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光电二极管

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  • C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管 光电二极管

    C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

    Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

  • VEMD6060X01 光电二极管

    VEMD6060X01

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.8 to 11 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD6060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为4.8至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6060x01的更多详细信息，请联系我们。

  • InGaAs雪崩光电二极管2.5Gbps 光电二极管

    InGaAs雪崩光电二极管2.5Gbps

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Go!Foton
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1625 nm

    走！Foton的雪崩光电二极管（APD），前照式，适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

  • ODD-5WISOL 光电二极管

    ODD-5WISOL

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Opto Diode

    Opto Diode Corporation的ODD-5WiSOL是一种光学检测器，其波长范围为632 nm，上升时间为10 nsec，暗电流为1至3 nA，电容为11 PF，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W.

  • ODD-5WB 光电二极管

    ODD-5WB

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Opto Diode

    Opto Diode Corporation的ODD-5WB是一款光学检测器，波长范围为450 nm，上升时间为10 nsec，暗电流为1至3 nA，电容为11 PF，响应度/光敏度为2.20至0.28 A/W.ODD-5WB的更多详情见下文。

  • L25D19 - 25毫米光电倍增管 光电二极管

    L25D19 - 25毫米光电倍增管

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 630nm 上升时间: 1.0ns

    L25D19是一个直径为25 mm（1）的端窗光电倍增管，具有一个蓝绿敏感的双碱光电阴极和8个线性聚焦型倍增电极。

  • D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管

    D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

    德国
    分类：光电二极管
    厂家：VI Systems GmbH
    响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 偏压: -2.5V 3 dBo带宽: 30-40 GHz 电容: 0.095 pF

    D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连?？商峁┑バ酒?通道芯片阵列，间距为250 μm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管

    C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V 增益: 12-18

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30659 Series（系列）带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD） 光电二极管

    C30659 Series（系列）带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD）

    美国
    分类：光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50? (AC-Coupled) 可靠性: 高

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD） 光电二极管

    C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD）

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 1x1mm2 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

  • C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain 上升时间: 2ns

    C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

  • C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD） 光电二极管

    C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD）

    美国
    分类：光电二极管
    形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 谱噪声密度: 0.5pA/?Hz

    C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

  • C30626FH系列雪崩光电二极管 光电二极管

    C30626FH系列雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 谱噪声密度: 0.5pA/?Hz

    C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

  • C30884EH 硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30884EH 硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    光敏表面有效面积: 0.5mm2 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

    C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

  • C30817EH series（系列）硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30817EH series（系列）硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 0.5mm2 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees 击穿电压: 300-475V

    C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

  • 134A 光电二极管

    134A

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：Broadcom
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InAIAs RoHS: Yes

    来自Broadcom的134A是波长范围为1260至1620 nm的光电二极管。有关134A的更多详细信息，请联系我们。

  • SIC01S-18 光电二极管

    SIC01S-18

    奥地利
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 pF 响应度/光敏度: 0.085 to 0.130 A/W

    Roithner Lasertechnik的SiC01S-18是一款光电二极管，波长范围为220至360 nm，电容为15 PF，暗电流为0.2 fA，响应度/光敏度为0.085至0.130 A/W.SiC01S-18的更多详细信息见下文。

  • PF511 光电二极管

    PF511

    奥地利
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 12 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.85 A/W

    Roithner Lasertechnik的PF511是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为12 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.80至0.85 A/W，有效面积直径为300μm.有关PF511的更多详细信息，请联系我们。

  • LAPD-3-09-17-TO39 光电二极管

    LAPD-3-09-17-TO39

    奥地利
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 750 to 2000 pF 响应度/光敏度: 0.02 to 0.95 A/W

    Roithner Lasertechnik的LAPD-3-09-17-TO39是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为750至2000 PF，暗电流为25至100 nA，响应度/光敏度为0.02至0.95 A/W.有关LAPD-3-09-17-TO39的更多详细信息，请联系我们。