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光电晶体管

已选
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

    确定 取消
  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

    确定 取消
  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • OP535A 光电晶体管

    OP535A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP535A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为10.5 mA.有关OP535A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP755D 光电晶体管

    OP755D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP755D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP755D的更多详情，请联系我们。

  • OP775A 光电晶体管

    OP775A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP775A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP775A的更多详情，请联系我们。

  • OP509C 光电晶体管

    OP509C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    TT Electronics的OP509C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7 mA.有关OP509C的更多详细信息，请联系我们。

  • PT010-33 光电晶体管

    PT010-33

    日本
    分类：光电晶体管
    厂家：牛尾
    安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 10 V 集电极暗电流: 100 nA

    Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息，请联系我们。

  • OP755A 光电晶体管

    OP755A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP755A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP755A的更多详情，请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管

    MTD8600T-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息，请联系我们。

  • OP599D 光电晶体管

    OP599D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP599D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2 mA.有关OP599D的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW85C 光电晶体管

    BPW85C

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息，请联系我们。

  • OP805SL 光电晶体管

    OP805SL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为15 mA，功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情，请联系我们。

  • OP775D 光电晶体管

    OP775D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP775D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP775D的更多详情，请联系我们。

  • T1070P 光电晶体管

    T1070P

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 6 V

    Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.1 V，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息，请联系我们。

  • OP535B 光电晶体管

    OP535B

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情，请联系我们。

  • OP535C 光电晶体管

    OP535C

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP535C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为1.5 mA.有关OP535C的更多详情，请联系我们。

  • MTD6000PT-T 光电晶体管

    MTD6000PT-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息，请联系我们。

  • OP300SL 光电晶体管

    OP300SL

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP300SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1μA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.8 mA.有关OP300SL的更多详情，请联系我们。

  • TEFT4300 光电晶体管

    TEFT4300

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息，请联系我们。

  • OP560A 光电晶体管

    OP560A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP560A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为6.6 mA.有关OP560A的更多详情，请联系我们。

  • OP552D 光电晶体管

    OP552D

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP552D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压（饱和）0.40 V、发射极集电极电压（击穿）5 V、功耗100 MW.有关OP552D的更多详细信息，请联系我们。

  • OP505A 光电晶体管

    OP505A

    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂家：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP505A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP505A的更多详细信息，请联系我们。