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OSQ4000TEC 光电二极管
芯片尺寸: Φ4mm 间隙: 110μm 暗电流: 7-75nA 上升时间: 5ns 温度系数: 3.3V/KOSQ4000TEC是一款分段象限雪崩光电二极管，具有高量子效率和增强的红外响应能力，适用于激光束位置传感器、光学镊子和激光引导等应用。
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OSQ100-IC 光电二极管
推荐光斑尺寸: Φ0.1-Φ4 mm 损伤阈值连续波: 300 mW/cm2 损伤10ns脉冲: 1500 mJ/cm2 短路电流: 90 μA 短路电流温度系数: 1.1 %/°COSQ100-IC是一款低暗电流的硅象限光电二极管，适用于激光束位置传感器、光学镊子、太阳能跟踪系统等应用。
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OSD36-IC 光电二极管
芯片尺寸: 6.0*6.0mm2 有效区域: 5.706*5.706mm2 短路电流: 152μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 249mVOSD36-IC是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管，适用于分析仪器、精密光度测量、荧光检测器等应用。
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OSD1-UT 光电二极管
短路电流: 14μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 360mV 开路电压温度系数: -2.2mV/℃ 暗电流: 30pAOSD1-UT是一款高输出、高灵敏度的硅紫外光电二极管，适用于分析仪器、水分析仪、精密光度测量等应用。
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OSD36-IM 光电二极管
短路电流: 441μA Isc温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 446mV Voc温度系数: 2mV/℃ 暗电流: 20pAOSD36-IM是一款高输出、高灵敏度的硅PIN光电二极管，适用于分析仪器、光学测量设备、精密光度测量、医疗设备和红外/激光光监测。
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SiPM3-VM 光电二极管
芯片尺寸: 9mm2 光敏/有效面积: 196um2 互连元件: 14400pixels 像素间距: 25um 填充因子: 31%SiPM3-VM是一种光子计数固态替代品，适用于高能物理、荧光寿命测量、DNA测序等应用。
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OSD1211 光电二极管
芯片尺寸: 2.465×2.465mm2 有效区域: 2.225×1.063×2elements mm2 元素间距: 0.099mm 短路电流: 20μA 短路电流温度系数: 1.1%/°COSD1211是一种高性能的PIN光电二极管阵列，适用于跟踪控制、边缘驱动和工业电子应用。
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IGA32-APD 光电二极管
有效直径: 24*75um/pixel 间距/中心间距: 48um 间距: 24um 工作增益: 1-75 量子效率(1550nm): 80%-85%IGA32-APD是一款背面照明的InGaAs雪崩光电二极管阵列，提供更高的响应度和更低的电容。
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PSD0308 光电二极管
芯片尺寸: 3.302×8.128mm2 有效区域: 3.048×7.62mm2 光电流: 200-250μA 短路电流温度系数: 2856K 0.18%/℃ 反向电压: 30VPSD0308是一款高性能位置传感器，具有高速响应和宽角度响应，适用于接近传感器和激光束聚焦。
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OSD1211 光电二极管
芯片尺寸: 2.465×2.465mm2 有效区域: 2.225×1.063×2elements mm2 元素间距: 0.099mm 短路电流: 20μA 短路电流温度系数: 1.1%/°COSD1211是一款高性能的PIN光电二极管阵列，适用于零点操作、定位和工业电子应用。
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OSQ50-SPB 光电二极管
存储温度: -15~+100 工作温度: 0~+70 电源电压: ±4.5~±18 偏置电压: 0~15 推荐光斑尺寸: Φ0.1~Φ4OSQ50-SPB是一款高精度象限光电二极管，适用于位置测量、光束对准、目标定位等应用。
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APD500-9T 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 500μm 暗电流: 0.1-1.0nA 结电容: 1.2pF 反向击穿电压: 80-200VAPD500-9T是一款高增益、低噪声的光电二极管，适用于激光测距仪和高速光通信。
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PSD0220 光电二极管
有效区域: 2*20 mm2 暗电流: 20 pA 暗电流: 12.8 nA 上升时间: 120 ns 热漂移: 20-100 ppm/°CPSD0220是一种高位置分辨率的光电探测器，适用于激光束聚焦、距离测量等应用。
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OSD260P 光电二极管
短路电流: 35μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 320mV 开路电压温度系数: -2.2mV/℃ 暗电流: 40pAOSD260P是一种高灵敏度的硅平面光电二极管阵列，适用于光学开关、脉冲激光检测器、自动传感器和工业机器。
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OSA9-3-IC 光电二极管
短路电流: 42μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 344mV 开路电压温度系数: -2.2mV/℃ 暗电流: 50pAOSA9-3-IC是一种高灵敏度的硅平面光电二极管阵列，适用于光学开关、脉冲激光检测器、自动传感器和工业机器。
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APD500-9TF 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 500μm 间隙/分离: 1200um 间距: 200um 暗电流: 0.1-1.0nAAPD500-9TF 是一种高增益、低噪声的雪崩光电二极管，适用于激光测距仪和高速光通信。
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APD230-8M 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 230μm 暗电流: 0.02-0.20nA 结电容: 1.5pF 反向击穿电压: 80-200VAPD230-8M是一款高增益、高速的光电探测器，适用于激光测距仪和高速光通信。
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OSD100-EC 光电二极管
芯片尺寸: 10×10mm 有效区域: 9.4×9.4mm2 短路电流: 750μA 短路电流温度系数: -1%/℃ 开路电压: 450mVOSD100-EC是一款高灵敏度、高速响应的光电二极管，适用于色彩传感器、激光检测、医疗设备和光度计等应用。
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MOD1-25D 光电二极管
活动区域: 1*1mm2 元件间隙: 300um 短路电流: 7uA Isc温度系数: 1.2%/℃ 开路电压: 332mVMOD1-25D 是一个高光敏度的红外增强光电二极管阵列，适用于散射测量、脉冲激光检测和位置传感。
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OSD5870 光电二极管
芯片尺寸: 5.715×11.303×2 mm2 有效区域: 5.365×10.953×2 elements mm2 元素间距: 0.5 mm 短路电流: 134 μA 短路电流温度系数: 1.2 %/°COSD5870是一种PIN光电二极管阵列，具有0.50mm的元素间隙，用于零点操作、居中或电测量小的位移变化，安装在带树脂涂层的陶瓷封装中。