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HASO SWIR FAST
孔径尺寸: 1.75 x 1.75 mm2 微透镜数量: 11 x 11 最大采集频率: 4.5 kHz 校准波长范围: 0.9 - 1.7 μm 最小功率: 0.1 nWHASO SWIR FAST是一款高性能的Shack-Hartmann波前传感器，专为短波红外（SWIR）应用而设计，具有高速度和高精度的特性，适用于自由空间光学和卫星通信等领域。
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LDA2048P12.5S-1.7-T1
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 2048 x 1 像素间距: 12.5 μm 最低像素可操作性: > 99 %近红外线线性图像传感器（0.9 - 1.7 μm），具有2048 x 1像素，适用于多种成像应用。
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CCD3200A Direct Detection CCD
像素数量: 4k x 4k 输出数量: 16 帧率: 2 fps X射线分辨率: 22μm (PSF at FWHM) 最大探测效率: > 80 %CCD3200A是一款高效的直接探测CCD，能够将X射线直接转化为电信号，具有高达80%以上的探测效率，适用于软X射线和硬X射线的探测。
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0.6μm - 1.7 μm VIS-InGaAs PIN光电二极管
检测孔径: ? 455 μm / ? 950 μm / ? 1850 μmVIS-InGaAs PIN Photodiode，适用于0.6 μm至1.7 μm的光谱范围，提供高可靠性和高响应性。
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FPA64x64-C Test Board
图像频率: 340Hz 集成时间范围: 11-4000 电压范围: 0-3.6VFPA64x64-C 测试板用于驱动和读取 FPA64x64-C InGaAs 传感器，适合内部测试和设置。
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自定义时间延迟与集成 (TDI) ‐ CCD 图像传感器
光谱灵敏度范围: 300nm-1000nm(用于3-poly Si像素)或200nm-1000nm(用于虚拟相位像素) 可切换TDI级数: 8,16,32,64,128或12,24,48,92,192行 像素结构: 3-poly Si或虚拟相位 设备架构: 多种设备架构、格式和像素尺寸 单个设备或可拼接: 单个设备或可拼接用于大型焦平面阵列组装该产品是一种高性能的CCD图像传感器，具有多种像素结构和设备架构，适用于多种应用场景。
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LDA512P25X-1.7-T1
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 512 x 1 像素间距: 25 μm 量子效率: ≥ 70 %LDA512P25X-1.7-T1 近红外线线性图像传感器，具备512 x 1像素，广泛应用于短波红外成像、半导体检测等领域。
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LDA1024P12.5X-1.7-C
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 1024 x 1 像素间距: 12.5 μm 量子效率: ≥ 70 %LDA1024P12.5X-1.7-C是一款近红外线线性图像传感器，适用于短波红外成像、半导体检测等领域，具有1024 x 1像素和高达22 MHz的像素率。
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LDA1024P12.5X-1.7-T1
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7μm 实际像素阵列: 1024 x 1 像素间距: 12.5μm 暗电流: ≤ 600fALDA1024P12.5X-1.7-T1 是一款近红外线线性图像传感器，适用于短波红外成像、超光谱成像及半导体检测等应用。
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LDA512P25X-1.7-C
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 512 x 1 像素间距: 25 μm 暗电流: ≤ 1000 fALDA512P25X-1.7-C是一款近红外线线性图像传感器，具有512 x 1像素，适用于短波红外成像和半导体检测等应用。
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FPA-640x512-TE2 InGaAs Imager
传感技术: Standard InGaAs/InP 光谱范围: 0.9 μm - 1.7 μm 图像格式: 640 (H) x 512 (V) 图像尺寸: 16 mm (H) x 12.8 mm (V) 量子效率: ≥ 70 %近红外（0.9 μm - 1.7 μm）图像传感器，具有高像素率和高量子效率，适用于各种成像应用。
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FPA640x512_P15-C-VIS (Badger-C-VIS)
传感技术: Planar lnGaAs PIN 光谱范围: 0.6-1.7 实际像素阵列: 640x512 有效像素阵列: 636x508 像素间距: 15近红外（0.6 - 1.7 μm）640x512 lnGaAs焦平面阵列传感器，具有高像素操作性和量子效率，适用于多种成像应用。
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FPA640x512_P15-C (Badger-C)
传感技术: 平面lnGaAs PIN 光谱范围: 0.9-1.7μm 实际像素阵列: 640x512 有效像素阵列: 636x508 像素间距: 15μm近红外（0.9 - 1.7 μm）640x512 lnGaAs焦平面阵列
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FPA 640x512_P15-2.2-TE2
传感技术: Planar lnGaAs PIN 光谱范围: 1.2 - 2.2 μm 实际像素阵列: 640 x 512 有效像素阵列: 636 x 508 像素间距: 15 μmFPA 640x512_P15-2.2-TE2是一款短波红外（1.2 - 2.2 μm）640x512的InGaAs焦平面阵列，配备双级热电冷却器。
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InGaAs Focal Plane Array FPA 320x256-C-VIS
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.6-1.7 实际像素阵列: 320 x 256 有效像素阵列: 318 x 254 像素间距: 30320 x 256 InGaAs Focal Plane Array，适用于可见光至近红外成像。
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FPA320x256-C lnGaAs Focal Plane Array
传感技术: Planar lnGaAs PIN 光谱范围: 0.9 – 1.7 μm 实际像素阵列: 320 x 256 有效像素阵列: 318 x 254 像素间距: 30 μmFPA320x256-C 是一款近红外 (0.9 μm - 1.7 μm) 的 lnGaAs 像素阵列，具有320x256的阵列格式，适用于多种成像应用。
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FPA320x256-2.2-TS2a-50mm
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 1.2 – 2.2 μm 实际像素阵列: 320 x 256 有效像素阵列: 318 x 254 像素间距: 30 μmFPA320x256-2.2-TS2a-50mm 是一款近红外图像传感器，采用 InGaAs 技术，适用于 1.2 μm - 2.2 μm 的光谱范围。
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FPA1280x1024_P15-1.7-T2
传感技术: Planar InGaAs PIN 光谱范围: 0.9 - 1.7 μm 实际像素阵列: 1280 x 1024 像素间距: 15 μm 图像尺寸: 19.20 x 15.36 mm近红外（0.9 μm - 1.7 μm）InGaAs焦平面阵列，配备双级热电冷却器。
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DIVxxxxP10G-17-C lnGaAs Direct SWIR Viewer
传感技术: Planar lnGaAs PIN (0.9 – 1.7 μm) Array 发射器技术: lnGaN Green LED Array 像素间距: 10μm 图像尺寸: 3.2 x 3.2 mm; 12.8 x 9.6 mm 图像对角线长度: 4.5 mm; 16 mmDIVxxxxP10G-17-C lnGaAs Direct SWIR Viewer 是一种高效的短波红外（SWIR）成像设备，能够将SWIR信号转换为可见光，并广泛应用于各类检测和成像应用。
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CCD Proximity Electronics
标准接口: Gigabit网络接口，铜或光纤（小型可插拔?？椋? 主时钟: 100 MHz频率，10 ns时间分辨率 CCD时钟供应: 28个数字-模拟转换器，100 MHz，16位 输入输出触发: 通过BNC连接器，光隔离 CCD读取: 通过16个模拟-数字转换器通道，100 MHz，每个通道使用数字相关双重采样CCD接近电子设备最初是为了运行具有最多16个输出的科学CCD而开发的，支持高达2 MHz的像素速率，适用于传感器外部测试。它可以被相机开发者用来降低自身开发工作的风险。