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输出电流
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LA PM240RBD
辐射功率: 10...25mW 辐射强度: 4mW/sr 正向电压: 2.9...4.0V 光束发散角: 140° 热敏电阻: 40K/WLA PM240RBD是一款140°皇家蓝（470 nm）陶瓷0603 LED，具备高光学效率和精度，广泛应用于医疗、传感器和工业等领域。
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LA KM120U8F
辐射功率: 8...14mW 正向电压: 5.0...7.0V 热敏电阻: 45K/W 焊接温度: 260°CLA KM120U8F 是一款具有高效能的紫外线 LED，适用于消毒、杀菌和光谱分析等应用，具有优良的热性能和可靠性。
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LA KP120U8F
辐射功率: 30...70mW 正向电压: 10...14V 热敏电阻: 18K/WLA KP120U8F是一款铝反射器UV LED，具有275nm峰值波长，适用于消毒、材料灭菌和光谱分析等应用。
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LA SL500HRE
辐射功率: 5...20mW 辐射强度: 3mW/sr 正向电压: 1.7...2.4V 光束发散角: 120° 操作脉冲电流: 500mALA SL500HRE是一款超红传感器LED，适用于工业、传感器和数据通信等应用，具有高光学效率和超高脉冲性能。
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LA SL200HRA
辐射功率: 4...16mW 辐射强度: 2.5mW/sr 正向电压: 1.7...2.5V 光谱宽度RMS: 25nm 光束发散角: 120°LA SL200HRA是一款120°的超红传感器LED，适用于工业、传感器和数据通信等领域，具有高光学效率和低内部反射。
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LA TM120MIS
辐射功率: 2...8mW 辐射强度: 0.8mW/sr 正向电压: 1.15...2.15V 光谱宽度RMS: 40nm 光束发散角: 120°LA TM120MIS是一款高功率LED，适用于工业、传感器和红外照明等应用，具有高工作温度和长寿命的特点。
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LA PM240TGD
辐射功率: 2...10mW 正向电压: 2.6...3.7V 辐射强度: 1.5mW/sr 光束发散角: 140? 操作脉冲电流: 300mALA PM240TGD是140度真绿点源LED，具有高光效率和高精度，广泛应用于工业、传感器、医疗等领域。
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LA SL080HRB
辐射功率: 0.5...2mW 辐射强度: 0.5 mW/sr 正向电压: 1.7...2.4V 光谱宽度RMS: 25nm 光束发散角: 120°LA SL080HRB是一款高效的超红传感器LED，适用于工业、传感器和数据通信等多个领域。
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LA LM56HBSX1
阈值电流: 200-320mA 差分效率: 1.3W/A 辐射功率: 250mW 正向电压: 4.3-6.5V 峰值波长: 437.5-457.5nmLA LM56HBSX1超蓝激光二极管，445 nm，适用于消费电子、光谱学、照明和投影等多个领域。
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LA LM40NIV3
芯片高度: 95-125μm 辐射功率: 2500mW 斜率效率: 0.9-1.0W/A 功率转换效率: 39% 波长漂移: 0.07nm/°CLA LM40NIV3是一款近红外VCSEL芯片，适用于光电传感器、光学编码器和3D感应等高性能应用，具有优越的光提取效率和成本性能比。
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LA LM29NIV2
芯片宽度: 735μm 芯片长度: 735μm 芯片高度: 100μm 辐射功率: 800-1200mW 光束发散角: 17-25°LA LM29NIV2是一款850 nm多模激光二极管芯片，适用于消费电子、工业应用以及手势识别等多个领域。
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LA LM29MIV2
芯片宽度: 680μm 芯片长度: 795μm 芯片高度: 105μm 微分效率: 1W/A 辐射功率: 2300mWLA LM29MIV2是一款940nm多模红外激光二极管，适用于消费电子、工业等领域，具备低阈值和中等功率特性。
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LA LM40NIV2
芯片宽度: 980μm 芯片长度: 980μm 芯片高度: 100μm 微分效率: 1W/A 辐射功率: 2400mWLA LM40NIV2是一款850nm多模激光二极管，适用于消费、工业、手势识别和飞行时间测量等应用。
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LA LM40MIV3
芯片高度: 85-115 μm 键合焊盘直径: 90 μm 辐射功率: 2400 mW 斜率效率: 0.9-1.0 W/A 波长漂移: 0.07 nm/°CLA LM40MIV3是一款940 nm波长的中红外VCSEL芯片，适用于光电传感器、光学编码器等高性能消费类应用。
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LA LM08NIV3
芯片高度: 150-170μm 键合焊盘直径: 95μm 辐射功率: 4.5-7.5mW 斜率效率: 0.5-1.2W/A 连续正向电流: 15mALA LM08NIV3是一款高性能近红外VCSEL芯片，适用于传感器光源和消费电子产品，具有优越的光提取效率和性能。
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LA LM06MIV3
芯片高度: 85-100-115μm 键合焊盘直径: 80μm 辐射功率: 5mW 最大连续电流: 12mA 人体模型: 200VLA LM06MIV3是一款940nm的中红外VCSEL芯片，适用于传感器光源和消费电子产品，具有高性能和高性价比。
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LA LS56HRSM1
阈值电流: 40 90 mA 差分效率: 0.5 1.1 W/A 正向电压: 2.4 3.5 V 正向电流: 122 250 mA 峰值波长: 652 660 670 nm超红激光二极管（660 nm），单模激光器，适用于各种应用场景。
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LA LM5659MIV3
芯片高度: 105-135μm 键合焊盘直径: 90μm 辐射功率: 4000mW 斜率效率: 0.85-1.0W/A 功率转换效率: 40%LA LM5659MIV3是一款中红外VCSEL芯片，具有高功率和高效率，广泛应用于移动传感器、光电传感器等领域。
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LA LM2631NIV3
芯片高度: 105μm 键合焊盘直径: 95μm 辐射功率: 1000mW 功率转换效率: 38-43% 波长漂移: 0.07nm/°CLA LM2631NIV3是一款高性能的近红外VCSEL芯片，适用于移动传感器、光电传感器等多个应用领域，具备出色的功率转换效率和光提取率。