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QLTP660CPD 光电晶体管

QLTP660CPD

分类： 光电晶体管

厂家： Light in Motion

产地： 美国

型号： QLTP660CPD

更新时间： 2024-08-27T14:52:38.000Z

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概述

来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA，功耗为75 MW，波长（光谱灵敏度）为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息，请联系我们。

参数

  • 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
  • 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Miniature Phototransistor
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
  • 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.5 to 1.8 mA
  • 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1200 nm

图片集

QLTP660CPD图1
QLTP660CPD图2
QLTP660CPD图3
QLTP660CPD图4
QLTP660CPD图5
QLTP660CPD图6
QLTP660CPD图7
QLTP660CPD图8
QLTP660CPD图9
QLTP660CPD图10
QLTP660CPD图11
QLTP660CPD图12
QLTP660CPD图13
QLTP660CPD图14
QLTP660CPD图15
QLTP660CPD图16
QLTP660CPD图17
QLTP660CPD图18
QLTP660CPD图19
QLTP660CPD图20
QLTP660CPD图21

规格书

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厂家介绍

Light In Motion Organization致力于设计、制造和供应专用于传感器行业的高质量、高可靠性的光学发射器和探测器组件和组件。请参阅我们的能力声明。Light In Motion的所有者将与飞利浦半导体（Philips Semiconductor）、GI Optoelectronics、QT Optoelectronics和飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）合作50年的经验带到了这项业务中。我们拥有丰富的半导体、光学工程、制造技术、供应链和特定应用经验，所有客户都可以找到满足其传感器要求的标准、半定制或定制解决方案。

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    EL357N-G系列包含一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。

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    正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。

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