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雪崩照片=检测器MTAPD-05-003 光电二极管

雪崩照片=检测器MTAPD-05-003

分类： 光电二极管

厂家： Marktech Optoelectronics

产地： 美国

更新时间： 2024-08-26T15:54:45.000Z

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概述

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD（LCC）类型，并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR（800nm）增强型500μm直径APD，可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。

参数

  • APD 类型 / APD Type : Si
  • 工作波长 / Operational Wavelength (Typical) : 800nm
  • 工作波长范围 / Operational Wavelength Range : 400 - 1100 nm

图片集

雪崩照片=检测器MTAPD-05-003图1
雪崩照片=检测器MTAPD-05-003图2
雪崩照片=检测器MTAPD-05-003图3
雪崩照片=检测器MTAPD-05-003图4
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雪崩照片=检测器MTAPD-05-003图9
雪崩照片=检测器MTAPD-05-003图10

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厂家介绍

Marktech光电成立于1985年，是一家领先的红外发射器、点源LED、紫外-可见-红外探测器（硅光电二极管、InGaAs探测器）和LED发射器的制造商，也是Cree LED和SETi LED的增值分销商。我们的标准组件可通过Digikey和Mouser获得。我们还根据OEM规格定制设计工程师组件。 我们的现场工程和测试团队与原始设备制造商合作，设计发射器、红外探测器、探测器-发射器对和组件，以优化产品性能并较大化总成本效益。此外，Marktech可以使用紫外-可见-红外探测器将发射器分类或分类到精确的峰值波长（±1nm），以匹配化学分析和诊断应用。我们位于加利福尼亚州西米谷的工厂可以生产用于分析仪器和工业传感应用的快速、高灵敏度硅光电二极管探测器和探测器阵列。我们还制作了InGaAs pin光电二极管，用于SWIR检测。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • MOQ50-IT 光电二极管 MOQ50-IT 光电二极管 光电二极管 OTRON

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    MOQ50-IT是一款基于7.8mm直径四象限硅PIN的光电二极管，适用于点跟踪、天文设备中的星体引导检测、导航、位置传感器和自由空间通信。

  • OSD360-EC 光电二极管 OSD360-EC 光电二极管 光电二极管 OTRON

    芯片尺寸: 18×21mm2 有效区域: 17.30×20mm2 暗电流: 90nA

    OSD360-EC是一款人眼响应的高输出、高速光电二极管，适用于色彩传感器、激光检测、医疗设备和光度计。

  • OSA2713-16 光电二极管 OSA2713-16 光电二极管 光电二极管 OTRON

    有效像素数量: 16 pixel 有效面积（每个像素）: 2.489×0.90 um 芯片尺寸（总芯片）: 2.794×15 um

    OSA2713-16是一款多通道阵列光电探测器，具有低电容高灵敏度，适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信。

  • OSD360-EC 光电二极管 OSD360-EC 光电二极管 光电二极管 OTRON

    芯片尺寸: 18*21mm2 有效区域: 17.30*20mm2 暗电流: 90nA

    OSD360-EC是一款人眼响应高输出、高速硅光电二极管，适用于色彩传感器、激光检测、医疗设备和光度计。

  • InGaAs PIN Photodiodes G12180 Series 光电二极管 InGaAs PIN光电二极管G12180系列 光电二极管 Hamamatsu Photonics

    光敏面积: 0.3-5 封装形式: TO-18, TO-5, TO-8 冷却类型: 非冷却型, 单级TE冷却型, 双级TE冷却型

    Hamamatsu的InGaAs PIN光电二极管具有高并联电阻和极低的噪声，提供从0.3mm到5mm的多种光敏面积尺寸，适用于多种光电应用。

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