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843-R系列经济型手持式激光功率计
准确性: ±0.25% FS ±20pA 分辨率: 18 bits plus sign 采样率: 15 最大探测器输入电流: 1.4 显示类型: 高亮度TFT 320×240像素图形LCD843-R系列是一款经济型手持式激光功率计，能够测量从pJ和pW到数千瓦的功率，设计紧凑且符合人体工程学。它兼容Newport的818、918D、819C/D系列光电探测器和新的919P系列热电堆传感器。
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MDL-III-730
中心波长: 730±10 工作模式: CW 输出功率: 5, 10, 20, 30, 50, 100, 200, 300, 1500 功率稳定性(4小时): <1%, <2%, <3% (<5% optional) 横模: Multimode红色二极管激光器，波长为730nm，具有超紧凑设计、长寿命、成本效益高和操作简便的特点。广泛应用于测量、光谱分析等领域。
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波长稳定的1064 nm / 1030 nm高功率小型蝶形DFB激光器?？?/a>
阈值电流: 15-70mA 峰值波长: 1061.5-1065.5nm 峰值波长: 1028-1032nm 工作CW电流: 400mA CW输出功率: 150-200mWCoherent的CMDFB1064A和CMDFB1030A是波长稳定的高功率单模激光模块，设计用于脉冲窄带光纤激光器和直接频率转换应用。分布反馈光栅（DFB）位于激光腔内，确保波长稳定性。激光芯片和封装优化用于亚纳秒脉冲操作，光纤耦合技术允许高峰值输出功率，且在时间和温度上非常稳定。
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MDL-HD-650/655-OEM
中心波长: 650±10/655±10 工作模式: CW 输出功率: ≥180, 1900, 3000 功率稳定性: ±1%, ±2%, ±3% 偏振方向: Horizontal/Vertical该产品是一款OEM红色二极管激光器，具有超紧凑设计、长寿命、成本效益高和易于操作的特点。广泛应用于测量、光谱分析、激光照明等领域。
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MDL-XF系列线激光器
工作波长: 450, 640, 808, 915, 980, 1064, 1310, 1470, 1550 波长容差: ±5, ±5, ±5, ±5, ±10, ±10, ±20 输出功率: 1-3.5, 0.2-1, 5-10, 1-5, 1-1.5, 1-4.5, 2-12, 0.5-3.5, 1-3.5 功率稳定性(4小时): <1%, <2%, <3% 线角度: 5°, 7°, 10°, 15°, 30°, 45°, 50°, 60°, 75°, 90°, 100°（其他角度可根据需求提供）MDL-XF系列线激光器具有高功率、高直线度、完美的线均匀性和高稳定性，能够适应各种环境。用户可根据应用和检测材料选择红外、红光或蓝光波长。
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单模光纤输出激光器
部件编号: MIL-T-1064-SM 波长范围: 1064±1 工作模式: CW 输出功率: 1-5 功率稳定性（4小时）: 5%, 3%, <1%(可选)CNI公司提供高效且长期稳定的光纤耦合激光器，专为单模光纤（包括PM光纤）设计，具有卓越的功率稳定性和长期稳定性。
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FC-W-940 H高功率光纤耦合半导体激光器系统
型号: FC-W-940H 波长范围: 940±10 工作模式: CW 光纤输出功率: 50, 60, ..., 100 功率稳定性（4小时内）: ≤2%, ≤3%, ≤5%FC-W-940H系列光纤耦合二极管激光系统集成了激光二极管、光纤耦合光学元件、激光电源和温度控制功能于一体。其紧凑的尺寸和便捷的功能，如功率调节、温度控制和LED显示屏，使其非常适合用于泵浦、科学研究、工业和医疗应用。
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JOLD-45-CPXF-1L
操作模式: cw 操作模式: power modulation only between threshold and maximum current 最大光输出功率: 45W 中心波长（25°C）: 808nm, 880nm, 915nm, 938nm, 976nm 中心波长变化（25°C）: ±3nm光纤耦合二极管激光器，连续波工作模式，集成TEC，采用被动冷却设计，适用于高功率和高可靠性应用。
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766型短脉冲种子激光二极管驱动器
输入电源: 4.75-5.25VDC 输入电流: 0.25-0.33A 触发电压(50Ω阻抗): 3.85-5.0V 输出电流: 0.4-1.1A 恒流输出电压: 1.2-10.0VAMI的Model 766短脉冲种子激光二极管驱动器专为驱动14针蝶形封装激光二极管模块而设计，适用于需要脉冲宽度小于1ns的应用。
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红光激光二极管
光输出功率: 22mW LD反向电压: 2V PD反向电压: 30V PD正向电流: 10mA 工作温度: -10~60°CADL-66201TL是一款红光激光二极管，典型发射波长为658nm，额定输出功率为20mW，具有单横模发射特性，最高工作温度为60°C。该产品采用5.6mm TO-Can封装，并集成了PD，是许多工业应用中的高效辐射光源。
