在工业自动化和精密测量领域，激光位移传感器已成为不可或缺的电工工具。无论是检测生产线上的微小偏差，还是监控配电系统中设备的振动幅度，其高精度和非接触式测量的优势显著提升了效率与安全性。然而，面对市场上琳琅满目的型号（如基于激光二极管或光纤元件的产品），许多工程师在选型和应用中仍存在困惑。本文将深入解析激光位移传感器的工作原理、核心参数及典型场景，助您全面掌握
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LX23108AL
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概述
LX23108AL是Microsemi公司生产的一款LED驱动芯片，工作电压为-0.5~5.5V，工作电流为1~7mA.有关LX23108AL的更多详细信息，请联系我们。
参数
- 拓扑 / Topology : Constant Current
- RoHS / RoHs : Yes
- 应用 / Applications : LCD Monitor and TV, Large Signage Display
- Packing Dimension / Package Size : 5 x 5 mm
图片集
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厂家介绍
Microsemi Corporation（NASDAQ：MSCC）为航空航天和国防、通信、数据中心和工业市场提供全面的半导体和系统解决方案组合。产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC和ASIC；电源管理产品；定时和同步装置以及精确的时间解决方案，为时间设定了世界标准；语音处理设备；射频解决方案；分立元件；企业存储和通信解决方案、安全技术和可扩展的防篡改产品；以太网解决方案；以太网供电IC和中跨；以及定制设计能力和服务。Microsemi总部位于加利福尼亚州Aliso Viejo，在全球拥有约4，800名员工。
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名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
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Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN系列LED芯片，具有高亮度和高驱动电流能力，广泛应用于户外显示、交通信号和汽车等领域。
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正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
ES-SMSOPN42B AlGaInP PN系列LED芯片具有高亮度和优异的电光特性，广泛应用于交通信号、汽车和照明等领域。
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峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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ES-SMYLPN14R AlGaInP PN系列LED芯片具有高光强度，适用于户外显示和交通信号等应用。
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