在当今的电子电工领域，为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时，光纤激光与半导体激光（常直接称为激光二极管）的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同，直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景，对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题，更关乎企业的核心
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Tera-256太赫兹相机
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概述
探测器采用GaAs高迁移率异质结构，在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性（像素到像素的偏差响应度在20%的范围内）。在10 GHz—1 THz频率范围内，每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W，具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备，需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器，具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号，我们还提供定制的解决方案，以满足不同的配置和几何要求。
参数
- 扫描范围 / Scan Range : <= 100mm X 100mm
- 决议 / Resolution (X Direction) : >= 500um um
- 决议 / Resolution (Y Direction) : >= 500um
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