光电查为您提供所有产品信息包括:146条分类、71170个产品。
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Nanostack脉冲激光二极管
工作温度: -40°C至85°C 存储温度: -40°C至100°C 峰值输出功率: 最大90W 正向电流: 最大40A 脉冲宽度(FWHM): 最大100nsNanostack脉冲激光二极管,采用塑料封装,峰值功率为75W。
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1999CVB
法国 -
980nm冷却泵浦激光模块
法国阈值电流: 100mA 标称工作功率: 700-950mW 无折点功率: 1.1×Pnom 正向电流: 1270-1575mA 正向电压: 2V1999CVB是一款980nm冷却泵浦激光???,具有1050mW功率,采用PM光纤,具备无弯曲特性。
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EL825 Series光电达林顿光耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功率耗散(降额因子,Ta>80°C): 5.8mW/°CEL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器,包含红外发光二极管和光电晶体管探测器,提供高电流传输比和高输入输出隔离电压,适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。
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EL817-G Series光耦合器
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 降额因子(温度>100°C): 5.8mW/°CEL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器,封装为4针DIP封装,提供宽引线间距和表面贴装选项。
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EL816 Series光耦合器
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗降额因子(高于Ta=80°C): 5.8mW/°CEL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器,封装为4针DIP封装,提供宽引脚间距和SMD选项。
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高隔离电压光电达林顿耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗: 150mWEL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器,提供宽引脚间距和表面贴装选项。
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高压光电达林顿耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW 功耗: 150mW 集电极电流: 150mAEL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器,包含一个红外发光二极管,光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。
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标准光电晶体管耦合器
正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 70mW 功耗降额因子(约Ta=100℃): 2.9mW/℃EL357N-G系列包含一个红外发光二极管,光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。
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AC输入光电晶体管耦合器
正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW 功率耗散降额因子(高于Ta=90°C): 3.7mW/°C 集电极-发射极电压: 80VEL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器,采用AC输入设计,具有高隔离电压和紧凑封装,适用于多种工业和通信应用。
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低功耗光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW 输出功耗: 150mW 集电极电流: 50mAEL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器,采用绿色化合物封装,提供高隔离电压和低输入电流特性。
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高压光电达林顿型光电耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗(输出): 300mWEL852系列是一款由红外发光二极管与高压光达林顿检测器光耦合而成的光电产品,采用4针DIP封装,提供宽引线间距和SMD选项。
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高压光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1μs脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 集电极功耗: 150mWEL851系列设备由红外发光二极管和光电晶体管探测器光学耦合组成,采用4针DIP封装,并提供宽引线间距和表面贴装选项。
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通用光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗: 150mWEL827系列是一款8针DIP光电晶体管光耦合器,包含红外发光二极管和光电晶体管检测器,封装为8针DIP封装,提供宽引线间距和SMD选项。
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栅极驱动专用型光电耦合器
正向电流: 25mA 脉冲正向电流: 1A 反向电压: 5V 高电平峰值输出电流: 2.5A 低电平峰值输出电流: 2.5AEL3120系列是一款红外发光二极管和集成高增益高速光电探测器的光耦合器,采用8针DIP封装。其光电探测器具有内部屏蔽功能,可提供±25kV/μs的共模瞬态抗扰度,适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。
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多通道光电晶体管型光电耦合器
正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗: 150mWEL847系列是一款16针DIP封装的光电晶体管光耦合器,提供四个隔离通道,适用于多种电子设备的信号隔离和传输。
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超高亮度白光高功率LED
芯片材料: InGaN 发光颜色: White 直流正向电流(手电筒模式): 350mA 脉冲峰值电流: 1500mA ESD抗性(JEDEC 3b): 8000VELCH09-NB5060J8K2283910-FDX是一款高效小型封装的白光LED,具有高光通量和光效,适用于多种照明和指示应用。