研究目的
研究退火温度和时间对蓝宝石衬底上(0001)取向氢化物气相外延GaN薄膜封盖退火后的拓扑结构与电学性能的影响。
研究成果
研究表明，热分解始于螺旋位错边缘，在退火过程中形成多边化小角度晶界。施主缺陷（可能是氮空位）在较高退火温度和较长退火时间下更易在表面附近快速形成。建议最大退火温度约为1300°C，且退火时间不超过4分钟。
研究不足
该研究的局限性在于最大退火温度约为1300°C，且在此温度下退火时间不超过4分钟。退火盖的有效性也是一个限制因素。
蓝宝石衬底上经封帽退火处理的(0001)面氢化物气相外延氮化镓薄膜的拓扑结构与电学特性
DOI：10.1063/1.5092437
期刊：Journal of Applied Physics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
鉴于需要通过退火激活GaN中注入的掺杂剂，本文采用原子力显微镜形貌分析研究了退火温度与时间、氢化物气相外延生长的GaN薄膜质量、退火?；げ阒柿俊⒁约氨∧び氤牡兹扰蛘拖凳钜觳挠ατ跋?，并对退火样品制备的肖特基二极管进行了电学测试。结果表明：退火过程中多边化小角度晶界形成的螺位错会引发热分解；表面附近会形成施主缺陷（可能是氮空位）；当退火温度更高、退火时间更长、退火保护层热应力更大时，施主缺陷形成速度更快。研究显示最大退火温度约为1300°C，在此温度下退火时间不应超过4分钟。
作者：
Michael A. Derenge，Kenneth A. Jones
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