光电查为您提供334个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  BXT2-17TF

  美国

  分类：光电探测器

  厂家：Opto Diode

  光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Pbse RoHS: Yes 窗口材料: 4.7 μm Bandpass Si Filter

  Opto Diode Corporation的BXT2-17TF是一款光学探测器，波长范围为4.1至4.3 nm，响应度/光敏度为1.2 X 10^5 V/W.有关BXT2-17TF的更多详细信息，请联系我们。

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  FPD610-FS-VIS

  德国

  分类：光电探测器

  厂家：Menlo Systems

  光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 上升时间: 1 ns 有效面积直径: 0.4 mm

  来自Menlo Systems的FPD610-FS-VIS是波长范围为400至1000nm、上升时间为1ns、带宽调制带宽为DC至200MHz、有效区域直径为0.4mm的光学检测器。有关FPD610-FS-VIS的更多详细信息，请联系我们。

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  FPD510

  德国

  分类：光电探测器

  厂家：Menlo Systems

  光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 上升时间: 2 ns 有效面积直径: 0.25 mm

  来自Menlo Systems的FPD510是波长范围为400至1650nm、上升时间为2ns、带宽调制带宽为DC至200MHz、有效区域直径为0.25mm的光学检测器。有关FPD510的更多详细信息，请联系我们。

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  PbS_MP_01x12_0200_0180x1800

  德国

  分类：光电探测器

  厂家：Hertzstück

  光电探测器类型: PN 光电二极管材料: PbS RoHS: Yes

  来自Hertzstück的PBS_MP_01×12_0200_0180×1800是波长范围为2.7um的光学检测器。有关PBS_MP_01x12_0200_0180x1800的更多详细信息，请联系我们。

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  Gentec-EO高功率检测器XLP12-3S-H2-D0

  加拿大

  分类：光电探测器

  厂家：Gentec-EO

  探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.19 - 20 um 尺寸: 12mm 最大功率: 3W 噪声等效功率: 0.5uW

  Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

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  PbS_Arr_256_0050_0040x0380

  德国

  分类：光电探测器

  厂家：Hertzstück

  光电探测器类型: PN 光电二极管材料: PbS RoHS: Yes

  来自Hertzstück的PBS_ARR_256_0050_0040x0380是波长范围为2.7μm的光学检测器。下面可以看到PBS_ARR_256_0050_0040x0380的更多细节。

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  Gentec-EO高功率检测器UP55M-500W-H12-D0

  加拿大

  分类：光电探测器

  厂家：Gentec-EO

  探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.19 - 20 um 尺寸: 55mm 最大功率: 500W 噪声等效功率: 15000uW

  Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

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  低偏振相关损失（PDL）的InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电探测器

  厂家：GPD Optoelectronics Corp

  二极管类型: InGaAs 工作波长: 1700nm

  低偏振相关损耗（PDL）InGaAs光电二极管

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  低温检测器 ?INSB IS-0025

  美国

  分类：光电探测器

  厂家：Electro-Optical Systems Inc

  二极管类型: InAsSbP 工作波长: 300-5000nm

  低温探测器。

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  SWIR FPA InGaAs 探测器

  波兰

  分类：光电探测器

  厂家：VIGO Photonics

  可操作性: > 99.5% 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: Sapphire

  VIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA（焦平面阵列）采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术，从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。

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  Gentec-EO分立热释电传感器QS5-IL

  加拿大

  分类：光电探测器

  厂家：Gentec-EO

  探测器类型: Pyroelectric 光谱范围: 0.1 - 1000 um 尺寸: 5mm 最大功率: 0.05W

  我们的热电探测器是一类室温热探测器，当暴露于辐射源时，其产生的电流输出与温度变化率成正比。它们较好用交流电流源、电容器和电阻器来描述。它们的电流输出由方程I=P（T）·A·DT/DT决定，其中I是电流，P（T）是Pyro系数，A是由前电极限定的面积，DT/DT是Pyro晶体的温度变化率。与其他红外探测器相比，热释电探测器的优点是：室温操作、宽光谱响应、高灵敏度（D*）和快速响应（亚纳秒至50Ω）。我们的被动式分立热电探测器的直径范围为1至9毫米，提供两种配置：高灵敏度或高平均功率。他们展示了覆盖有我们的金属涂层（MT）的热电探测器元件，并封装在微型TO-5或TO-8罐中。左图显示了两种类型探测器的引脚排列。我们的有机黑色涂层（BL），增加了光学吸收，并有助于平坦的光谱响应。我们还提供许多可添加到TO CAN的永久红外窗口。这些离散的Pyro探测器是脉冲激光应用的理想选择。

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  EM169 高速检测器?？?

