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81602A 激光器模块和系统

81602A

分类: 厂家: Keysight Technologies

产地: 美国

型号: 81602A

更新时间: 2024-08-29T01:53:01.000Z

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81602A Extra High Power Tunable Laser

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概述

Keysight Technologies的81602A是一款波长为1250至1370 nm、功率为10至18 dBm、输出功率(CW)为10至18 dBm、工作温度为-40至70摄氏度、存储温度为10至35摄氏度的激光器。有关81602A的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 功率 / Power : 10 to 18 dBm

图片集

81602A图1
81602A图2
81602A图3
81602A图4
81602A图5

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  • 宽带高均匀性多模锥形分支Y型光束分路器
    多模 分束器 宽带宽 高均匀性 锥形分支

    本文基于绝缘体上硅平台提出并分析了一种高均匀性、宽带宽的Y型分束器。通过将均匀分支替换为多模锥形分支,显著提升了两个输出端口的带宽和功率均匀性。此外,通过增大分束角降低了对制备精度的敏感性。仿真与实验结果表明:该器件带宽超过100纳米,两个输出端口功率均匀性提升4分贝,插入损耗低于0.6分贝,回波损耗高于26分贝。

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  • 波导集成硅基锗p-i-n光电二极管对中子位移损伤的响应
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    已研究了14 MeV中子位移损伤(DD)对硅光子学中波导集成锗硅p-i-n光电二极管(PD)的影响,中子注量最高达7.5×1012 n/cm2(14 MeV)或1.4×1013 n1-MeVeq/cm2(Si)。研究内容包括:150-375 K温度范围内的暗电流-电压特性测量、PD结电容测量、1260 nm至1360 nm波段的光谱响应测量以及频率响应测量。发现这些器件易受DD诱导的载流子移除效应影响;但在所研究的DD剂量水平下,其性能未出现显著退化仍可正常工作。由于PD测试芯片包含将光信号传输至PD的硅光子集成光栅耦合器和波导,因此也可推断DD对这些无源器件的影响。本研究未考察DD的短期退火或瞬态行为,仅关注室温退火初始阶段后残留的永久性损伤。

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实验方案推荐
AI分析生成
  • 光电信息科学与工程实验方案1

    1. 实验设计与方法选择:本研究设计了一种带有多模锥形分支的Y型分束器,以提高带宽和功率均匀性。采用理论分析和FDTD仿真方法。 2. 样本选择与数据来源:研究使用均匀分支、S型分支和锥形分支模型进行对比。数据通过仿真和实验制备获取。 3. 实验设备与材料清单:电子束光刻(EBL)加工技术、SOI平台、Keysight 81608A可调光源、Keysight N7744A光功率计。 4. 实验流程与操作步骤:制备过程包括涂覆电子束光刻胶、电子束曝光、刻蚀及沉积SiO2包层。测试环节测量插入损耗和回波损耗。 5. 数据分析方法:计算并比较不同模型的插入损耗和回波损耗。通过移动尖端模拟工艺误差来分析功率均匀性。

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  • 光电信息科学与工程实验方案2

    1. 实验设计与方法选择:本研究采用14 MeV中子辐照波导集成硅基锗p-i-n光电二极管,以探究位移损伤效应。测量内容包括暗态电流-电压特性、光电二极管结电容、光谱响应及频率响应。 2. 样本选择与数据来源:三组芯片接受不同注量辐照,另设对照组。分别在辐照前后进行测量。 3. 实验设备与材料清单:设备包括Keithley 2400源测量单元、Keysight E8361C精密网络分析仪及Lake Shore Cryotronics MTD-150闭循环表征系统。 4. 实验流程与操作步骤:器件在无偏置状态下辐照,随后经历室温退火期再进行表征测试。测量覆盖多温度范围及偏置条件。 5. 数据分析方法:通过拟合模型提取结电容和理想因子等参数,并对比辐照前后的性能指标。

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厂家介绍

是德科技公司(NYSE:KEYS)是全球领先的电子测量公司,通过无线、模块化和软件解决方案的创新改变当今的测量体验。凭借惠普和安捷伦的传统,是德科技凭借世界一流的平台、软件和一致的测量科学,为无线通信、航空航天、国防和半导体市场提供解决方案。该公司拥有9,500多名员工,为100多个国家的客户提供服务。

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