在电子制造与研发领域,如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用,提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证,该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景,并分享提升
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概述
参数
- 偏振器类型 / Polarizer Type : Holographic Wire Grid Polarizers
- 偏振器形状 / Polarizer Shape : Round
- 基底/材料 / Substrate/Material : KRS-5
- RoHS / RoHs : Yes
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外尔半金属中的超快对称性转换
拓扑量子材料展现出引人入胜的特性,在无损耗电子器件和容错量子计算机领域具有重要应用价值。通过调控这些材料的拓扑不变量,有望开发出类似晶体管开关的拓扑切换应用。晶格应变是调节这些拓扑不变量最自然的方式,因为它能直接改变电子-离子相互作用,并可能改变决定拓扑特性的基础晶体对称性。然而,通过异质外延晶格失配和位错等传统施加应变的方法,无法实现晶体管所需的可控时变调控方案。要集成到功能性器件中,必须突破材料固有的拓扑?;ぬ匦裕迪指咚偻仄说骺?。本研究利用相对论电子衍射的晶体学测量证明:太赫兹光脉冲可在Weyl半金属WTe?中诱导产生具有大幅值的太赫兹频率层间剪切应变,从而形成拓扑性质迥异的亚稳态相。独立非线性光学测量表明该转变与向中心对称、拓扑平庸相的对称性变化相关。我们进一步证实这种剪切应变能以超快、节能的方式诱导出稳定分离的Weyl点,或湮灭所有相反手性的Weyl点。本工作展示了固体拓扑特性超快调控的可能性,以及开发太赫兹频率拓扑开关的前景。
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材料物理实验方案
1. 实验设计与方法选择:本研究采用相对论超快电子衍射(UED)测量结构变化,利用二次谐波产生(SHG)等非线性光学技术探测对称性变化。通过太赫兹泵浦脉冲诱导应变,并辅以密度泛函理论(DFT)计算提供理论支持。 2. 样品选择与数据来源:采用自熔剂法合成高质量WTe2和MoTe2单晶,经剥离后转移至Si3N4薄膜用于UED实验。 3. 实验设备与材料清单:设备包括SLAC 3兆电子伏特UED装置、太赫兹源(如DSTMS和OH-1晶体发生器)、电子倍增CCD相机、钛宝石激光器、光学参量放大器、中红外GaSe晶体发生器及原子力显微镜(厚度验证)。材料包含钨粉与碲粉、聚丙烯碳酸酯、丙酮、异丙醇及氮气。 4. 实验流程与操作规范:生成并聚焦太赫兹泵浦脉冲至样品;通过延迟平台调控电子探针脉冲时序。采集衍射图样,分析强度变化确定剪切位移??筍HG测量监测反演对称性变化。 5. 数据分析方法:采用结构因子计算对布拉格峰强度变化进行全局拟合,通过DFT模拟电子能带结构与声子模式,运用快速傅里叶变换解析振荡频率。
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电话
单位名称
用途