于各种电子元件的测试。
下载规格书
立即咨询
获取报价
收藏
顶刊高频之选
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
严格把控产品质量，呈现理想的光电产品，确保每一件产品都能满足您的专业需求。
概述
E4980A/E4980AL精密LCR表是一款高精度的电感、电容和电阻测量仪器，支持宽频率范围和多种测量模式，适用于各种电子元件的测试。
参数
- 频率范围 / Frequency Range : 20Hz-2MHz (E4980A), 20Hz-300kHz (E4980AL-032), 20Hz-500kHz (E4980AL-052), 20Hz-1MHz (E4980AL-102)
- 测试信号电压范围 / Test Signal Voltage Range : 0Vrms-20Vrms (≤1MHz), 0Vrms-15Vrms (>1MHz)
- 测试信号电流范围 / Test Signal Current Range : 0Arms-100mArms
- 测试信号电压监控精度 / Test Signal Voltage Monitor Accuracy : ±(3% of reading value + 0.5mVrms) (≤1MHz), ±(6% of reading value + 1mVrms) (>1MHz)
- 测试信号电流监控精度 / Test Signal Current Monitor Accuracy : ±(3% of reading value + 5μArms) (≤1MHz), ±(6% of reading value + 10μArms) (>1MHz)
- 直流偏置信号电压范围 / DC Bias Signal Voltage Range : -40V to 40V
- 直流偏置信号电流范围 / DC Bias Signal Current Range : -100mA to 100mA
- 输入阻抗 / Input Impedance : 0Ω, 20Ω, 100Ω, 300Ω, 1kΩ, 3kΩ, 10kΩ, 30kΩ, 100kΩ
- 额定电压 / Rated Voltage : 100-240VAC
- 电压范围 / Voltage Range : 90-264VAC
- 功率源额定频率 / Rated Frequency : 50/60Hz
- 频率范围 / Frequency Range : 47-63Hz
- 功耗 / Power Consumption : Max. 150VA
- 工作环境温度 / Operating Environment Temperature : 0°C-55°C
- 工作环境湿度 / Operating Environment Humidity : 15%-85%RH
- 操作环境海拔 / Operating Environment Altitude : 0m-2000m
- 存储环境温度 / Storage Environment Temperature : -20°C-70°C
- 存储环境湿度 / Storage Environment Humidity : 0%-90%RH
- 存储环境海拔 / Storage Environment Altitude : 0m-4572m
- 尺寸 / Dimensions : 375mm(width) x 105mm(height) x 390mm(depth)
- 重量 / Weight : 5.3kg
- 显示器 / Display : LCD, 320x240 pixels, RGB color
- 测量时间模式 / Measurement Time Modes : Short
- 测量时间模式 / Measurement Time Modes : Medium
- 测量时间模式 / Measurement Time Modes : Long
- 测量时间 / Measurement Time : E4980A: 20Hz-2MHz: 330ms-220ms (Short), 380ms-220ms (Medium), 480ms-220ms (Long); E4980AL: 20Hz-1MHz: 579ms-343ms (Short), 650ms-343ms (Medium), 729ms-343ms (Long)
- 测量参数 / Measurement Parameters : Cp-D, Cp-Q, Cp-G, Cp-Rp, Cs-D, Cs-Q, Cs-Rs, Lp-D, Lp-Q, Lp-G, Lp-Rp, Lp-Rdc, Ls-D, Ls-Q, Ls-Rs, Ls-Rdc, R-X, Z-θd, Z-θr, G-B, Y-θd, Y-θr, Vdc-Idc
