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在电子制造与研发领域，如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用，提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证，该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景，并分享提升
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概述
参数
- 过滤器类型 / Filter Type : Laser Line Filter
- 半高宽（FWHM） / Bandwidth (FWHM) : 3 nm
- FWHM公差 / FWHM Tolerance : ± 0.6 nm
- 阻挡波长 / Blocking Wavelength : 200 to 1150 nm
- RoHS / RoHs : Yes
- 过滤器形状 / Filter Shape : Round
- 基底/材料 / Substrate/Material : Schott Borofloat, Soda Lime
- 滤波器直径 / Filter Diameter : 25.4 mm (1 Inch)
- 表面质量 / Surface Quality : 80-50 scratch-dig
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利用断层扫描穆勒矩阵散射计量术测量纳米结构
逆散射 椭圆偏振测量 间距测量 衍射光栅 散射测量法 穆勒矩阵
纳米尺度下必要仪器与计量技术的发展，尤其是快速、低成本且无损的计量技术，对实现可靠且可重复的纳米制造具有重要意义。本工作展示了我们自主研发的新型光学散射仪——层析穆勒矩阵散射仪（TMS）在光刻胶光栅测量中的应用。该仪器采用双旋转补偿器配置，通过平面波依次在不同照明方向下照射待测纳米结构并记录数据。每个照明方向下，沿各观测方向的偏振散射场均以散射穆勒矩阵形式呈现。相比传统光学散射测量法，TMS能采集更丰富的散射信息，从而确保更高的测量灵敏度与精度。我们还证实了TMS具备测定光栅间距及其他结构参数的能力，这是当前基于反射计或椭偏仪的零阶散射测量方法所无法实现的。
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精密仪器实验方案
1. 实验设计与方法选择：该太赫兹穆勒矩阵系统（TMS）采用双旋转补偿器配置，通过不同方向的入射光照射样品并采集偏振散射场作为穆勒矩阵数据。利用严格耦合波分析（RCWA）与Levenberg-Marquardt算法进行逆向建模以实现参数提取。 2. 样品选择与数据来源：使用位于BARC层和硅衬底上的光刻胶光栅，提供标称尺寸参数。光学常数引自文献数据，并通过商用穆勒矩阵椭偏仪预先测定。 3. 实验设备与材料清单：包含光源、透镜、滤光片、偏振器、补偿器、分束器、物镜、探测器及样品组件等，具体配置详见实验装置说明。 4. 实验流程与操作规范：TMS系统扫描入射方向（入射角0°至65.6°，方位角0°至360°），记录散射场数据，并采用利特罗构型进行周期测量。通过数据分析拟合结构参数。 5. 数据分析方法：采用加权最小二乘回归法最小化实测与计算穆勒矩阵的差异，从而提取周期、顶部临界尺寸、高度、侧壁角度及顶部圆角半径等参数。
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