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基于6、18、70和120周期GaAs/AlAs超晶格二极管的电子输运特性与亚太赫兹辐射产生特性的比较

DOI：10.1134/S1063782619090124 期刊：Semiconductors 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 对基于6、18、30、70和120周期GaAs/AlAs超晶格（设计相似但周期数和二极管面积不同）的二极管电子输运特性进行了比较研究。分析了近接触区二极管寄生电阻的相关性，并确定了所有电流-电压特性特殊点处单个超晶格周期的特定压降。研究了高掺杂水平下6、18、30、70和120周期GaAs/AlAs超晶格二极管中稳定电流振荡现象的产生机制。
作者： E. S. Obolenskaya，A. S. Ivanov，D. G. Pavelyev，V. A. Kozlov，A. P. Vasilev
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

比较基于6、18、30、70和120周期高掺杂GaAs/AlAs超晶格二极管的电流振荡出现机制，并确定二极管中平均漂移电子速度与场电压的依赖关系。

研究成果

研究得出结论：该接触电阻排除方法误差较低，对基于六周期超晶格的二极管具有良好效果。准弹道输运与能带"破坏"（或称"断裂"）相结合会产生显著更大的负微分电导。减少超晶格周期数可能抑制畴形成，从而为构建基于布洛赫振荡的发电机开辟可能性。

研究不足

该研究的局限性在于接触电阻对I-V特性曲线形式的影响，尤其是对于超晶格周期数较少的二极管。此外，超晶格周期数较少时电子运动的准弹道特性也可能限制研究结果对周期数较多超晶格的适用性。

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