在当今的电子电工领域,为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时,光纤激光与半导体激光(常直接称为激光二极管)的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同,直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景,对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题,更关乎企业的核心
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概述
参数
- 柱温范围 / Column Oven Temperature Range : 室温至399°C
- 柱温控制 / Column Oven Temperature Control : 零交叉开关系统的比例积分型
- 柱温控制精度 / Column Oven Temperature Control Accuracy : ±0.1°C
- 柱温显示 / Column Oven Temperature Readout (Monitor) : READY灯指示
- 加热速度 / Heating Speed : 室温至350°C需13分钟
- 冷却速度 / Cooling Speed : 从350°C降至100°C需3.5分钟
- 柱子 / Column : 不锈钢柱:6mx1;玻璃柱:5.4mx1
- 过热?;?/ Overheat Protection : 两级保护:1. 温度超过设定值50°C时自动关闭加热器;2. 温度达到420°C时自动关闭加热器
- 注射口/检测器温度范围 / Injection Port/Detector Temperature Range : 室温至400°C(10°C步进)
- 注射口/检测器温度控制 / Injection Port/Detector Temperature Control : 零交叉开关系统的比例积分型
- 注射口/检测器温度控制精度 / Injection Port/Detector Temperature Control Accuracy : ±0.1°C
- 注射口 / Injection Port : 柱上注射口
- 载气控制 / Carrier Gas Control : 一个压力调节器和一个柱入口压力表
- 探测器类型 / Detector Type : 热导检测器(TCD)
- 检测器最大温度 / Detector Maximum Temperature : 400°C
- 桥电流 / Bridge Current : 恒定电流系统(OFF, 60, 70, 80, 100, 120, 140, 160, 180, 200mA)
- 检测器电路 / Detector Circuit : 内置
- 尺寸 / Dimensions : 440Wx405Dx435Hmm
- 重量 / Weight : 26kg
- 电源要求 / Power Requirements : AC100/115V或220V,1500VA max. 50/60Hz
应用
1. 化学分析 2. 环境监测 3. 食品安全检测 4. 医药研究
特征
1. 高灵敏度和稳定性 2. 快速加热和冷却 3. 易于操作和维护 4. 支持多种检测器类型
详述
图片集
规格书
AI 智能分析
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通过原位界面调控介导的级联电荷转移实现太阳能制氢
空间电荷转移的精细调控一直被视为提升太阳能转换效率的有效策略。然而,在光催化中实现对理想反应位点的定向电荷转移可控调节仍是一项挑战性任务。本研究以最具代表性的过渡金属硫化物——硫化镉(CdS)为模型,通过原位相自转变与界面工程协同作用,逐步构建级联电荷转移通道。具体而言,先触发CdS表面原位相变为CdSe,再通过静电自组装将二硫化钼量子点(QDs)负载于CdS@CdSe核壳纳米结构上,最终形成具有精准定制界面的CdS@CdSe-MoS2 QD三元异质结构。值得注意的是,在可见光照射下,该三元异质结构的光催化水分解性能较单组分及二元体系显著提升,同时兼具优异的光稳定性和可观的表观量子产率。这主要归因于原位CdSe包覆与精准MoS2 QD修饰协同产生的级联电荷传输通道。更关键的是,原位形成的超薄CdSe中间层通过提供合适的能级排列、屏蔽CdS纳米线的缺陷位点,对级联电荷转移起关键调控作用,从而显著抑制电荷复合并延长载流子寿命。此外,CdS@CdSe核壳框架上自组装的MoS2 QDs进一步促进电荷定向流向产氢活性位点。
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N,N-二甲基甲酰胺辅助水热法在超薄g-C3N4层上引入MoS2以增强可见光光催化产氢活性
