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横模: TE来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19μm发射器,可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm(FWHM),光束发散角为7度(平行)和40度(垂直)。在大多数封装上,这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接,并且具有高精度放置,无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装,尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm,是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。
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技术: Multi-Quantum Well (MQW), Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAs 堆栈/阵列: Bar索尼的SLD177H5是一款用于25 Gbps光通信的4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片。该激光器的工作波长为850 nm,光输出功率高达4 MW.它采用2.4 V电源供电,功耗高达1.6 mA.该器件的光束发散度为33度,光束间距为250μm.它基于具有高温稳定性和可靠性的MQW VCSEL热电路模型,并且具有高达25Gbps的数据速率。该激光器以芯片形式提供,是高速数据通信应用的理想选择。