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卤化锑烯:一步合成、结构模拟及可调电子与光响应特性

DOI:10.1002/adfm.201905857 期刊:Advanced Functional Materials 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 表面功能化被认为是调控二维材料本征电子和光电特性的有效且通用策略。本研究通过一步法电化学剥离与同步卤化工艺,在室温下于含卤素离子液体基电解液中合成了表面修饰的少层锑烯。所制备的卤化锑烯纳米片由含氧和卤素修饰的非晶态与晶态区域构成。通过第一性原理计算和从头算分子动力学模拟,进一步揭示了卤化锑烯的结构重构与演化过程。根据不同卤素的反应活性,非晶化处理和表面功能化可调控锑烯的能带结构与光学特性。通过光电化学测量进一步评估了卤化锑烯的光响应性能,其展现出自供电光响应特性,光电流密度随外加偏压和光照强度的增加而提升。本研究提出了一种在简易一步电化学合成过程中通过同步卤化调控二维材料光电特性的新思路。得益于该简便合成工艺,锑烯的卤化改性可为其他二维材料在电子与光电器件应用中的化学功能化提供借鉴。
作者: Liumei Su,Xian Tang,Xing Fan,Dingtao Ma,Weiyuan Liang,Yu Li,Han Zhang
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研究概述 实验方案 设备清单

通过表面功能化探索一种简便且通用的策略,以获得具有合适带隙和可调电子结构的锑烯,用于实际半导体应用。

通过电化学剥离与同步卤化方法,实现了一步法合成卤代锑烯。所制备的少层锑烯纳米片由含氧和卤素修饰的非晶与晶态区域组成。卤化过程可调控带隙,表明光吸收性能具有可行的可调性。所制备的锑烯基光电化学型光电探测器展现出自供电、外偏压及光强依赖的光响应特性。

卤化锑烯的光响应性能并不优于晶态锑烯。其潜在的非晶化机制值得进一步探究。

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