探索制备异质结构的合适方法和试剂,为利用太阳能作为能源的光催化水分解开辟了新思路。本工作采用常规水热法,以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,制备了由石墨相氮化碳(g-C3N4)超薄纳米层和修饰的MoS2(g-C3N4/MoS2)组成的异质结构光催化剂,该方法避免了g-C3N4纳米片在高温高压下的形貌损伤。所获得的具有丰富缺陷位点和无序结构的纳米级少层MoS2均匀生长在g-C3N4纳米片上。对g-C3N4/MoS2异质结构的结构和光学性能进行了仔细表征。通过优化修饰MoS2的比例,MoS2含量为2.5 wt%的g-C3N4/MoS2异质结构在可见光照射(λ≥400 nm)下表现出最高的光催化产氢活性,达到732.0 μmol g-1 h-1,比未修饰的g-C3N4(12.5 μmol g-1 h-1)提高了58.6倍。光电化学分析和光致发光(PL)结果表明,g-C3N4/MoS2异质结构中存在界面电荷转移,导致光生电子-空穴对的有效分离。最后,系统研究了从g-C3N4到MoS2的电子转移动力学,g-C3N4/MoS2-2.5 wt%(CM-2.5)表现出最快的电子注入速率(2.2×10-10 s-1)和最高的效率(43.4%),这是其光催化产氢增强的原因。
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利用可见光响应型TaON光催化剂协同负载两种独立优化的助催化剂,实现IO??/I?氧化还原介质增强Z型水分解的有效策略
加载一种能选择性增强有利反应的高效助催化剂,是提高以IO3–/I–等氧化还原介质实现Z型水分解效率的有效途径。基于近期发现的TaON光催化剂上具有高活性IO3–还原功能的Ru(OH)xCly助催化剂,本研究系统考察了Rh、Co和Ir基助催化剂通过协同Ru(OH)xCly助催化剂来促进水氧化,从而提升TaON上O2析出总效率的效果。在固定200°C共负载Ru(OH)xCly的条件下,金属阳离子(Rh、Co或Ir)在TaON上的煅烧温度显著影响可见光照射下含IO3–水溶液的O2析出速率:当助催化剂负载温度升至400°C(Ir)和500°C(Rh/Co)时,O2析出速率基本随温度升高而增加;但600°C煅烧会因破坏TaON本身导致活性急剧下降。在TaON上负载500°C处理的Rh物种(后协同200°C负载Ru(OH)xCly)获得了最高O2析出速率。光催化反应与电化学测试结果表明:以Rh氧化物为主的500°C负载Rh物种比传统CoOx或IrOx物种更能有效促进水氧化。采用共负载Rh/Ru物种的TaON作为产氧光催化剂(替代单一传统RuO2负载TaON或先前报道的Ru(OH)xCly/Co基共负载TaON),通过Z型机制实现的全水分解中H2和O2析出速率均显著提升。这些结果证实:针对水氧化和IO3–还原分别优化助催化剂的协同负载策略,能有效提升Z型水分解效率。
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材料科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用原位相自转变与静电自组装相结合的策略构建CdS@CdSe-MoS2量子点三元异质结构。通过环境条件下的阴离子交换反应实现CdS向CdSe的原位相自转变,随后在CdS@CdSe核壳纳米结构表面进行MoS2量子点的静电自组装。 2. 样品选择与数据来源:以CdS纳米线(NWs)和MoS2量子点作为典型过渡金属硫化物(TMS)和过渡金属二硫化物(TMD)构筑单元。样品包括原始CdS纳米线、不同温度(25/50/90°C)制备的CdS@CdSe核壳异质结构、CdS-MoS2量子点以及不同MoS2量子点负载量的CdS@CdSe-MoS2量子点异质结构。 3. 实验设备与材料清单:材料包含氯化镉、二乙基二硫代氨基甲酸钠三水合物、乙二胺、乙醇、硒粉、硼氢化钠、3-氨丙基三甲基硅烷(APTMS)、钼酸钠二水合物、二苄基二硫化物、甲醇、乙二醇、甘油、乳酸、硫酸钠、去离子水。设备包括聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜、烘箱、超声波清洗器、离心机、Zetasizer Nano ZS-90粒度仪、X射线衍射仪(MiniFlex600,理学)、场发射扫描电镜(Supra55,蔡司)、透射电镜(Tecnai G2 F20)、紫外-可见漫反射光谱仪(Cary50,瓦里安)、X射线光电子能谱仪(Escalab 250,赛默飞)、拉曼成像显微镜(Dxr-2xi,赛默飞)、光致发光光谱仪(Varian Cary Eclipse)、BET比表面积分析仪(Quantachrome Autosorb-1-C-TCD)、配备300W氙灯的在线光催化产氢系统及气相色谱仪(岛津GC-8A)、辐射功率计(普析PLS-MW2000)、电化学工作站(CHI660E,上海辰华)、IM6电化学工作站(泽纳德)。 