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在当今的电子电工领域，为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时，光纤激光与半导体激光（常直接称为激光二极管）的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同，直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景，对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题，更关乎企业的核心
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概述
EL851系列设备由红外发光二极管和光电晶体管探测器光学耦合组成，采用4针DIP封装，并提供宽引线间距和表面贴装选项。
参数
- 正向电流 / Forward Current : 60mA
- 峰值正向电流(1μs脉冲) / Peak Forward Current (1μS Pulse) : 1A
- 反向电压 / Reverse Voltage : 6V
- 功耗 / Power Dissipation : 100mW
- 集电极功耗 / Collector Power Dissipation : 150mW
- 集电极-发射极电压 / Collector-Emitter Voltage : 350V
- 集电极电流 / Collector Current : 50mA
- 发射极-集电极电压 / Emitter-Collector Voltage : 7V
- 总功率耗散 / Total Power Dissipation : 200mW
- 隔离电压 / Isolation Voltage : 5000Vrms
- 工作温度 / Operating Temperature : -55至100°C
- 存储温度 / Storage Temperature : -55至125°C
- 焊接温度 / Soldering Temperature : 260°C
- 正向电压 / Forward Voltage : 1.2-1.4V
- 反向电流 / Reverse Current : ≤10μA
- 输入电容 / Input Capacitance : 30-250pF
- 集电极-发射极暗电流 / Collector-Emitter Dark Current : ≤100nA
- 集电极-发射极击穿电压 / Collector-Emitter Breakdown Voltage : 350V
- 发射极-集电极击穿电压 / Emitter-Collector Breakdown Voltage : 7V
- 集电极-发射极电容 / Collector-Emitter Capacitance : ≤10pF
- 电流传输比 / Current Transfer Ratio : 50-600%
- 集电极-发射极饱和电压 / Collector-Emitter Saturation Voltage : ≤0.4V
- 绝缘阻抗 / Isolation Resistance : 10^11Ω
- 输入-输出电容 / Input-Output Capacitance : ≤0.6pF
- 上升时间 / Rise Time : 4-18μs
- 下降时间 / Fall Time : 5-18μs
- 预热温度范围 / Preheat Temperature Range : 150-200°C
- 预热时间 / Preheat Time : 60-120s
- 平均升温速率 / Average Ramp-Up Rate : ≤3°C/s
- 液相温度 / Liquidus Temperature : 217°C
- 液相温度以上时间 / Time Above Liquidus Temperature : 60-100s
- 峰值温度 / Peak Temperature : 260°C
- 峰值温度时间 / Time Within 5°C Of Actual Peak Temperature : 30s
- 峰值温度降温速率 / Ramp-Down Rate From Peak Temperature : ≤6°C/s
- 从25°C到峰值温度时间 / Time 25°C To Peak Temperature : ≤8min
- 回流次数 / Reflow Times : 3次
应用
1. 电话线路接口 2. 电源电路接口 3. SSR控制器直流电机 4. 可编程控制器
特征
1. 符合无卤素要求（仅铜引线框） 2. 高集电极-发射极电压（Vce=350V） 3. 电流传输比（CTR: 50-600%） 4. 输入与输出之间具有高绝缘电压（Viso=5000Vrms） 5. 紧凑的双列直插封装 6. 符合RoHS版本 7. 符合欧盟REACH标准 8. UL和cUL认证 9. VDE认证 10. SEMKO认证 11. NEMKO认证 12. DEMKO认证 13. FIMKO认证 14. CQC认证
图片集
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厂家介绍
亿光电子股份有限公司于1983年在台湾台北成立，由叶志强董事长领导。亿光拥有超过 40 年的研发经验，具有可靠的能力。凭借即时的服务和卓越的品牌声誉，亿光在竞争激烈的LED市场中名列全球前五。我们的产品在内部制造和包装，以保证最高的质量和服务。亿光提供多样化的产品组合，包括高功率 LED、SMD LED、灯具、照明元件、LED 照明?？?、数字显示器、光耦合器和红外元件，适用于各种应用。
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名称
分类
制造商
参数
描述
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AC输入光电晶体管耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW
EL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器，采用AC输入设计，具有高隔离电压和紧凑封装，适用于多种工业和通信应用。
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标准光电晶体管耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL357N-G系列包含一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。
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EL816 Series光耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引脚间距和SMD选项。
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EL817-G Series光耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V
EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。
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低功耗光电晶体管型光电耦合器
光电晶体管
亿光电子
正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW
EL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器，采用绿色化合物封装，提供高隔离电压和低输入电流特性。
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