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集电极发射极电压（击穿）
Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）
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集电极发射极电压（饱和）
Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）
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集电极暗电流
Collector-Dark Current（nA）
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发射极集电极电压（击穿）
Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）
确定 取消 -
导通状态集电极电流
On-State Collector Current（mA）
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波长（光谱灵敏度）
Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
光电查为您提供197个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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EL817-G Series光耦合器
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 降额因子(温度>100°C): 5.8mW/°CEL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。
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EL816 Series光耦合器
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗降额因子(高于Ta=80°C): 5.8mW/°CEL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引脚间距和SMD选项。
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标准光电晶体管耦合器
正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 70mW 功耗降额因子(约Ta=100℃): 2.9mW/℃EL357N-G系列包含一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。
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AC输入光电晶体管耦合器
正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW 功率耗散降额因子(高于Ta=90°C): 3.7mW/°C 集电极-发射极电压: 80VEL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器，采用AC输入设计，具有高隔离电压和紧凑封装，适用于多种工业和通信应用。
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低功耗光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW 输出功耗: 150mW 集电极电流: 50mAEL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器，采用绿色化合物封装，提供高隔离电压和低输入电流特性。
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高压光电达林顿型光电耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗(输出): 300mWEL852系列是一款由红外发光二极管与高压光达林顿检测器光耦合而成的光电产品，采用4针DIP封装，提供宽引线间距和SMD选项。
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高压光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1μs脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 集电极功耗: 150mWEL851系列设备由红外发光二极管和光电晶体管探测器光学耦合组成，采用4针DIP封装，并提供宽引线间距和表面贴装选项。
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通用光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗: 150mWEL827系列是一款8针DIP光电晶体管光耦合器，包含红外发光二极管和光电晶体管检测器，封装为8针DIP封装，提供宽引线间距和SMD选项。
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多通道光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗: 150mWEL847系列是一款16针DIP封装的光电晶体管光耦合器，提供四个隔离通道，适用于多种电子设备的信号隔离和传输。
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BPW76B
安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 VVishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。
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RPM-22PB
安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压（击穿）: 32 V 集电极暗电流: 0.5 μA 发射极集电极电压（击穿）: 5 VRohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管，其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA，暗电流高达0.5μA，集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有?1.5透镜，半角为±32度，响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装，非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。
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OP301SL
输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1μA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息，请联系我们。
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OP505D
输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP505D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP505D的更多详细信息，请联系我们。
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OP506D
输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，请联系我们。
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OP508FB
输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息，请联系我们。
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OP552A
输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情，请联系我们。
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OP555A
输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP555A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP555A的更多详情，请联系我们。
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OP598A
输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）25 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情，请联系我们。
