研究目的
研究吸杂对多晶硅中快速扩散杂质的影响及其对太阳能电池电学特性的作用。
研究成果
该研究成功展示了一种用于分析多晶硅晶界的多尺度表征方法，揭示了SDG在降低晶界铜含量但无法减少铬方面的有效性。Σ3晶界显示出最低的杂质偏聚现象，与其较低复合活性相关。
研究不足
主要限制在于样品制备和分析过程耗时较长，这制约了对大量晶界区域或多个样品进行分析以获得统计确定性的能力。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用多尺度研究方法，结合宏观寿命测量、光致发光成像以及使用透射菊池衍射（TKD）和原子探针断层扫描（APT）的纳米级分析。
2：样品选择与数据来源：
使用高性能多晶硅锭红区中的同炉硅片，其以较高杂质含量为特征以便于检测。
3：实验设备与材料清单：
设备包括用于光电导测量的Sinton WCP-120、用于光致发光成像的BT Imaging LIS-L1、用于TKD的Zeiss Crossbeam FIB/SEM以及用于APT的Cameca LEAP 5000 XR。
4：用于光致发光成像的BT Imaging LIS-L用于TKD的Zeiss Crossbeam FIB/SEM以及用于APT的Cameca LEAP 5000 XR。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：样品经过锯切损伤吸杂（SDG）及热处理，随后进行化学蚀刻与分析。APT样品采用聚焦离子束方法制备。
5：数据分析方法：
通过计算吉布斯界面过剩量来量化晶界处的杂质偏聚。
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Focused ion beam milling and scanning electron microscopy for sample preparation and TKD analysis.
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