- 补偿功能 / Compensation Functions : Open Compensation
- 补偿功能 / Compensation Functions : Short Compensation
- 补偿功能 / Compensation Functions : Load Compensation
- 接口选项 / Interface Options : GPIB
- 接口选项 / Interface Options : USB
- 接口选项 / Interface Options : LAN
- 接口选项 / Interface Options : USBTMC
- 接口选项 / Interface Options : LXI Compliance
- 频率分辨率 / Frequency Resolution : 0.01Hz (20Hz-99.99Hz), 0.1Hz (100Hz-999.9Hz), 1Hz (1kHz-9.999kHz), 10Hz (10kHz-99.99kHz), 100Hz (100kHz-999.9kHz), 1kHz (1MHz-2MHz)
- 测量显示范围 / Measurement Display Range : Cs, Cp: ±1.000000aF to 999.9999EF; Ls, Lp: ±1.000000aH to 999.9999EH; D: ±0.00001 to 9.999999; Q: ±0.01 to 99999.99; R, Rs, Rp, X, Z, Rdc: ±1.000000Ω to 999.9999EΩ; G, B, Y: ±1.000000S to 999.9999ES; Vdc: ±1.000000V to 999.9999EV; Idc: ±1.000000A to 999.9999EA; θr: ±1.000000rad to 3.141593rad; θd: ±0.0001deg to 180.0000deg; Δ%: ±0.0001% to 99.9999%
应用
1. 电子元件测试 2. 电感、电容和电阻测量 3. 研发和质量控制
特征
1. 支持宽频率范围 2. 高精度测量 3. 多种测量模式 4. 直流偏置功能
图片集
规格书
下载规格书
AI 智能分析
SCI论文引用分析
该产品已被174篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
-
采用时间调制PECVD法生长的GaP层硅掺杂
我们通过附加硅烷流的时间调制等离子体增强化学气相沉积法，研究了n型硅片上生长的磷化镓层掺杂情况。对GaP/Si异质结构采用经典电容-电压法和电化学电容-电压法进行测试，结果显示磷化镓层具有高电子浓度且浓度分布曲线相似。此外，辉光放电光学发射光谱分析表明磷化镓中存在高硅含量，这应是检测到强n型掺杂的原因。
查看全文 > -
无铅弛豫铁电薄膜中相变诱导的巨大负电热效应
无铅 储能 电卡效应 相变 薄膜 弛豫铁电体
具有显著正或负电卡（EC）效应的铁电/反铁电薄膜/厚膜，在设计商用制冷装置方面极具应用价值。本研究采用溶胶-凝胶法，在Pt(111)/TiOx/SiO2/Si衬底上制备了0.5(Ba0.8Ca0.2)TiO3–0.5Bi(Mg0.5Ti0.5)O3（BCT–BMT）无铅弛豫铁电薄膜，其展现出与迄今报道最佳正电卡效应相当的巨大负电卡效应（最大ΔT≈-42.5 K，ΔS≈-29.3 J K?1 kg?1）。沿面外[111]方向发生的电场诱导结构相变（纳米尺度四方/正交相向菱方相转变）是产生该巨大负电卡效应的关键机制。这一突破性成果通过巧妙利用并协同巨大正负电卡效应，为下一代高单循环制冷效率的实用化制冷器件铺平了道路。此外，该薄膜在室温下还实现了51.7 J cm?3的高能量密度与1.15×1010 W kg?1的高功率密度，表明其也是极具吸引力的储能多功能材料。
查看全文 > -
具有卓越性能与耐用性的光可充电有机-无机染料集成聚合物电池
存储 聚偏氟乙烯 介电 自充电 十二烷基硫酸钠
在本研究中，我们提出了一种简单独特的方法来设计一种轻量、低成本且具有显著光电荷生成与存储能力的自充电电源单元——自充电光电电源单元（SCPPC）。首先，通过简单的溶液浇铸工艺合成了高度电活性的十二烷基硫酸钠（SDS）掺杂聚偏氟乙烯（PVDF）复合薄膜，其介电常数高达约525。随后，将制备的高介电SDS/PVDF薄膜作为电荷存储介质，与无机-有机染料薄膜（即ZnO纳米颗粒-曙红Y-聚乙烯吡咯烷酮薄膜）结合作为光电子发生器，构建了我们的SCPPC。在约110 mW/cm2强度的照明光下充电后，SCPPC获得了约1.2 V的开路电压，随后以约4.5 mA/cm2的恒定电流密度完全放电。测得比面积电容约为450 F/m2，同时具有约90 mWh/m2的大能量密度和54 W/m2的功率密度。整体效率提升至约3.78%，加上89%的存储效率，使这种可充电光电电源单元展现出广阔的应用前景。该光电电源单元的可循环性（即可再充电性和存储耐久性）也经过35天测试，期间电压生成和存储均未出现下降。此外，该光电电源单元还成功驱动了多色发光二极管作为电源。
