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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供2040个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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IGQ1000-IT InGaAs Quadrant Photodiode 光电二极管
芯片尺寸: Φ1mm 间隙: 20um 暗电流: 25-100nA 上升时间: 1-2ns 暗电流温度系数: 0.18times/°CIGQ1000-IT InGaAs Quadrant Photodiode,具有低暗电流和高可靠性,适用于激光束位置传感器、光学镊子、微小过程控制器和激光引导等应用。
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OSD0510-IC 光电二极管
芯片尺寸: 5.715*11.303mm2 有效区域: 5.365*10.953mm2 短路电流: 75μA 短路电流温度系数: 2856K 开路电压: 350mVOSD0510-IC是一款高速度、高灵敏度的PIN硅光电二极管,适用于激光束对准、红外光监测等应用。
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OSD9-UM 光电二极管
芯片尺寸: 2.97×2.97mm2 有效区域: 2.47×2.47mm2 短路电流: 14μA 短路电流温度系数: 1%/℃ 开路电压: 360mVOSD9-UM是一款高输出、高灵敏度的硅紫外增强光电二极管,适用于分析仪器、精密光度计、荧光分析仪等应用。
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OSD9-BM 光电二极管
峰值波长: 440nm 芯片有效面积: 9mm2 光谱带宽: 80nm 高线性度: 高线性 暗电流: 20-260pAOSD9-BM是一种蓝光窄波长的光电二极管,具有高灵敏度和快速响应,适用于色彩识别、白平衡调整和光源色温检测。
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OSD9-RM 光电二极管
暗电流: 20 响应时间: 0.1-1 温度系数: 0.18 反向击穿电压: 35 结电容: 513OSD9-RM是一种高灵敏度的红光光电二极管,适用于比色计、显示器颜色校正和选择性环境光检测。
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OSD9-AM 光电二极管
芯片尺寸: 3.0×3.0mm2 有效区域: 2.84×2.84mm2 短路电流: 57μA 短路电流温度系数: 2856K 开路电压: 320mVOSD9-AM是一种高灵敏度的红外光电二极管,适用于光学开关、光学??楹秃焱獯衅鞯扔τ谩?/p>
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OSD9-HM 光电二极管
芯片尺寸: 3.0×3.0mm2 有效区域: 2.84×2.84mm2 短路电流: 95μA 短路电流温度系数: 2856K 开路电压: 380mVOSD9-HM是一种高灵敏度的光电二极管,适用于智能手表、智能手机、智能手环等应用。
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OSD9-IM 光电二极管
芯片尺寸: 3.05×3.05mm2 有效区域: 2.794×2.794mm2 暗电流: 15pA 上升时间: 80ns 温度系数: 0.18times/°COSD9-IM是一款高输出、高速响应的硅光电二极管,适用于激光检测和医疗设备。
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OSH800AKM 光电二极管
有效直径: Φ800um 有效区域: 0.5mm2 标称视场: 145degrees 系统带宽: 50MHz 上升/下降时间(10%-90%点): 7nsOSH800AKM是一款硅雪崩光电二极管,具有低噪声、高灵敏度和快速响应速度,适用于距离测量、激光雷达等应用。
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SiPM5-VM 硅光电二极管
芯片尺寸: 25mm2 光敏/有效面积: 196um2 像素: 40000pixels 像素间距: 25um 填充因子: 31.36%SiPM5-VM是一种用于光电倍增管的固态替代品,具有极低的暗计数率和快速的响应时间,适用于模拟/线性模式和数字模式的高性能操作。
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OPLD905-75T 光电二极管
峰值输出功率: 90W 正向电流: 40A 脉冲宽度(FWHM): 200ns 占空比: 0.1% 反向电压: 3VOPLD905-75T是一款适用于激光测距仪的红外发光二极管,具有高达75W的光学峰值功率和905nm的激光波长,广泛应用于高尔夫球手、猎人、土木工程师和激光雷达等领域。
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OSD2016 光电二极管
芯片尺寸: 2.02±1.62mm2 有效区域: 1.80*0.60*2elements mm2 元素间距: 0.099mm 短路电流: 20μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃OSD2016是一种高性能的PIN光电二极管阵列,适用于跟踪控制、边缘驱动和工业电子应用。
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OPLD905-25T 光电二极管
峰值输出功率: 20-30mW 峰值波长: 895-915nm 频谱带宽: -7nm 半角: -50° 阈值电流: 0.50-1.00AOPLD905-25T是一款适用于激光测距仪的红外LED,具有高达25W的光学峰值功率和905nm的激光波长,适合高尔夫球手、猎人、土木工程师和激光雷达等应用。
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APD1697A8 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 1.60*0.97mm 间距/中心间距: 1.80mm 间距: 200um 暗电流: 0.3-1.0nAAPD1697A8是一款高灵敏度的雪崩光电二极管,适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信等应用。
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APD7525A4 光电二极管
波长范围: 400-1100nm 有效直径: 750×250μm 间距/中心间距: 880μm 间距: 130μm 暗电流: 5-8nAAPD7525A4是一种高灵敏度的雪崩光电二极管,适用于激光测距仪、激光雷达和高速光通信等应用。
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OPLD905-75T 光电二极管
峰值输出功率: 65-85mW 峰值波长: 895-915nm 频谱带宽: 7nm 半角: 50° 阈值电流: 0.50-1.00AOPLD905-75T是一款适用于激光测距仪的红外LED,具有高达75W的光学峰值功率和905nm的激光波长,适合高尔夫球手、猎人、土木工程师和激光雷达应用。
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OSQ50-IT 光电二极管
元件数量: 4 有效面积(每个元素): 12mm2 间隙: 42um 光谱范围: 400-1100nm 光敏度: 0.60A/WOSQ50-IT是一款具有低暗电流和高分辨率的硅光电二极管,适用于激光束位置传感器、自动准直仪、光学镊子和椭偏仪等应用。
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MCT-0808/2525 光电二极管
波长范围: 3~5um 波长范围: 3~5um 有效面积: 0.8X0.8mm 有效面积: 0.25X0.25mm 封装: TO-3MCT-0808/2525是一款高灵敏度中红外探测器,适用于红外光谱分析、环境监测和工业过程控制。
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MCT2525-TE3 光电二极管
活动面积: 0.25 工作温度: -65℃ 截止波长(最小): >4.7 峰值波长: ~4.8 最小黑体D* (500K, 1KHz): >3.5E09MCT2525-TE3是一种HgCdTe半导体化合物,具有短波探测功能,适用于红外轴承温度检测和高温火灾检测。
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OSC1829 光电二极管
工作电压: 4.5-5.5V 供电电流: 4nA 低电平输出: 0.35V 高电平输出: 4.9V 低电平电流: 16nAOSC1829是一款集成光电二极管、线性前置放大器和比较器的单片集成电路,适用于光学开关应用。