在电子制造与研发领域,如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用,提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证,该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景,并分享提升
UPD-3N-IR2-P
光电探测器 光谱范围 超高速 光波形测量 上升时间 带宽
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概述
参数
- 应用 / Application : Pulse Form Measurements, Pulse Duration Measurements, Precise Synchronization, Mode Beating Monitoring, Heterodyne Measurements
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 上升时间 / Rise Time : 150 ps
- 窗口材料 / Window Material : Polished, Glass
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.07 mm
应用
1. 脉冲波形测量 2. 脉冲持续时间测量 3. 精确同步 4. 模式拍频监测 5. 外差测量
特征
1. 超高速操作 2. 上升时间:从15 ps起 3. 带宽:高达25 GHz 4. 光谱范围:170 - 2600 nm 5. 紧凑设计 6. 电池或外部电源供电 7. 自由空间光束或FC/PC接口或带SM光纤尾纤
详述
规格书
厂家介绍
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