查看全文 >
实验方案推荐
AI分析生成
-
光电信息材料与器件实验方案
1. 实验设计与方法选择：本研究采用时间调制等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在380°C下于n型硅片上生长GaP层，并通过额外硅烷流量实现n型掺杂。表征方法包括经典电容-电压（C-V）测量、电化学C-V（ECV）剖面分析及辉光放电光谱（GDOES），用于分析掺杂分布和硅含量。 2. 样本选择与数据来源：在磷掺杂n型（100）硅片（2-7 Ω·cm）上生长50-75纳米厚的薄GaP薄膜。数据通过指定测量技术从制备的异质结构中获取。 3. 实验设备与材料清单：设备：牛津PlasmaLab System 100 PECVD系统（13.56 MHz）、BOC Edwards Auto500金蒸发仪、安捷伦E4980A RLC表（C-V测量）、ECVPro剖面仪（Nanometrics）、GDOES设备（HORIBA Scientific）。材料：磷化氢（PH3）、三甲基镓（TMG）、氢气（H2）、硅烷（SiH4）、n型氢化非晶硅、金、银、0.2M氢氧化钠电解液、等离子体用氩气。 4. 实验流程与操作步骤：通过交替PH3与TMG流量、连续H2等离子体及硅烷步骤的时间调制PECVD生长GaP层。C-V测量时，在GaP上蒸镀金形成肖特基势垒，硅上通过PECVD沉积的n型非晶硅与银退火形成欧姆接触。C-V特性在1 MHz下测量。ECV剖面使用0.2M NaOH电解液，蚀刻电流0.5 mA/cm2，步长1纳米。GDOES包含氩气射频等离子体溅射与光学发射分析。 5. 数据分析方法：C-V数据用于估算自由载流子浓度分布（NCV-W）。ECV数据提供深度相关的浓度分布。GDOES光谱分析Ga、P和Si的原子含量分布。
获取完整方案 -
材料科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择：通过固态反应（缓慢冷却工艺）制备了xMoO3–(1-x)(0.5SeO2–0.5ZnO)成分的玻璃纳米复合材料样品（x=0.05、0.1、0.2、0.3）。采用XRD、FTIR和紫外-可见光谱进行结构表征，通过直流与交流测量分析电导率。 2. 样品选择与数据来源：样品由试剂级化学原料MoO3、SeO2和ZnO制备，收集了XRD图谱、FTIR光谱、紫外-可见吸收光谱及电学测量数据。 3. 实验设备与材料清单：Rigaku TTRAX-III X射线衍射仪、岛津FTIR-8400S光谱仪、珀金埃尔默Lamda-750分光光度计、安捷伦E4980A LCR表、玛瑙研钵、氧化铝坩埚、高温电炉、压片机、超声波探头式均质机（高木SK-500F）、精密天平、丙酮、溴化钾、乙醇、银浆。 4. 实验流程与操作步骤：称量混合氧化物、炉内烧结/熔融、缓慢冷却、研磨成粉、压片成型、结构与光学表征、阿基米德原理测密度、LCR表电学测量。 5. 数据分析方法：采用谢乐公式计算晶粒尺寸，Tauc作图法求光学带隙，Urbach规则分析带尾能，Almond-West形式与Jonscher幂律处理交流电导率，阿伦尼乌斯图求活化能，Mott与Greaves模型分析态密度，改进CBH模型解释交流电导机制。
获取完整方案 -
材料物理实验方案
1. 实验设计与方法选择：本研究结合基于原子力显微镜（AFM）的准静态与动态电致应变测量技术、平行板电容器原位微X射线衍射（micro-XRD）、单晶X射线晶体学及密度泛函理论（DFT）计算，定量测定压电与电致伸缩系数并阐明原子尺度起源。 2. 样本选择与数据来源：样本包含半结晶聚偏氟乙烯-三氟乙烯（PVDF-TrFE）共聚物薄膜、单晶CuInP2S6（CIPS）薄片及外延生长Pb(Zr0.4Ti0.6)O3（PZT）薄膜。CIPS晶体通过化学气相传输法合成，PVDF-TrFE薄膜采用旋涂法制备，PZT薄膜通过脉冲激光沉积法制得。 3. 实验设备与材料清单：设备包括AFM（Asylum Research MFP-3D）、铁电测试仪（Radiant Technologies）、阻抗LCR表（E4980A，安捷伦）、配备二维探测器的X射线衍射仪（D8 Discover m-HR，布鲁克AXS）、单晶XRD系统（布鲁克SMART APEX-II）及DFT计算工具。材料包含PVDF-TrFE、CIPS、PZT、电极（金/钛、铂、锶钌氧化物）及衬底（硅、钛酸锶）。 4. 实验流程与操作步骤：制备顶部电极的平行板电容器；采用AFM接触模式测量极化-电?。≒-E）迟滞回线与应变-电?。⊿-E）回线；通过交流电压与锁相放大器进行动态压电测量；电场作用下的原位微XRD；极化前后的单晶XRD；针对晶格与电子结构的DFT计算。 5. 数据分析方法：通过迟滞回线分析推导压电系数；采用唯象方程拟合电致伸缩系数；基于XRD数据进行晶体结构精修；DFT模拟能量、极化及压电系数。
