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采用Tm-Ho共掺光纤作为可饱和吸收器的交替Q开关与增益开关双脉冲Yb光纤激光器

DOI：10.1016/j.optlastec.2018.12.009 期刊：Optics & Laser Technology 出版年份：2019 更新时间：2025-11-28 14:24:03
摘要： 我们展示了一种以Tm-Ho共掺光纤为可饱和吸收体(SA)的双波长双脉冲掺镱光纤激光器。双脉冲输出中第一脉冲波长为1064 nm，通过SA诱导的自Q开关产生；第二脉冲波长为2127.7 nm，由增益开关产生——以1064 nm激光作为Tm-Ho共掺光纤中Tm离子的泵浦源，从而引发受激辐射。随着泵浦功率增加，两个脉冲的脉宽均随泵浦水平降低：当泵浦功率从275 mW增至475 mW时，1064 nm激光脉宽从1.4 μs缩短至296 ns；而泵浦功率从300 mW增至475 mW时，2127.7 nm脉冲脉宽从440 ns减至246 ns。相应地，重复频率从17.4 kHz降至6.8 kHz。实验结果表明Tm-Ho共掺光纤是实现1064 nm波段SA诱导Q开关的优异候选材料。
作者： Song Yang，Ying-Ying Yang，Ling Zhang，Jun-Yuan Huang，Yun-Rui Bai，Yu Wang，Xue-Chun Lin
机构： Laboratory of All-Solid-State Light Sources, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究采用铥钬共掺光纤作为可饱和吸收体，在掺镱光纤激光器中实现双波长和双脉冲输出。

研究成果

掺铥钬共掺光纤是1064 nm波长处受激吸收诱导调Q的绝佳候选材料，能够根据泵浦功率产生具有不同脉宽和重复频率的双波长、双脉冲输出。

研究不足

在较低泵浦功率下，第二个脉冲的强度远低于第一个脉冲；而在较高泵浦功率下观察到的第三个微弱脉冲，其产生机制仍有待阐明。

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