在电子制造与研发领域，如何精准分析材料的分子结构并检测微小缺陷一直是行业痛点。拉曼光谱仪的作用正是解决这一难题的核心技术——它通过激光与物质分子振动能级的相互作用，提供非接触、无损的化学成分"指纹图谱"。从半导体晶圆的质量控制到新型光纤元件的材质验证，该技术已成为现代电子工业不可或缺的分析工具。本文将深入解析拉曼光谱仪在电子电工行业的具体应用场景，并分享提升
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LA LM08NIV3
标签：
VCSEL 激光器 近红外 消费电子 传感器 光电子
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概述
LA LM08NIV3是一款高性能近红外VCSEL芯片，适用于传感器光源和消费电子产品，具有优越的光提取效率和性能。
参数
- 芯片高度 / Chip Height : 150-170μm
- 键合焊盘直径 / Bond Pad Diameter : 95μm
- 辐射功率 / Radiant Power : 4.5-7.5mW
- 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.5-1.2W/A
- 连续正向电流 / Continuous Forward Current : 15mA
- 人体模型 / Human-Body Model : 300V
- 焊接温度 / Soldering Temperature : 260°C
应用
1. 传感器光源 2. 消费电子产品
特征
1. GaAs红外芯片 2. 6.0 mW VCSEL (@ 9 mA) 3. 多模光束轮廓
详述
1. GaAs红外芯片 2. 6.0 mW VCSEL (@ 9 mA) 3. 多模光束轮廓
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厂家介绍
CHIPS 4 Light GmbH的目标客户是对光电元件有特殊要求的公司，并正在寻找中等数量的客户特定解决方案。该公司销售来自领先制造商的LED芯片、LED、探测器和激光产品，并开发特殊的光电元件以及客户特定的?？?根据要求也有自己的ASIC.
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名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN系列LED芯片，具有高亮度和高驱动电流能力，广泛应用于户外显示、交通信号和汽车等领域。
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ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 光谱半宽: 18 nm 发光强度H12: 7500 mcd
ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN系列LED芯片，具有高发光强度，适用于交通信号、汽车和照明等多个应用。
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ES-SMSOPN42B AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
ES-SMSOPN42B AlGaInP PN系列LED芯片具有高亮度和优异的电光特性，广泛应用于交通信号、汽车和照明等领域。
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ES-SMSOPN20R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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ES-SMYLPN14R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
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