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OP506D 光电晶体管

OP506D

分类： 光电晶体管

厂家： TT Electronics

产地： 加拿大

型号： OP506D

更新时间： 2024-08-30T06:37:50.000Z

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概述

来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 应用 / Application : Space-limited applicatons, Interruptve applicaOons to detect media which is semitransparent to infrared light
  • 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
  • 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
  • 极性 / Polarity : NPN
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
  • 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
  • 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
  • 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
  • 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.55 mA
  • 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • EL354N-G Series 光电晶体管 AC输入光电晶体管耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW

    EL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器，采用AC输入设计，具有高隔离电压和紧凑封装，适用于多种工业和通信应用。

  • EL357N-G Series 光电晶体管 标准光电晶体管耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL357N-G系列包含一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。

  • EL816 Series 光电晶体管 EL816 Series光耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引脚间距和SMD选项。

  • EL817-G Series 4 Pin DIP Phototransistor Photocoupler 光电晶体管 EL817-G Series光耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。

  • EL8171-G Series 光电晶体管 低功耗光电晶体管型光电耦合器 光电晶体管 亿光电子

    正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW

    EL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器，采用绿色化合物封装，提供高隔离电压和低输入电流特性。

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