4. 实验流程与操作步骤:通过水热法合成CdS纳米线;将CdS纳米线分散于不同温度的Se2-源溶液制备CdS@CdSe核壳异质结构;采用APTMS修饰CdS@CdSe赋予正电荷;水热法合成MoS2量子点;通过静电自组装将MoS2量子点负载于APTMS修饰的CdS或CdS@CdSe表面制备复合结构;以乳酸为牺牲试剂,在可见光照射(λ>420nm)下测试光催化产氢性能;采用三电极体系进行光电化学测试。 5. 数据分析方法:通过气相色谱分析光催化产氢速率,计算表观量子产率与太阳能制氢效率;解析光电流瞬态曲线、电化学阻抗谱、Mott-Schottky曲线及开路电压衰减等光电化学数据评估电荷分离转移效率;利用XRD、FESEM、TEM、UV-vis DRS、XPS、拉曼、PL、BET等表征数据解析材料结构、形貌、光学特性及表面特征。
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新能源材料与器件实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂的水热法合成g-C3N4/MoS2异质结构,旨在保持g-C3N4纳米片的超薄结构并形成具有丰富活性位点的纳米级MoS2。与水基水热法相比,该方法可在高温高压下防止形貌损伤。 2. 样品选择与数据来源:g-C3N4纳米片通过三聚氰胺煅烧合成。(NH4)2MoS4作为MoS2前驱体。制备了不同MoS2负载量(CM-X,X=1.1、2.5、3.6 wt%)的样品。同时合成了以水为溶剂的对照样品用于比较。 3. 实验设备与材料清单:设备包括用于煅烧的氧化铝坩埚、用于水热合成的聚四氟乙烯内衬高压釜、超声浴、离心机、干燥箱、带400 nm截止滤光片的300 W氙灯(用于光催化测量)、岛津GC-8A气相色谱仪(用于H2检测)、三电极电化学池(含铂丝、Ag/AgCl电极和Na2SO4电解液,用于光电化学测量)、理学Rint-2500 XRD、布鲁克VERTEX 70 FT-IR、日本电子JEM 3000F高分辨透射电镜、日本分光V-570紫外-可见光谱仪、PHI X-tool XPS和XE-100E原子力显微镜。材料包括三聚氰胺、(NH4)2MoS4、DMF、乳酸、水、乙醇、Nafion和玻碳电极。 4. 实验步骤与操作流程:g-C3N4合成通过500°C和520°C煅烧三聚氰胺实现。对于异质结构,将g-C3N4和(NH4)2MoS4溶解于DMF中,超声处理、搅拌后,在200°C下水热处理10小时,随后洗涤、离心和干燥。光催化产H2测试使用3 mg催化剂置于5 mL乳酸溶液中,在Ar气氛下进行可见光照射。光电化学测量涉及将催化剂滴涂在玻碳电极上并在光照下测试。表征包括TEM、AFM、FT-IR、XRD、XPS、UV-vis、PL和时间分辨PL。 5. 数据分析方法:通过气相色谱测量的H2析出速率评估光催化活性。光电化学数据包括EIS奈奎斯特图和瞬态光电流曲线。分析PL光谱和时间分辨PL衰减以确定电荷分离和电子转移动力学,使用特定方程计算寿命和注入速率。
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光电信息材料与器件实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究系统探究了在可见光照射下,将Rh、Co或Ir物种负载于TaON(并与200°C共负载的Ru(OH)xCly复合),通过改变煅烧温度(100-600°C)对从NaIO3水溶液中光催化析氧的影响。采用电化学测量评估其水氧化和IO3?还原的催化活性。 2. 样品选择与数据来源:TaON颗粒通过Ta2O5的氨解法制备。助催化剂采用浸渍法负载,前驱体溶液包含Na3[RhCl6]?nH2O、Co(NO3)2?6H2O、Na4[IrCl6]?6H2O和RuCl3?nH2O。 3. 实验设备与材料清单:设备包括透射电镜(JEM-2100F,日本电子)、X射线光电子能谱(MT-5500,ULVAC-PHI)、磁控溅射仪(MSP-1S,真空设备公司)、氙灯(LX-300F,Cermax;MAX-303,旭光谱)、气相色谱仪(GC-8A,岛津)、电化学工作站(VersaSTAT 3,普林斯顿应用研究)、光电二极管(Hioki 3664,日置)。材料包括Ta2O5(小宗化学)、各类化学前驱体(关东化学、和光纯药)、超纯水、NaIO3、NaI、Na2SO4、FTO基底(旭硝子)。 4. 实验流程与操作步骤:通过浸渍法和煅烧负载助催化剂;在可见光(λ>400 nm)下进行半反应析氧及密闭体系全分解水的光催化实验并分析气体;使用涂层电极在Na2SO4溶液中开展光照/黑暗条件下的电化学测量。 5. 数据分析方法:通过气相色谱测定气体析出速率;分析光电流与伏安数据确定催化活性;采用XPS和TEM进行材料表征。
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