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SLD433S4 半导体激光器

SLD433S4

分类: 半导体激光器

厂家: Sony Semiconductor Solutions Corporation

产地: 日本

型号: SLD433S4

更新时间: 2024-08-29T02:44:29.000Z

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60 W Array Laser Diode

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概述

SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管,波长为805至811 nm,输出功率为60 W,工作电压为2.5 V,工作电流为75至85 A,阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : Soild State Laser Excitation
  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs
  • 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array

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厂家介绍

索尼的半导体业务始于1954年日本先进个晶体管的商业化。从那时起,我们继续为索尼的原创产品开发和市场创造做出贡献。在图像传感器方面,索尼在1980年将世界上先进台CCD彩色摄像机商业化,多年来推出了许多其他成功的产品。从2004年起,我们开始专注于低功耗、快速读出的CMOS图像传感器。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series 半导体激光器 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器 Laser Components

    峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C

    高功率脉冲激光二极管,采用多结设计,提供高达335瓦的功率输出,具有高效能和高可靠性,适用于多种应用场景。

  • ADL-66201TL 半导体激光器 红光激光二极管 半导体激光器 Arima Lasers

    光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V

    ADL-66201TL是一款红光激光二极管,典型发射波长为658nm,额定输出功率为20mW,具有单横模发射特性,最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装,并集成了PD,是许多工业应用中的高效辐射光源。

  • HSL-20 半导体激光器 高速扫描激光器 半导体激光器 Santec Corporation

    主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm

    HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器,结合了高速度操作和长相干长度,适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率,并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

  • R2+ 50W Pulsed Fiber Laser 半导体激光器 R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器 Brimo Technology Inc.

    平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz

    R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器,具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量,适用于多种材料加工和工业应用。

  • 2327 nm DFB Laser 半导体激光器 NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器 Norcada Lasers

    存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3

    Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器,型号为NL2327-B,具有高稳定性和高性能,适用于多种光电应用场景。

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