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R-14354
技术: Gas Laser 功率: 3 mW 应用: Heterodyne Interferometry, Metrology, Wavelength reference, Fiber optic line testing 增益介质类型: Gas 激光增益介质: HeNe LaserMKS|Newport的R-14354是一种波长为633 nm、功率为3 MW、输出功率（CW）为3 MW的激光器。有关R-14354的更多详细信息，请联系我们。
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ADL-63104GL
光输出功率: 12mW 反向电压(LD): 2V 反向电压(PD): 30V 正向电流(PD): 10mA 外壳温度: -10~+50°CADL-63104GL可见激光二极管，具有635nm波长和高可靠性，广泛应用于工业激光标记及测量仪器。
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高功率脉冲激光二极管
峰值辐射强度波长范围: 895-915nm 光谱带宽(50%强度点): 5.5nm 波长温度系数: 0.28nm/°C 光束发散角平行于结平面1FWHM: 1-11° 光束发散角垂直于结平面1FWHM: 24°高功率脉冲激光二极管，采用多结设计，提供高达335瓦的功率输出，具有高效能和高可靠性，适用于多种应用场景。
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ALC-450-1300-FM200.22
Akela Laser公司的ALC-450-1300-FM200.22是波长为450nm的激光二极管，输出功率为1.3W，工作电压为4.8V，工作电流为1.2A，阈值电流为200mA.有关ALC-450-1300-FM200.22的更多详细信息，请联系我们。
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SLD177H5
技术: Multi-Quantum Well (MQW), Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAs 堆栈/阵列: Bar索尼的SLD177H5是一款用于25 Gbps光通信的4通道垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片。该激光器的工作波长为850 nm，光输出功率高达4 MW.它采用2.4 V电源供电，功耗高达1.6 mA.该器件的光束发散度为33度，光束间距为250μm.它基于具有高温稳定性和可靠性的MQW VCSEL热电路模型，并且具有高达25Gbps的数据速率。该激光器以芯片形式提供，是高速数据通信应用的理想选择。
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高精度激光器
种子类型: 光纤DFB激光器/固定腔型半导体激光器FECL 电源: 0.2W, 0.5W, 2W, 5W, 8W, 15W 输出方式: 空间准直输出/光纤FC/APC接口输出 线宽(100us积分): <5kHz/<20kHz 无跳模调谐范围: >0.5nm/>14GHz780nm激光器是一种高精度激光器，适用于多种应用场景，包括量子科学研究、精密测量和测试等。
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固态二极管泵浦调Q激光器
型号: IDOL 1342 波长: 1342nm 平均功率: 4.5W 脉冲持续时间: 12-16ns 单脉冲能量: 300μJIDOL系列是高重复频率的固态二极管泵浦调Q激光器，具有独特的1342nm波长，可实现强大的红光和蓝光TEM00模式激光辐射。所有激光器均提供<13ns的短脉冲，具有卓越的光束质量。由于其高脉冲稳定性和密封外壳，它们非常适合连续24/7工业使用。高达50kHz的高重复频率提供了高吞吐量。IDOL 671-447是平板显示器（FPD）修复的畅销产品。1342nm波长的IDOL 1342是硅加工的理想激光工具，例如隐形切割或集成电路的修整。
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深紫外线发光二极管
峰值波长: 280 光学输出功率: 0.5-2.8 正向电压: 6.0-7.5 光谱半宽度: 11-15 视角: 125TUD89F1D是一款深紫外线发光二极管，峰值发射波长为270nm至280nm。该LED密封在金属玻璃焊接封装中，采用先进的半导体材料、芯片设计和光学特性，专为医疗和分析仪器、光学传感、化学和生物分析以及园艺设计。
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高速扫描激光器
主扫描速率: 50或100±0.1kHz 最大光输出功率: ≤40mW 中心波长λc: 1280-1340nm 扫描范围: ≥105nm 相干长度: ≥16mmHSL-20是一款基于MEMS的高速扫描激光器，结合了高速度操作和长相干长度，适用于SS-OCT成像的集成光源。该激光器提供高达100kHz的扫描速率，并可根据系统需求配置启动触发和k-clock。
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单模 VCSEL 激光器
发射波长: 850±10nm 阈值电流: 0.5mA 输出功率: 1.0mW 阈值电压: 1.8V 驱动电流: 2mAPL-VCSEL-0850-0-A82-TO46是一款850nm垂直发射的单模激光二极管，采用MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs材料。芯片安装在TO46封装中，可通过激光电流实现波长调谐?？裳∨銽EC和PD，专为FTIR应用设计，具有窄线宽和低成本优势，是FTIR应用的理想选择。