在工业自动化和精密测量领域,激光位移传感器已成为不可或缺的电工工具。无论是检测生产线上的微小偏差,还是监控配电系统中设备的振动幅度,其高精度和非接触式测量的优势显著提升了效率与安全性。然而,面对市场上琳琅满目的型号(如基于激光二极管或光纤元件的产品),许多工程师在选型和应用中仍存在困惑。本文将深入解析激光位移传感器的工作原理、核心参数及典型场景,助您全面掌握
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概述
参数
- 颜色 / Colors : Visible
应用
1. 照明 2. 光通信 3. 医疗成像 4. 显示器 5. 激光显示系统
特征
1. 半强度角:7度 2. 颜色:可见光 3. 配置:单IC 4. RoHS合规:是 5. 视角:14度 6. 正向电流:350 mA 7. 波长:470 nm 8. 功率:170 mW, (0.17 W) 9. 注意事项:谱分辨率 FWHM:22 nm 10. 封装类型:TO-39 11. 封装方式:插孔
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基于功率谱密度的近红外子带检测技术在体外与体内研究中用于无创血糖预测
无创 发光二极管 血糖 功率密度 近红外 光电容积描记法
糖尿病是一种广泛存在且严重的疾病,对无创检测的需求一直很高。为解决这一问题,本研究提出了一种基于功率谱密度的方法,用于确定近红外(NIR)光谱中与葡萄糖敏感相关的子波段。实验在体外条件下使用不同光学特性的仿体进行,发现1200-1300纳米和2100-2200纳米的光学波段适用于血糖测量。随后设计了一套基于光电容积脉搏波描记法(PPG)的低成本便携式光学系统,该系统配备六种不同近红外波长LED作为光源,以及铟镓砷光电二极管用于检测。通过该系统计算光学密度值,并将其作为多元线性回归分析的自变量。对24名已知健康受试者的血糖水平检测结果显示:根据克拉克误差网格分析,该光学系统的预测结果有近80%落在A区,20%落在B区。研究表明,这套操作简便、可持续监测且结构紧凑的光学系统具有良好应用前景。
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通过直接化学气相沉积生长的超薄全二维横向石墨烯/GaS/石墨烯紫外光电探测器
化学气相沉积 二维光电子学 硫化镓 光电探测器 紫外线 石墨烯
通过化学气相沉积法直接在石墨烯电极对之间生长大带隙层状GaS材料,制备出紫外敏感的横向全二维(2D)光电探测器件。利用硅晶圆上预图案化的石墨烯电极对,可同步制备超过200个器件。研究表明,GaS生长过程中衬底的表面化学特性会选择性地在石墨烯间隙而非石墨烯表面形成横向异质结构。实验证实石墨烯/GaS/石墨烯横向光电探测器仅对紫外光敏感,对可见光无响应。该器件能实现紫外波段选择性探测,仅在中紫外波长区产生光电流,近紫外波段无响应。在270 nm激发下,其检测限低至2.61 μW/cm2,光响应度高达11.7 A/W,光电增益达53.7。研究还展示了光电流的门控调制效应,该探测器具有长期稳定性与可重复的开关特性,响应时间低于60毫秒。这些成果为仅利用二维材料(如大带隙二维半导体GaS)构建超薄紫外传感器件提供了重要思路。
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光电信息科学与工程实验方案
1. 实验设计与方法选择:研究分为两部分:通过功率谱密度分析确定葡萄糖特征子频带的体外实验,以及采用自主设计的基于PPG的光学系统进行血糖预测的体内实验。方法包括透射光谱测量、滤波预处理、信号分割、功率谱密度计算、相关性分析和多元线性回归。 2. 样本选择与数据来源:体外实验:使用脂肪乳剂溶液和黑色印度墨水制备不同散射系数的组织仿体,葡萄糖浓度范围0-1000 mg/dl;体内实验:24名健康志愿者(20男4女,平均年龄30±9.72岁),以常规血糖仪测量值作为参考标准。 3. 实验设备与材料清单:近红外分光光度计(NIRQuest512,美国海洋光学)、LED光源(LED1070L等7种型号,美国Thorlabs)、铟镓砷光电二极管(SD039-151-011,美国API)、步进电机、滤波器(高通/陷波/低通)、运算放大器、模数转换器(USB6210,美国国家仪器)、Labview 2016软件、脂肪乳剂溶液(ClinOleic 20%)、黑色印度墨水(Higgins)、常规血糖仪(GlucoDr AGM 2200,韩国Allmedicus)。 4. 实验流程与操作规范:体外实验:测量仿体透射光谱,经移动平均和基线去除滤波预处理,采用汉宁窗分割为100nm子频带,运用Welch法计算功率谱密度并进行相关性分析;体内实验:通过自主设计光学系统依次用LED照射指尖,每LED记录10秒PPG信号,经Savitzky-Golay和基线去除滤波预处理后检测峰谷值,计算光学吸收差值并进行多元线性回归分析。 5. 数据分析方法:子频带功率与葡萄糖浓度的相关性分析,采用逐步法多元线性回归从光密度值预测血糖水平,通过Clarke误差网格评估性能表现。
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光电信息材料与器件实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用化学气相沉积(CVD)法直接在石墨烯电极对之间生长大带隙层状GaS材料。通过在硅晶圆上预制备图案化石墨烯电极对,实现了200余个器件的同步制备。 2. 样品选择与数据来源:样品制备流程为在SiO2/Si芯片上图案化石墨烯电极对后,利用CVD工艺选择性沉积石墨烯电极间隙间的GaS材料。 3. 实验设备与材料清单:采用直径1英寸石英管的单温区系统进行CVD生长。以Ga2S3粉末为前驱体,在常压H2/Ar混合气体氛围下完成生长。 4. 实验流程与操作步骤:CVD生长包含三个阶段:氩气系统吹扫、富氢气氛中加热Ga2S3前驱体、快速冷却至室温。通过调节生长时间探究GaS的生长机制。 5. 数据分析方法:采用不同光照条件下的I?V测试表征器件电学与光电特性,结合拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)测定GaS薄膜质量与厚度。
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