在当今的电子电工领域，为工业加工、通信或配电系统选择核心光源时，光纤激光与半导体激光（常直接称为激光二极管）的抉择是工程师们无法绕开的关键议题。这两种技术路线截然不同，直接影响到设备性能、系统稳定性及长期运营成本。理解它们的核心差异、优劣势以及适用场景，对于优化生产流程、选对电工工具乃至提升整个系统的能效都至关重要。这不仅是一个技术选型问题，更关乎企业的核心
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LA KG120U8F
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光电 高效能 消毒 紫外LED 灭菌 铝反射器
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参数
- 辐射功率 / Radiant Power : 220...280mW
- 正向电压 / Forward Voltage : 23...29V
- 光束发散角 / Beam Divergence Angle : 105°
- 热敏电阻 / Thermal Resistance : 5K/W
应用
1. 消毒 2. 灭菌 3. 光谱学
特征
1. 峰值波长275nm 2. 铝SMT封装 3. 辐射功率典型值250mW 4. ESD?；ざ?/p>
详述
1. 峰值波长275nm 2. 铝SMT封装 3. 辐射功率典型值250mW 4. ESD保护二极管
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厂家介绍
CHIPS 4 Light GmbH的目标客户是对光电元件有特殊要求的公司，并正在寻找中等数量的客户特定解决方案。该公司销售来自领先制造商的LED芯片、LED、探测器和激光产品，并开发特殊的光电元件以及客户特定的模块-根据要求也有自己的ASIC.
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名称
分类
制造商
参数
描述
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ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
光强度: E17 550 mcd, E18 600 mcd
ES‐SMSOPN14 AlGaInP PN系列LED芯片，具有高亮度和高驱动电流能力，广泛应用于户外显示、交通信号和汽车等领域。
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ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN‐系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 光谱半宽: 18 nm 发光强度H12: 7500 mcd
ES‐SMSOPN28B AlGaInP PN系列LED芯片，具有高发光强度，适用于交通信号、汽车和照明等多个应用。
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ES-SMSOPN42B AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
正向电压: 1.35-3.0 V 峰值波长: 621 nm 主波长: 610-620 nm
ES-SMSOPN42B AlGaInP PN系列LED芯片具有高亮度和优异的电光特性，广泛应用于交通信号、汽车和照明等领域。
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ES-SMSOPN20R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
峰值波长: 621 nm 发光强度: 7500-9000 mcd 运输温度: -20~+65 ?C
ES-SMSOPN20R AlGaInP PN系列LED芯片，具备高发光强度和薄膜结构，广泛应用于交通信号和照明领域。
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ES-SMYLPN14R AlGaInP pn系列LED芯片
LED驱动器芯片
Epistar
厚度: 8.8 mil (225±25 μm) N电极尺寸: 4.5 mil (115±10 μm) 正向电压Vf1: 1.3 V
ES-SMYLPN14R AlGaInP PN系列LED芯片具有高光强度，适用于户外显示和交通信号等应用。
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