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光电晶体管

已选
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

    确定 取消
  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

    确定 取消
  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • NTE3032 光电晶体管

    NTE3032

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 80 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3032是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）80 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3032的更多详细信息，请联系我们。

  • OP538FC 光电晶体管

    OP538FC

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情，请联系我们。

  • OP560B 光电晶体管

    OP560B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP560B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP560B的更多详情，请联系我们。

  • BPW36 光电晶体管

    BPW36

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 45 V

    Light In Motion的BPW36是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW36的更多详细信息，请联系我们。

  • OP550B 光电晶体管

    OP550B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    TT Electronics的OP550B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP550B的更多详情，请联系我们。

  • OP505C 光电晶体管

    OP505C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP505C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP505C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP803SL 光电晶体管

    OP803SL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为4 mA至8 mA，功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情，请联系我们。

  • AM2520P3C03 光电晶体管

    AM2520P3C03

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa

    KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请联系我们。

  • OP598C 光电晶体管

    OP598C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP598C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.5 mA.有关OP598C的更多详细信息，请联系我们。

  • AA3528P3S 光电晶体管

    AA3528P3S

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息，请联系我们。

  • OP552B 光电晶体管

    OP552B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP552B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552B的更多详情，请联系我们。

  • QSA156 光电晶体管

    QSA156

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA156是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA156的更多详细信息，请联系我们。

  • OP750D 光电晶体管

    OP750D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP750D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP750D的更多详情，请联系我们。

  • NTE3037 光电晶体管

    NTE3037

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3037是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.25至0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息，请联系我们。

  • OP565B 光电晶体管

    OP565B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP565B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP565B的更多详情，请联系我们。

  • OP798D 光电晶体管

    OP798D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP798D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.9至15 mA.有关OP798D的更多详情，请联系我们。

  • APL3015P3C 光电晶体管

    APL3015P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa

    KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • QLTP660CPD 光电晶体管

    QLTP660CPD

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Miniature Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA，功耗为75 MW，波长（光谱灵敏度）为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息，请联系我们。

  • L14N2 光电晶体管

    L14N2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light in Motion的L14N2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流2 mA，功耗300至600 MW.有关L14N2的更多详细信息，请联系我们。

  • OP599C 光电晶体管

    OP599C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP599C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.4至1.95 mA.有关OP599C的更多详细信息，请联系我们。