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光电晶体管

已选
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

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  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • OP705B 光电晶体管

    OP705B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP705B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.65至7.25 mA.有关OP705B的更多详情，请联系我们。

  • OP705D 光电晶体管

    OP705D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP705D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至12 mA.有关OP705D的更多详情，请联系我们。

  • OP750A 光电晶体管

    OP750A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    TT Electronics的OP750A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP750A的更多详情，请联系我们。

  • OP770A 光电晶体管

    OP770A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP770A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP770A的更多详情，请联系我们。

  • OP770B 光电晶体管

    OP770B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP770B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP770B的更多详情，请联系我们。

  • OP800SL 光电晶体管

    OP800SL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP800WSL 光电晶体管

    OP800WSL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息，请联系我们。

  • XZRNI56W-1 光电晶体管

    XZRNI56W-1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3036 光电晶体管

    NTE3036

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3036是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.6至1 V，发射极集电极电压（击穿）10至15.5 V，功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3123 光电晶体管

    NTE3123

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3123是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流10 uA，集电极发射极电压（饱和）1 V，导通状态集电极电流0.2至0.8 mA，功耗75 MW.有关NTE3123的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW38 光电晶体管

    BPW38

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 25 V

    来自Light In Motion的BPW38是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW38的更多详细信息，请联系我们。

  • L14C1 光电晶体管

    L14C1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    来自Light in Motion的L14C1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.16 mA，功耗300至600 MW.有关L14C1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G1 光电晶体管

    L14G1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 45 V

    来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14U2 光电晶体管

    L14U2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极暗电流: 100 nA

    来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请联系我们。

  • SFH 3605 光电晶体管

    SFH 3605

    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂家：ams OSRAM
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V 集电极暗电流: 1 to 50 nA

    OSRAM的SFH 3605是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3605的更多详细信息，请联系我们。

  • AM4457P3C 光电晶体管

    AM4457P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • KP-2012P3C 光电晶体管

    KP-2012P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • KPT081M31 光电晶体管

    KPT081M31

    日本
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为?3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • L-3DP3BT 光电晶体管

    L-3DP3BT

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。

  • WP7113P3C 光电晶体管

    WP7113P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息，请联系我们。