光电查为您提供53个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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CCD 2900A CCD图像传感器
图像阵列: 4032 x 4096 图像面积: 60.48mm x 61.44mm 填充因子: 近100% 输出通道: 4个双级40MHz输出 工作模式: 埋藏通道或MPP模式CCD2900A是一款4032 x 4096像素的固态电荷耦合器件（CCD）传感器，适用于高分辨率科学、太空、工业和商业电光系统。
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CCD 2700A CCD图像传感器
OD DC供电电压: 20.0-30.0V RD 重置排水电压: 10.0-20.0V OTG 输出传输门电压: -5.0-5.0V S1,S2,S3 水平串行时钟: +5.0--5.0V SW 汇总门时钟: +5.0--5.0VCCD2700A是一个8064 x 8064像素的固态电荷耦合器件（CCD）成像传感器，适用于高分辨率科学、空间基础、工业和商业电光系统。
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CCD 2520A CCD图像传感器
图像区域宽度: 4224 图像区域高度: 3200 填充因子: 近100% 读取噪声: 30e- 20MHz 输出数量: 32CCD2520A是一款4224 x 3200像素的固态电荷耦合器件（CCD）成像传感器，适用于高分辨率科学、空间、工业和商业电光系统。
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CCD 1630 A/CCD 1632 A CCD图像传感器
DC供电电压: 25.0V 复位排水电压: 16.0V 输出电压: -2.0 1.0 2.0V 排水电压: 23.0V 饱和输出电压: 700mVCCD1630A/CCD1632A是一款1330 x 1320像素的全帧CCD图像传感器，适用于高分辨率科学、空间、工业和商业电子光学系统。
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CCD1600LN
图像传感器阵列: 10560 x 10560 图像面积: 95.04mm x 95.04mm 填充因子: 100% 输出通道数: 16 量子效率提升: 可选择反向照明CCD1600LN是一款10560 x 10560像素的固态电荷耦合器（CCD）全帧图像传感器，旨在用于高分辨率科学、空间、工业和商业光电系统。
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CCD1600-FT CCD
光敏图像区域: 95mm x 47.5mm 双级高速输出数量: 16 读出噪声: 7.0-9.0e- @ 1.0MHz datarate, 5.0e- @ 100kHz datarate 最大数据速率: 10MHz 最大帧率: 1-2HzCCD1600-FT是一款10k x 10k的分帧转移CCD图像传感器，具备高效的图像采集能力，适用于多种高精度成像应用。
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CCD1600A Full Frame CCD
图像区域宽度: 95.04mm 图像区域高度: 95.04mm 像素间距: 9μm x 9μm 输出通道: 16 电源电压: +25.0VCCD1600A 全帧 CCD 图像传感器是一款具有10560 x 10560像素的固态电荷耦合器件，适用于高分辨率科学、空间、工业及商业电光系统。
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CCD0720A/0820A CCD
图像面积: 2048 x 2048 图像区域尺寸: 32.2mm x 32.2mm 填充因子: 近100% 单级输出: 2 x 5MHz 双级输出: 2 x 10MHzCCD0720A/0820A是一款2048 x 2048元素的固态电荷耦合器件（CCD）图像传感器，适用于高分辨率科学、基于空间的工业和商业电光系统。
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FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器
活动区域: 25mm 活动区域: 17mm我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）以及外部前置放大器，与此不同的是，快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）取代JFET。这显著降低了电容，大大降低了串联噪声，并在非常短的峰化时间内提高了分辨率?？焖賁DD?使用相同的检波器，但带有前置放大器，在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进；更多的计数提供更好的统计数据。
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EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口
活动区域: 25mmAmptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器（SDD）系列，用于扫描电子显微镜（SEM）中的能量色散谱（EDS）。使用我们获得专利的C系列氮化硅（Si3N4）X射线窗口，我们的FAST SDD?的低能量响应可向下延伸至铍（Be）。具有高本征效率的快速SDD?适用于EDS，也称为能量色散X射线光谱（EDX或XEDS）和能量色散X射线分析（EDXA）或能量色散X射线微量分析（EDXMA）。
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获得专利的C1低能量X射线窗
活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mmAmptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅（Si3N4），将我们的硅漂移探测器（SDD）的低能量响应扩展到硼（B）。它们仅适用于我们的FASTSDD?。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”，我们为一般的XRF分析提供了铍（Be）窗口的替代方案，与用于软X射线分析的聚合物窗口相比，我们提供了优越的性能。
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3390 MCP/RAE传感器头
有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 23300系列是开面、微通道板（MCP）、电阻式阳极编码器（Rae）位置敏感探测器头，用于带电粒子和高能光子探测，包括标准或涂层（如CSI、KBr）MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线，在真空中运行（完全UHV兼容）。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造，以获得较大的UHV兼容性真空压力；在操作中，单个入射事件（粒子或光子）撞击MCP检测器表面并导致电子级联，其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置，MCP在增益饱和模式下工作，以帮助确保事件间相对恒定的增益，从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。