研究目的
研究采用经高温退火部分纳米晶化的捕获层的SAHAOS对非易失性紫外TD传感器性能提升的影响。
研究成果
采用高温PMA处理及部分纳米晶化的HfAlO俘获层的PNC-SAHAOS电容器件显著提升了非易失性紫外TD传感器的性能，其表现出的紫外诱导电荷密度更高且电荷保持特性优于非晶态SANOS器件。这些发现表明PNC-SAHAOS是下一代非易失性紫外TD传感器技术极具前景的候选方案。
研究不足
该研究聚焦于采用特定PMA处理后SAHAOS器件的性能提升，未探究层厚度或HfAlO薄膜成分在指定范围之外变化时的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过制备并比较不同PMA处理的SAHAOS/SANOS电容器器件，评估其作为非易失性紫外TD传感器的性能。
2：样品选择与数据来源：
SAHAOS/SANOS器件制备于p型Si <100>衬底上。
3：实验设备与材料清单：
包括ASM A-400管式炉、AIXTRON Tricent 800016 MOCVD系统、SVCS管式炉系统、KORONA RTP 800快速热处理机、Duratek溅射仪、CNI MLL-III-405紫外LED、HP4284参数分析仪、Agilent HP4156A参数分析仪、JEOL JEM-2010F透射电镜、PANalytical X’Pert Pro X射线衍射仪。
4：实验步骤与操作流程：
制备流程包括隧穿氧化层形成、俘获氧化层沉积、阻挡氧化层沉积、PMA处理、栅电极形成及紫外TD信息测量。
5：数据分析方法：
通过紫外TD辐照后CG-VG曲线偏移计算VT变化，并测量辐照前后的栅极漏电流。
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