在电子电工领域,无论是维修一块精密的电路板还是设计一套复杂的配电系统,准确识别电容器的容量都是至关重要的第一步。电容器有几种标示容量的表示方法?这个问题看似基础,却直接关系到电路的性能、设备的稳定乃至整个系统的安全。对于工程师、技术人员和电子爱好者而言,熟练掌握这些表示方法是必备的核心技能,它能帮助您快速选型、避免误用,并高效地进行故障排查。本文将系统梳理电
IND02D000D102
分类: 半导体激光器
厂家: II-VI Laser Enterprise GmbH
产地: 美国
型号: IND02D000D102
更新时间: 2024-08-30T08:00:59.000Z
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1300 nm 28 Gb/s NRZ and 56 Gb/s PAM4 CWDM4 DFB Laser Diode Chip
概述
参数
- 应用 / Application : Fiber optical communication links, Gigabit Ethernet and storage area networks, 5G Wireless front-haul datalinks
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
- 阈值电流 / Treshold Current : 85°C 11-17mA, 25°C 5mA
- 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : 0°C/85°C 4
- 饱和电流 / Saturation Current : 85°C 80-100mA
- 差分电阻 / Differential Resistance : P=5mW, 85°C 7-10Ohm
- 电容 / Capacitance : 1.2pF
- 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : 7-60
- 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : P=5mW 35dB
- 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
- 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : Θ FWHM 30degree
- 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : Θ FWHM 35degree
- 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : I=60mA, 85°C 15.5-17.5GHz
应用
1.光纤通信链接,2.千兆以太网和存储区域网络,3.5G无线前传数据链路。
特征
1.设计用于无冷却28 Gb/s NRZ,2.工作温度范围为-20°C至95°C,3.符合GR-468标准,适用于非密封封装,4.优异的可靠性,5.顶部阳极和背面阴极配置。
规格书
厂家介绍
II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“相干”这个名字,是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结,明确的目标,以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术,连贯性赋予市场创新者力量。
连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。
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