获取完整方案
获取完整实验方案
我们还有171 个针对不同应用场景的完整实验方案，包括详细设备清单、连接示意图和数据处理方法。
联系获取完整方案
厂家介绍
是德科技公司（NYSE：KEYS）是全球领先的电子测量公司，通过无线、模块化和软件解决方案的创新改变当今的测量体验。凭借惠普和安捷伦的传统，是德科技凭借世界一流的平台、软件和一致的测量科学，为无线通信、航空航天、国防和半导体市场提供解决方案。该公司拥有9，500多名员工，为100多个国家的客户提供服务。
智推产品
动态资讯
-
光谱仪的作用和功能
2025-07-27 08:00:31
-
光纤激光焊接机原理结构图
2025-10-23 23:40:37
-
星间激光通信?？?/a>
2025-11-26 06:30:43
-
共路干涉仪和非共路干涉仪的区别与联系
2025-10-24 14:40:49
科学论文
相关产品
图片
名称
分类
制造商
参数
描述
-
高功率脉冲激光二极管
半导体激光器
Laser Components
峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C
高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。
-
红光激光二极管
半导体激光器
Arima Lasers
光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V
ADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。
-
高速扫描激光器
半导体激光器
Santec Corporation
主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm
HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。
-
R2 + 50 W脉冲光纤激光器
半导体激光器
Brimo Technology Inc.
平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz
R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器，具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量，适用于多种材料加工和工业应用。
-
NL2327-B nm DFB激光器
半导体激光器
Norcada Lasers
存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3
Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器，型号为NL2327-B，具有高稳定性和高性能，适用于多种光电应用场景。
相关文章
-
-
在现代电子设备和系统的设计与维护中，一个稳定可靠的电源是确保其正常工作的基石。无论是精密的半导体器件还是复杂的配电系统，电压的波动都可能导致性能下降甚至硬件损坏。那么，什么是直流稳压电源？简单来说，它是一种能将不稳定的输入电压（如交流电或波动直流）转换为稳定、纯净的直流输出电压的电子设备。其重要性不言而喻：它为敏感负载提供“清洁”的能量，防止过压、欠压或噪声
-
在电子电工、半导体制造以及环保水处理等诸多工业领域，气动隔膜泵因其防爆、耐腐蚀及自吸能力强等优点，成为流体输送的关键设备。然而，若操作不当，不仅会严重影响生产效率，甚至可能损坏与之联动的精密配电系统或半导体器件生产线，造成巨大损失。因此，全面掌握气动隔膜泵使用注意事项，是每一位现场电工、设备维护工程师及管理人员的必备技能。本文将深入探讨其核心操作规范与维护要
-
在现代高速光通信与无线传输系统中，如何高效利用有限的频谱资源始终是核心技术挑战。波分复用(WDM)与频分复用(FDM)作为两种主流的复用技术，虽名称相似，却在原理、应用场景及实现方式上存在显著差异。准确理解波分复用和频分复用的区别，对于电子电工领域的工程师正确选择光纤元件、设计配电系统以及优化通信架构至关重要。本文将深入解析这两种技术的本质差异，并探讨其在实
立即咨询
加载中....
获取实验方案
称呼
电话
+86
单位名称
用途