  美国

  分类：光电探测器

  厂家：EM4 Technologies

  响应度: 0.80-0.95A/W 电回波损耗: DC – 18 GHz -10dB, 18 – 20 GHz -8dB 输出阻抗: 50Ω

  EM169高速检测器?？樯杓朴糜谑趾湍Ｄ庥τ?，具有50欧姆阻抗匹配的射频连接。该?？榘桓鯥nGaAs PIN光电二极管及必要的匹配电子元件，封装为密封式，带有与SMA兼容的射频连接器，从直流到20 GHz具有无波纹和线性响应。

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  QubeDT-F 快速平衡光电探测器

  意大利

  分类：光电探测器

  厂家：ppqSense S.r.l.

  探测器型号: PVI-4TE-5 光学面积: 1 x 1 mm 窗口: sapphire wedged wAlO2 3 直流跨阻值: 1kΩ ± 10% 直流输出电压响应度: 7x102 V/W

  QubeDT-F快速平衡光电探测器，专为快速光电探测和信号噪声抑制而设计，提供优异的信噪比增强。QubeDT-F快速平衡光电探测器是一款预备产品，具备高速的AC通道带宽和嵌入式光学平衡检测技术。

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  PCI-3TE series 红外光电导探测器

  波兰

  分类：光电探测器

  厂家：VIGO Photonics

  活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W

  PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。

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  PCI series未冷却红外光电导探测器

  波兰

  分类：光电探测器

  厂家：VIGO Photonics

  活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107

  PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。

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  扩展InGaAs光电二极管IG22-26系列

  德国

  分类：光电探测器

  厂家：Laser Components

  二极管类型: InGaAs

  IG22-26是一系列全色PIN光电二极管，其波长范围覆盖500-2600 nm，具体取决于选件。该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻，并在宽范围内具有出色的响应度。

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  Gentec-EO高功率检测器UP19K-110F-H9-D0

  加拿大

  分类：光电探测器

  厂家：Gentec-EO

  探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.19 - 20 um 尺寸: 19mm 最大功率: 110W 噪声等效功率: 3000uW

  Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

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  FPD610-FC-NIR

  德国

  分类：光电探测器

  厂家：Menlo Systems

  光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 1 ns

  Menlo Systems的FPD610-FC-NIR是一种光学检测器，波长范围为950至1650 nm，上升时间为1 ns，带宽调制带宽：DC至200 MHz.有关FPD610-FC-NIR的更多详细信息，请联系我们。

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  MCT红外检测器模块

  美国

  分类：光电探测器

  厂家：Block Engineering

  探测器类型: HgCdTe 光谱范围: 6 - 12 um 尺寸: 1mm 最大功率: 0.005W

  MCT（碲镉汞）IR（红外）探测器?？槭且恢秩鹊缋淙刺讲馄髟颓爸梅糯笃髯榧?，经过优化，可通过激光量子级联激光器（QCL）源获取光谱数据。使用该?？?，用户可以以各种方式配置光谱仪，用于红外显微镜等应用。光谱数据在LaserTune应用软件中采集和查看，无需额外的数据收集或处理电子设备。该?？榛拐攵訪aserTune QCL的发射轮廓和快速扫描速率进行了优化。由于该?？榇硗耆傻募す馍韫馄滓窍低持胁捎玫南嗤布?，因此用户可以在不牺牲系统性能的情况下获得较大的多功能性。与其他商用MCT探测器不同，MCT红外探测器模块不需要液氮来操作。LaserTune的宽调谐范围、灵活调谐和卓越的光束质量使其成为高性能实验室应用的理想选择，其紧凑的尺寸允许轻松集成到任何系统或仪器中。

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  4、8、12或16个元素的单片线性阵列

  美国

  分类：光电探测器

  厂家：GPD Optoelectronics Corp

  二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

  线性阵列