在当今的电子电工领域,为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时,光纤激光与半导体激光(常直接称为激光二极管)的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同,直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景,对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题,更关乎企业的核心
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概述
参数
- 测量技术 / Measurement Technique : Stylus profilometry (contact measurement)
- 测量能力 / Measurement Capability : Two-dimensional surface profile measurements; Optional three-dimensional measurement/analyses
- 样品观察 / Sample Viewing : Digital magnification, 0.275 to 2.2mm vertical FOV
- 触针传感器 / Stylus Sensor : Low Inertia Sensor (LIS 3)
- 触针力 / Stylus Force : 1 to 15mg with LIS 3 sensor
- 低力选项 / Low Force Option : N-Lite+ Low Force with 0.03 to 15mg (optional)
- 触针选项 / Stylus Options : Stylus radius options from 50nm to 25μm; High Aspect Ratio (HAR) tips 200μm x 20μm; Custom tips available upon request
- 样品台XY / Sample Stage XY : Manual 100mm (4"), manual leveling; Automated 150mm (6"), manual leveling; Motorized encoded 200mm (8"), automated leveling
- 样品R-Theta台 / Sample R-Theta Stage : Manual or motorized with continuous 360°
- 振动隔离 / Vibration Isolation : Vibration isolation solutions available
- 扫描长度范围 / Scan Length Range : 55mm (2"); 200mm (8") with scan stitching capability
- 每次扫描数据点 / Data Points Per Scan : 120,000 maximum
- 最大样品厚度 / Maximum Sample Thickness : 50mm (1.95") using standard wafer vacuum chucks
- 最大晶圆尺寸 / Maximum Wafer Size : 200mm (8")
- 台阶高度重复性 / Step Height Repeatability : 4?, 1 sigma on steps ≤1μm (30 scans using a 12.5μm stylus)
- 垂直范围 / Vertical Range : 1mm (0.039")
- 垂直分辨率 / Vertical Resolution : 1? (@6.55μm range)
- 输入电源 / Input Power : 100 to 240VAC, 50 to 60Hz
- 温度范围 / Temperature Range : Operating Range, 20 to 25°C (68 to 77°F)
- 湿度范围 / Humidity Range : ≤80%, non-condensing
- 系统尺寸和重量 / System Dimensions And Weight : 455mm W x 550mm D x 370mm H; 34kg (75lb); Enclosure: 550mm L x 585mm W x 445mm H (21.6" L x 23" W x 17.5" H); 5.0kg (11lb)
应用
