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高速InGaAs光电二极管 光电探测器

高速InGaAs光电二极管

分类: 光电探测器

厂家: GPD Optoelectronics Corp

产地: 美国

更新时间: 2024-08-30T05:14:34.000Z

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概述

高速InGaAs光电二极管

参数

  • 二极管类型 / Diode Type : InGaAs
  • 工作波长 / Wavelength Of Operation : 1700nm

图片集

高速InGaAs光电二极管图1
高速InGaAs光电二极管图2
高速InGaAs光电二极管图3
高速InGaAs光电二极管图4

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厂家介绍

GPD光电子公司成立于1973年,名为锗功率器件公司。我们从制造高质量锗晶体管开始,但自20世纪80年代初以来,我们已成为锗和铟镓砷化物光电二极管的可靠制造商。 随着经验的积累,我们提高了技术能力和生产能力,较终在新罕布什尔州塞勒姆建立了一个新工厂,规模翻了一番。
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    • EL815 Series 光电探测器 高隔离电压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器,提供宽引脚间距和表面贴装选项。

    • EL825 Series 光电探测器 EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 亿光电子

      正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

      EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器,包含红外发光二极管和光电晶体管探测器,提供高电流传输比和高输入输出隔离电压,适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。

    • VTH21xx系列硅光电二极管 光电探测器 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 Excelitas Technologies

      击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30

      低电容硅光电二极管芯片,专为α粒子检测设计,提供两种尺寸,兼容导电环氧安装,包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。

    • 4.2mm Silicon PIN Photodiode 光电探测器 4.2mm硅PIN光电二极管 光电探测器 北京敏光科技有限公司

      工作温度: -40~+85°C 存储温度: -40~+100°C 正向电流: 13mA

      4.2mm硅PIN光电二极管,具有高可靠性、低暗电流和宽光谱范围,适用于光学传感器、工业自动化控制、激光监测等多种应用场景。

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