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激光器

  • 4PN-104 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-104是Seminex公司生产的波长为1470nm,输出功率为3.8W,工作电压为1.6V,工作电流为12A,阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-104的更多详细信息,请联系我们。

  • 4PN-106 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-106是Seminex公司生产的波长为1470nm的半导体激光器,输出功率为3.4W,工作电压为1.6V,工作电流为12A,阈值电流为600mA.有关4PN-106的更多详细信息,请联系我们。

  • 4PN-108 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-108是Seminex公司生产的波长为1550nm,输出功率为3.3W,工作电压为1.7V,工作电流为12A,阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-108的更多详细信息,请联系我们。

  • 4PN-109 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-109是Seminex公司生产的波长为1560nm,输出功率为3.3W,工作电压为1.7V,工作电流为12A,阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-109的更多详细信息,请联系我们。

  • 4PN-116 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-116是Seminex公司生产的波长为1320nm,输出功率为4.7W,工作电压为1.7V,工作电流为13A,阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-116的更多详细信息,请联系我们。

  • 4PN-117 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    4PN-117是Seminex公司生产的波长为1375nm,输出功率为4.7W,工作电压为1.6V,工作电流为12A,阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-117的更多详细信息,请联系我们。

  • B-130-108 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    B-130-108是Seminex公司生产的波长为1380nm,输出功率为5.9W,工作电压为1.8V,工作电流为13A,阈值电流为500mA的半导体激光器。有关B-130-108的更多详细信息,请联系我们。

  • B-130 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    B-130是Seminex公司生产的波长为1380nm,输出功率为6.2W,工作电压为1.8V,工作电流为13A,阈值电流为500mA的半导体激光器。B-130的更多细节可以在下面看到。

  • BAR-130 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    BAR-130是Seminex公司生产的波长为1615nm,输出功率为13W,工作电压为1.3V,工作电流为65A,阈值电流为10000mA的半导体激光器。下面可以看到BAR-130的更多详细信息。

  • C-106-108 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-106-108是Seminex公司生产的波长为1470nm,输出功率为4.8W,工作电压为1.7V,工作电流为14A,阈值电流为450mA的半导体激光器。C-106-108的更多详情见下文。

  • C-106 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-106是Seminex公司生产的波长为1470nm,输出功率为5.0W,工作电压为1.7V,工作电流为14A,阈值电流为450mA的半导体激光器。C-106的更多细节可以在下面看到。

  • C-109-108 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-109-108是Seminex公司生产的波长为1532nm、输出功率为4.0W、工作电压为1.7V、工作电流为14A、阈值电流为450mA的半导体激光器。C-109-108的更多详情见下文。

  • C-109 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-109是美国Seminex公司生产的波长为1532nm、输出功率为4.2W、工作电压为1.7V、工作电流为14A、阈值电流为450mA的半导体激光器。C-109的更多细节可以在下面看到。

  • C-121 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-121是美国Seminex公司生产的波长为1550nm,输出功率为0.06W,工作电压为3.1V,工作电流为1.8A,阈值电流为50mA的半导体激光器。C-121的更多细节可以在下面看到。

  • C-123 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-123是美国Seminex公司生产的波长为1625nm,输出功率为0.45W,工作电压为3.1V,工作电流为1.8A,阈值电流为50mA的半导体激光器。C-123的更多细节可以在下面看到。

  • C-124-108 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-124-108是Seminex公司生产的波长为1380nm,输出功率为5.9W,工作电压为1.8V,工作电流为13A,阈值电流为450mA的半导体激光器。C-124-108的更多细节见下文。

  • C-126-108 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-126-108是Seminex公司生产的波长为1510nm、输出功率为4.0W、工作电压为1.7V、工作电流为14A、阈值电流为450mA的半导体激光器。C-126-108的更多细节见下文。

  • C-126 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-126是美国Seminex公司生产的波长为1510nm、输出功率为4.2W、工作电压为1.7V、工作电流为14A、阈值电流为450mA的半导体激光器。C-126的更多细节可以在下面看到。

  • C-130-108 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-130-108是Seminex公司生产的波长为1310nm、输出功率为5.9W、工作电压为1.8V、工作电流为13A、阈值电流为450mA的半导体激光器。有关C-130-108的更多详细信息,请联系我们。

  • C-130 半导体激光器
    美国
    激光增益介质: InP

    C-130是Seminex公司生产的波长为1310nm,输出功率为6.2W,工作电压为1.8V,工作电流为13A,阈值电流为450mA的半导体激光器。C-130的更多细节可以在下面看到。