1. 微电子:监测沉积和蚀刻过程,测量器件和传感器高度,评估沟槽深度 2. 厚膜涂层:验证眼镜上的UV/硬度涂层,优化水龙头/装饰涂层,分析油墨涂层厚度 3. 生命科学:确定生物材料厚度,评估生物传感器拓扑,表征微流体通道
特征
1. 提供行业领先的测量和分析功能,确保数据的准确性和精确性 2. 具有无与伦比的多功能性和易用性,配备简化的触针更换功能 3. 通过直接驱动扫描阶段和软件进步加速结果时间 4. 单拱设计减少对环境条件的敏感性,如声学和地震噪声,同时适应大尺寸基板 5. 智能电子设备最小化温度变化和噪声,减少误差并提高高精度测量的可靠性 6. 低惯性传感器(LIS 3)支持快速适应表面形态变化,保持精度和响应速度 7. 触针交换技术消除了对齐误差和重新校准的需要,触针更换不到一分钟
规格书
AI 智能分析
该产品已被49篇SCI论文引用
基于平台30万篇光学领域SCI论文分析
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通过扫描拉曼光谱法测量的升华生长SiC层厚度
碳化硅层厚度 石墨烯 拉曼光谱
我们在导电碳化硅衬底上生长了同质外延高阻碳化硅层。我们开发了一种通过扫描共焦拉曼光谱(SCRS)测定生长层厚度的方法。同时我们在碳化硅层上生长外延石墨烯以标记样品顶面,并将顶面位置与瑞利散射(RS)相关联。通过纵光学声子(LO)向耦合LO声子-等离子体激元拉曼模式的转变来探测高阻碳化硅层与导电碳化硅衬底之间的界面。采用椭圆偏振法和二次离子质谱(SIMS)对层厚测量结果进行了验证。研究表明,SCRS方法具有优异的横向和纵向分辨率,能避免基于临时模型得出的错误结论,且易于实施。
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氧化石墨烯涂层在去除包层多模光纤上产生损耗型共振
光纤传感器 薄膜 浸渍辅助逐层组装 损耗模共振 折射仪 氧化石墨烯
本研究中,我们探究了氧化石墨烯基薄膜不仅作为优异敏感涂层,同时作为损耗模共振(LMR)生成材料的适用性。通过逐层组装法制备了氧化石墨烯(GO)与聚乙烯亚胺(PEI)的复合薄膜?;诖?,我们构建并表征了两种具有8层和20层LMR生成涂层的光纤折射仪器件。两款器件均展现出无迟滞效应的高灵敏度特性,其性能较既有报道有显著提升。该研究为基于LMR的光纤传感器领域开辟了极具前景的新方向——通过在器件表面战略性地引入特定识别基团,可利用这种高灵敏度监测多种目标分析物。氧化石墨烯片层边缘的羧酸根基团能为实现此类器件所需的偶联化学反应提供理想的附着位点。
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通过光度测量获取钯的光学、电荷传输及磁性能:接近量子力学背景
德鲁德-洛伦兹模型 钯 密度泛函理论 模拟退火 金属薄膜
采用参数化德鲁德-洛伦兹(DL)模型描述块体钯样品在低温和室温下介电函数的光谱变化。该模型不仅考虑了传导电子的贡献,还明确计入了空穴的贡献。通过模拟退火法获得模型中各参数的最优值:传导电子的体积等离子体频率、高频介电常数、空穴的碰撞频率及相应弛豫时间,以及用于推导空穴有效质量和传导电子碰撞频率的两个附加参数。同时优化了洛伦兹项中介电函数的振子强度、共振频率和线宽。振子强度的重整化需要在DL模型框架中引入新参数——传导电子数密度与金属原子数密度的比值,其最优值与能带结构计算结果及独立测量值高度吻合。该参数的引入使得我们能够进一步评估与载流子输运相关的物理量:平均有效质量、费米能级、对应费米能级的电子态密度、本征电阻率、本征平均自由程、热容、迁移率,以及电子和空穴的顺磁/抗磁磁化率。将优化得到的共振频率与合理带间跃迁的能量差进行对比,结果与文献报道的能带结构图谱及基于密度泛函理论计算获得的能带结构相符。
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材料科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用扫描共聚焦拉曼光谱(SCRS)通过检测高阻SiC:V层与导电SiC:N衬底界面处LO声子向耦合LO声子-等离子体模的转变来测量SiC层厚度。顶层表面通过外延石墨烯生长和瑞利散射(RS)进行标记。将本方法与椭偏仪和SIMS进行对比验证。 2. 样品选择与数据来源:样品包括II-VI公司提供的导电4H-SiC衬底(离轴切割),切割为3.5×3.5 mm2小块。以半绝缘SiC:V样品作为参照。SiC:V层通过改进物理气相传输法(MPVT)在掺钒SiC衬底上生长。 3. 实验设备与材料清单:设备包括Witec Alpha 300共聚焦拉曼显微镜、JA Woollam公司RC2椭偏仪、IONTOF SIMS5仪器、布鲁克DektakXT触针式表面轮廓仪,以及配备石墨坩埚、残余气体分析仪(PrismaPlus QME220)和抛光设备的生长装置。