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IND02D300D102 半导体激光器

IND02D300D102

分类: 半导体激光器

厂家: II-VI Laser Enterprise GmbH

产地: 美国

型号: IND02D300D102

更新时间: 2024-08-30T08:00:59.000Z

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1300 nm 28 Gb/s NRZ and 56 Gb/s PAM4 CWDM4 DFB Laser Diode Chip

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概述

来自II-VI Incorporated的IND02D300D102是波长为1324.5nm、1331nm、1337.5nm、输出功率为5.5mW、工作电压为1.6V、阈值电流为5至19mA的激光二极管。有关IND02D300D102的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : Fiber optical communication links, Gigabit Ethernet and storage area networks, 5G Wireless front-haul datalinks
  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.1-0.2W/A@85°C
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio : SE0C/SE85C=4
  • 饱和电流 / Saturation Current : 80-100mA@85°C
  • 差分电阻 / Differential Resistance : 7-10Ohm@Po=5mW, 85°C
  • 电容 / Capacitance : 1.2pF
  • 前后输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio : Pf/Pb=7-60
  • 旁模抑制比 / Side Mode Suppression Ratio : SMSR≥35dB@Po=5mW
  • 热阻 / Thermal Impedance : 140K/W
  • 水平发散角 / Beam Divergence (Horizontal) : ΘH=30degree
  • 垂直发散角 / Beam Divergence (Vertical) : ΘV=35degree
  • 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency : fr=15.5-17.5GHz@I=60mA, 85°C

应用

1.光纤通信链接 2.千兆以太网和存储区域网络 3.5G无线前传数据链路

特征

1.设计用于无冷却28 Gb/s NRZ 2.操作温度范围-20°C至95°C 3.符合GR-468标准 4.顶部阳极和背面阴极配置

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厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“相干”这个名字,是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结,明确的目标,以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术,连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • High Power Pulsed Laser Diodes 905D3JT09-Series 半导体激光器 高功率脉冲激光二极管 半导体激光器 Laser Components

    峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C

    高功率脉冲激光二极管,采用多结设计,提供高达335瓦的功率输出,具有高效能和高可靠性,适用于多种应用场景。

  • ADL-66201TL 半导体激光器 红光激光二极管 半导体激光器 Arima Lasers

    光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V

    ADL-66201TL是一款红光激光二极管,典型发射波长为658nm,额定输出功率为20mW,具有单横模发射特性,最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装,并集成了PD,是许多工业应用中的高效辐射光源。

  • HSL-20 半导体激光器 高速扫描激光器 半导体激光器 Santec Corporation

    主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm

    HSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器,结合了高速度操作和长相干长度,适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率,并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。

  • R2+ 50W Pulsed Fiber Laser 半导体激光器 R2 + 50 W脉冲光纤激光器 半导体激光器 Brimo Technology Inc.

    平均功率: 50W 质心波长: 1064±3nm 可调重复频率范围: 50-2000kHz

    R2+ 50W脉冲光纤激光器是一款高性能的MOPA激光器,具有宽频率调制、高峰值功率和优异的光束质量,适用于多种材料加工和工业应用。

  • 2327 nm DFB Laser 半导体激光器 NL2327-B nm DFB激光器 半导体激光器 Norcada Lasers

    存储温度: -40~50 外壳工作温度: -20~50 热电冷却器电流: 2.3

    Norcada公司提供的2327 nm DFB激光器,型号为NL2327-B,具有高稳定性和高性能,适用于多种光电应用场景。

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