材料包含SiC粉、碳化钒(VC)粉、Ar-H2形成气体、胶体二氧化硅浆料及外延石墨烯生长前驱体。 4. 实验流程与操作步骤:在MPVT装置中控制温度(1700-1800°C)、压力(170-190 mbar)和气体流量(12-24 SLPH)生长SiC:V层,生长时间30秒至15分钟不等。样品经化学机械抛光(CMP)处理,在SiC:V层上生长石墨烯用于表面标记。SCRS测量采用532 nm激光进行深度扫描,采集0-20 μm范围内200条光谱。通过椭偏仪和SIMS进行厚度验证。 5. 数据分析方法:分析拉曼光谱中LO声子模的半高宽(FWHM)、积分强度及质心位置,根据FWHM转变确定界面位置。利用几何光学修正计算厚度。SIMS数据提供钒浓度分布曲线,椭偏仪数据通过分析干涉图样提取厚度值。
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光电信息科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用逐层组装法制备了氧化石墨烯(GO)和聚乙烯亚胺(PEI)薄膜光纤传感器,通过产生损耗模共振(LMR)实现检测。设计原理是将GO同时作为LMR生成层和敏感涂层,无需额外金属氧化物层。LMR生成的理论模型基于薄膜的介电常数条件。 2. 样本选择与数据来源:使用200微米芯径多模光纤(FT200EMT,Thorlabs公司),去除包层后制备样品。实验样本包含8层和20层PEI-GO涂层的 光纤器件,以及用于涂层表征的硅基基底。数据来源于折射率(RI)分别为1.333、1.362、1.392和1.420的甘油-水溶液透射光谱。 3. 实验设备与材料清单:设备包括卤钨白光源(HL2000,Oceanoptics公司)、光谱仪(USB2000,Oceanoptics)、扫描电镜(NanoSEM 450 FEG,FEI)、轮廓仪(DektakXT,布鲁克)、光纤切割刀(NorthLab ProCleave LD II)、熔接机(Fitel S178A)和超声波清洗器(Ultrawave公司)。材料包括GO粉末(Graphenea)、PEI(Sigma Aldrich)、KOH(Sigma Aldrich)、甘油及超纯水。 4. 实验流程与操作步骤:光纤纤芯羟基化处理后,通过浸渍辅助逐层组装法依次沉积PEI和GO双层膜(每次浸渍5分钟,含冲洗干燥步骤)。每沉积一层双层膜即采集透射光谱监测涂层沉积情况。传感器静态特性测试采用甘油溶液浸泡法,动态特性测试采用40%与60%甘油溶液交替浸泡法。光谱数据通过OceanView软件采集。 5. 数据分析方法:采用MatLab程序拟合LMR吸收峰的多项式函数(二次方),实现波长偏移的精确追踪。灵敏度以nm/RIU为单位计算,响应时间根据信号变化百分比估算。
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物理学实验方案
1. 实验设计与方法选择:采用扩展的德鲁德-洛伦兹模型描述钯的介电函数,包含电子和空穴的贡献。通过接受概率控制的模拟退火法(APCSA)优化参数,以实验与模型介电函数值差异最小化为目标函数。该模型包含电子和空穴的频率相关弛豫时间。 2. 样品选择与数据来源:分析了三种钯样品:Weaver提供的低温(4.2K)块体样品(WB样品)、Lafait等人提供的室温32纳米厚薄膜(L样品),以及作者制备的室温217纳米厚薄膜(B样品)。介电函数数据来自文献或反射率反演测量。 3. 实验设备与材料清单:设备包括高真空沉积腔室、电子束蒸发系统、石英晶体微天平(Maxtek TM-400)、触针式轮廓仪(Bruker DektakXT)、Perkin Elmer Lambda 1050分光光度计(用于反射率测量)、原子力显微镜(AFM,用于表面形貌)及四探针电阻率测量仪。材料包括99.9%纯度钯靶材和熔融石英基底。 4. 实验流程与操作规范:通过电子束蒸发在指定速率和温度下沉积样品。正入射条件下测量反射光谱并通过反演获得介电函数。采用APCSA方法优化模型参数,多次运行以确保准确性。 5. 数据分析方法:数据分析包括光谱点三次样条插值、使用APCSA最小化目标函数,以及通过谱投影梯度法精修。从优化参数计算有效质量、费米能级等衍生量,并与文献值及Quantum Espresso密度泛函理论(DFT)计算结果对比。
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1960 年成立,全球领先的高性能科学仪器及诊断解决方案供应商,产品覆盖 NMR、MS、FT-IR、XRF、AFM 等技术平台,服务于生命科学、制药、生物技术、纳米材料等领域
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